高纯材料
High purity materials
单晶
Single crystals
二维材料
2D Materials
加工定制
Custom manufacturing
常用耗材
Consumables
仪器设备
Instruments&equipments
高纯材料
常用蒸发参数(仅供参考,以实际为准,不具法律效力)
名称 | 密度(g/cm3) | 熔点(°C) | 饱和蒸汽压(Torr)对应温度(℃) | 推荐蒸发方式 | 备注 | |||||
电子束蒸发 | 热蒸发 | |||||||||
10-8 | 10-6 | 10-4 | Y or N | 器具材料 | Y or N | 器具材料 |
名称 | 密度(g/cm3) | 熔点(°C) | 饱和蒸汽压(Torr)对应温度(℃) | 推荐蒸发方式 | 备注 | |||||
电子束蒸发 | 热蒸发 | |||||||||
10-8 | 10-6 | 10-4 | Y or N | 器具材料 | Y or N | 器具材料 | ||||
溴化铝 (AlBr3) |
3.01 | 97 | — | — | ~50 | 不适合 | — | 非常好 | 钼; 石墨 | — |
氟化铝 (AlF3) |
3.07 | 1290 | 410 | 490 | 700 | 非常好 | 石墨 | 非常好 | 钼,钨,钽; 石墨 | 易升华 |
锑 (Sb) |
6.7 | 630 | 279 | 345 | 425 | 较差 | — | 非常好 | 钼,钽 ; P-BN,石墨,Al2O3 | 有毒,蒸发性能良好,薄膜的结构和蒸发速率相关。 |
三氧化二锑 (Sb2O3) |
5.2/5.76 | 656 | — | — | ~300 | 较好 | — | 非常好 | BN,Al2O3 | 有毒,在W中分解。n=2.05。 |
三硒化锑 (Sb2Se3) |
— | 611 | — | — | — | 不适合 | — | 非常好 | 钽;石墨 | 具有多种化学计量比。 |
三硫化锑 (Sb2S3) |
4.64 | 550 | — | — | ~200 | 非常好 | 钼, 钽 | 非常好 | 钼,钽; Al2O3 | 不分解。 |
砷 (As) |
5.73 | 817 | 107 | 150 | 210 | 非常好 | — | 非常好 | 石墨; Al2O3 | 在低温条件下迅速升华。 |
三硒化二砷 (As2Se3) |
4.75 | 360 | — | — | — | 不适合 | — | 非常好 | Al2O3, 石英 | 不溶于水 |
三硫化二砷 (As2S3) |
3.43 | 300 | — | — | ~400 | 一般 | — | 非常好 | 钼 Al2O3,石英 | 剧毒 |
三碲化二砷 (As2Te3) |
— | 362 | — | — | — | 不适合 | — | 非常好 | 石墨 | — |
钡 (Ba) |
3.78 | 727 | 545 | 627 | 735 | 一般 | — | 非常好 | 钨,钽,钼 | 与陶瓷反应。 |
氯化钡 (BaCl2) |
3.86 | 962 | — | — | ~650 | 不适合 | — | 非常好 | 钽,钼 | 缓慢预热除气。 |
氟化钡 (BaF2) |
4.83 | 1280 | — | — | ~700 | 非常好 | 钼 | 非常好 | 钼 | — |
氧化钡 (BaO) |
5.72/5.32 | 1923 | — | — | ~1300 | 较差 | — | 非常好 | Al2O3 | 轻微分解 |
硫化钡 (BaS) |
4.25 | 2200 | — | — | 1100 | 不适合 | — | 非常好 | 钼 | 遇水分解成氢氧化钡和硫化氢,具有腐蚀性。 |
铍 (Be) |
1.85 | 1287 | 710 | 878 | 1000 | 非常好 | 石墨 | 非常好 | 钨,钽,石墨 | 浸润W/Mo/Ta. 容易蒸发。 |
氧化铍 (BeO) |
3.01 | 2530 | — | — | 1900 | 较好 | — | 非常好 | 钨 | 粉末有剧毒,电子束枪轰击不分解。 |
铋 (Bi) |
9.78 | 271 | 330 | 410 | 520 | 非常好 | 石墨 | 非常好 | 钨,钼,钽,Al2O3 | 高电阻率,低熔点的材料不适合溅射。 |
氟化铋 (BiF3) |
8.75 | 727 | — | — | ~300 | 不适合 | — | 非常好 | 石墨 | — |
硒化铋 (Bi2Se3) |
6.82 | 710 | — | — | ~650 | 较好 | — | 非常好 | 石墨,石英 | 通过两种源材料共蒸发或者磁控溅射获得薄膜。 |
碲化铋 (Bi2Te3) |
7.86 | 585 | — | — | ~600 | 不适合 | — | 非常好 | 钨,钼; 石墨,石英 | 通过两种源材料共蒸发或者磁控溅射获得薄膜。 |
硼 (B) |
2.34 | 2300 | 1278 | 1548 | 1797 | 非常好 | 石墨 | 非常好 | 石墨 | 快速冷却会产生爆炸,在容器中形成碳化物,高温导电。 |
碳化硼 (B4C) |
2.5 | 2350 | 2500 | 2580 | 2650 | 非常好 | 石墨 | 不适合 | — | 超过800℃易氧化,高温下与过渡族金属反应 |
氧化硼 (B2O3) |
1.82 | 460 | — | — | ~1400 | 非常好 | 钼 | 非常好 | 钼 | — |
三硫化硼 (B2S3) |
1.55 | 310 | — | — | 800 | 不适合 | — | 非常好 | 石墨 | 易潮解,加热变成黏糊状。 |
镉 (Cd) |
8.64 | 321 | 64 | 120 | 180 | 较差 | — | 非常好 | 钨,钼,钽,Al2O3,石英 | 附着系数低,对真空系统有害。 |
砷化镉 (Cd3As2) |
6.21 | 721 | — | — | — | 不适合 | — | 非常好 | 石英 | 剧毒,不溶于水 |
硒化镉 (CdSe) |
5.81 | 1264 | — | — | 540 | 非常好 | 钼, 钽 | 非常好 | 钼,钽; Al2O3 ,石英 | 容易蒸发。 |
硫化镉 (CdS) |
4.83 | 1750 | — | — | 550 | 一般 | — | 非常好 | 钨,钼,钽,Al2O3, 石英 | 黏附系数依赖于衬底温度,980℃分解。 |
碲化镉 (CdTe) |
6.2 | 1098 | — | — | 450 | 不适合 | — | 非常好 | 钨,钼,钽 | 化学计量学取决于衬底温度。n = 2.6。 |
钙 (Ca) |
1.55 | 842 | 272 | 357 | 459 | 较差 | — | 非常好 | 钨,钼,钽,Al2O3 | 在空气中会氧化和氮化,遇水反应。 |
氟化钙 (CaF2) |
3.18 | 1402 | — | — | ~1100 | 不适合 | — | 非常好 | 钨,Al2O3, 石英 | 缓慢预热除气,需控制升温速率。 |
氧化钙 (CaO) |
3.35 | 2614 | — | — | ~1700 | 不适合 | — | 非常好 | 钨,钼; ZrO2 | 与W / Mo形成挥发性氧化物。 |
硫化钙 (CaS) |
2.59 | 2525 | — | — | 1100 | 不适合 | — | 非常好 | 钼 | 遇水分解。易升华 |
钨酸钙 (CaWO4) |
6.06 | 1580 | — | — | — | 较好 | — | 非常好 | 钨 | 微溶于水。 |
碳(金刚石) (C) |
1.8—2.2 | ~3550 | 1657 | 1867 | 2137 | 非常好 | 石墨 | 不适合 | — | 优选电子束蒸发,薄膜附着力较差。 |
铈 (Ce) |
6.69 | 798 | 970 | 1150 | 1380 | 较好 | — | 非常好 | 钨,钽,Al2O3 | 薄膜极易氧化。 |
二氧化铈 (CeO2) |
7.13 | 2600 | 1890 | 2000 | 2310 | 非常好 | 钽, 石墨 | 非常好 | 钨 | 建议衬底温度250-300℃,与钨有轻微反应。 |
氟化铈 (CeF3) |
6.16 | 1640 | — | — | ~900 | 非常好 | 钨, 钽, 钼 | 非常好 | 钨,钼,钽 | 缓慢预热除气。n=1.7。 |
氧化铈 (Ce2O3) |
6.87 | 1692 | — | — | — | 一般 | — | 非常好 | 钨 | 与坩埚有一定的合金化,有刺激性。 |
铯 (Cs) |
1.88 | 28 | 16 | 22 | 30 | 不适合 | — | 非常好 | 石英 | 易氧化,遇水爆炸。真空系统中一般用碱金属释放剂。 |
溴化铯 (CsBr) |
4.44 | 636 | — | — | ~400 | 不适合 | — | 非常好 | 钨 | 易潮解,>900℃会挥发。 |
氯化铯 (CsCl) |
3.97 | 646 | — | — | ~500 | 不适合 | — | 非常好 | 钨 | 易潮解。 |
氟化铯 (CsF) |
3.59 | 684 | — | — | ~500 | 不适合 | — | 非常好 | 钨 | 易潮解。 |
氢氧化铯 (CsOH) |
3.67 | 272 | — | — | ~550 | 不适合 | — | 不适合 | — | 易溶于水,有强腐蚀性。 |
碘化铯 (CsI) |
4.51 | 621 | — | — | ~500 | 不适合 | — | 非常好 | 钨,石英 | 极易溶于水,有毒,对光敏感。 |
锥冰晶石 (Na5Al3F14) |
2.9 | — | — | — | ~800 | 不适合 | — | 非常好 | 钼,钨 | 负光性。 |
铬 (Cr) |
7.19 | 1857 | 837 | 977 | 1157 | 非常好 | 石墨, 钨 | 非常好 | 钨,石墨 | 薄膜附着力高,可快速生长。 |
碳化铬 (Cr3C2) |
6.68 | 1890 | — | — | ~2000 | 一般 | — | 非常好 | 钨 | — |
氯化铬 (CrCl2) |
2.75 | 824 | — | — | 550 | 不适合 | — | 非常好 | 铁 | 易升华 |
氧化铬 (Cr2O3) |
5.21 | 2435 | — | — | ~2000 | 较好 | — | 非常好 | 钨,钼 | 易分解成低化合价氧化物,可以在空气中加热至600摄氏度以上还原 |
一氧化铬硅 (Cr-SiO) |
— | — | — | — | — | 较好 | — | 非常好 | 钨 | 快速蒸发。 |
钴 (Co) |
8.9 | 1495 | 850 | 990 | 1200 | 非常好 | 直接在炉 | 非常好 | W,Nb 舟; W 框; Al2O3 坩埚 | 与钨,钽,钼形成合金。 |
铜 (Cu) |
8.92 | 1083 | 727 | 857 | 1017 | 非常好 | 石墨, 钼 | 非常好 | Mo 舟; W 丝; W 框; Al2O3,Mo,T 坩埚 | 与衬底附着力较差,建议采用过渡层。 |
氧化亚铜 (Cu2O) |
6 | 1235 | — | — | ~600 | 非常好 | 石墨,钽 | 非常好 | Ta 舟; Al2O3 坩埚 | 易挥发 |
六氟铝酸钠(冰晶石) (Na3AlF6) |
2.9 | 1000 | 1020 | 1260 | 1480 | 非常好 | 钨 | 非常好 | 钨,钼,钽;石墨 | 会发生少量分解,不建议快速生长 |
镝 (Dy) |
8.55 | 1412 | 625 | 750 | 900 | 非常好 | 直接在炉 | 非常好 | 钽 | — |
氟化镝 (DyF3) |
6 | 1360 | — | — | ~800 | 较好 | — | 非常好 | 钽 | 易挥发 |
铒 (Er) |
9.07 | 1497 | 650 | 775 | 930 | 非常好 | 钨, 钽 | 非常好 | 钨,钽 | 易挥发 |
氟化铒 (ErF3) |
7.81 | 1350 | — | — | ~750 | 不适合 | — | 非常好 | 钼 | — |
铕 (Eu) |
5.24 | 822 | 280 | 360 | 480 | 一般 | — | 非常好 | 钨,钽; Al2O3 | 在钽中少量溶解 |
氟化铕 (EuF2) |
6.5 | 1380 | — | — | ~950 | 不适合 | — | 非常好 | 钼 | — |
氧化铕 (Eu2O3) |
7.42 | 2056 | — | — | ~1600 | 较好 | — | 非常好 | 钨,钽; ThO2 | 易失氧,但易于形成高质量薄膜 |
钆 (Gd) |
7.9 | 1313 | 760 | 900 | 1175 | 非常好 | 直接在炉 | 非常好 | 钽; Al2O3 | 高钽溶解度 |
镓 (Ga) |
5.9 | 30 | 619 | 742 | 907 | 非常好 | — | 非常好 | Al2O3,石英 | 与难溶金属形成合金 |
锑化镓 (GaSb) |
5.61 | 706 | — | — | — | 一般 | — | 非常好 | 钨,钽 | 建议采用热蒸发源,并快速加热 |
砷化镓 (GaAs) |
5.3 | 1238 | — | — | — | 非常好 | 石墨 | 非常好 | 钨,钽; 石墨 | 建议采用热蒸发源,并快速加热 |
氧化镓(β) (Ga2O3) |
5.88 | 1900 | — | — | — | 不适合 | — | 非常好 | W 舟 | 易失氧 |
磷化镓 (GaP) |
4.13 | 1480 | — | 770 | 920 | 不适合 | — | 非常好 | 钨,钽;石英 | 易分解 |
锗 (Ge) |
5.32 | 938 | 812 | 957 | 1167 | 非常好 | 石墨 | 非常好 | 钨,石墨,钽; Al2O3,石英 | 建议使用E-beam加热 |
氧化锗 (GeO2) |
6.24 | 1086 | — | — | ~625 | 非常好 | 钽,钼 | 非常好 | 钽,钼; Al2O3,石英 | 易失氧形成GeO薄膜 |
碲化锗 (GeTe) |
6.2 | 725 | — | — | 381 | 不适合 | — | 非常好 | 钨,钼; Al2O3,石英 | — |
金 (Au) |
19.3 | 1064 | 807 | 947 | 1132 | 非常好 | 钨 | 非常好 | 钨,钼; Al2O3,BN | 薄膜较软,附着力不好。 |
氧化铪 (HfO2) |
9.68 | 2810 | — | — | ~2500 | 非常好 | 直接在炉 | 不适合 | — | 易形成HfO薄膜 |
钬 (Ho) |
8.8 | 1474 | 650 | 770 | 950 | 较好 | — | 非常好 | 钨,钽 | — |
氟化钬 (HoF3) |
7.64 | 1143 | — | — | ~800 | 不适合 | — | 非常好 | 石英 | — |
铬镍铁合金 (Ni/Cr/Fe) |
8.5 | 1425 | — | — | — | 非常好 | 钨 | 非常好 | 钨 | 低速生长更易获得高质量薄膜 |
铟 (In) |
7.3 | 157 | 487 | 597 | 742 | 非常好 | 石墨,钼 | 非常好 | 钨,钼,Al2O3, 石墨 | 浸润钨和铜。建议使用电子束加热,并使用钼内衬 |
锑化铟 (InSb) |
5.8 | 535 | 500 | — | ~400 | 不适合 | — | 非常好 | W 舟 | 优选溅射,或者从两种源材料中共蒸发。 |
砷化铟 (InAs) |
5.7 | 943 | 780 | 870 | 970 | 不适合 | — | 非常好 | 钨 | — |
氧化铟 (In2O3) |
7.18 | 1910 | — | — | ~1200 | 较好 | — | 非常好 | 钨,铂;Al2O3 | 易形成In2O薄膜 |
磷化铟 (InP) |
4.8 | 1070 | — | 630 | 730 | 不适合 | — | 非常好 | 钨,钽;石墨 | 建议在富磷环境下生长,并快速升温 |
硫化铟 (In2S3) |
4.9 | 1050 | — | — | 850 | 不适合 | — | 非常好 | 石墨 | 易失S形成In2S薄膜 |
硫化亚铟 (In2S) |
5.87 | 653 | — | — | 650 | 不适合 | — | 非常好 | 石墨 | — |
氧化铟-氧化锡 (In2O3-SnO2) |
6.43—7.14 | 1800 | — | — | — | 非常好 | 石墨 | 不适合 | — | — |
铁 (Fe) |
7.87 | 1538 | 858 | 998 | 1180 | 非常好 | — | 非常好 | 钨;Al2O3 | 会腐蚀钨。建议生长前轻微加热除气 |
溴化铁 (FeBr2) |
4.64 | 689 | — | — | 561 | 不适合 | — | 非常好 | Fe 坩埚 | 生长前建议除气 |
氯化铁 (FeCl2) |
2.98 | 670 | — | — | 300 | 不适合 | — | 非常好 | Fe 坩埚 | 生长前建议除气 |
碘化铁 (FeI2) |
5.31 | 592 | — | — | 400 | 不适合 | — | 非常好 | Fe 坩埚 | 生长前建议除气 |
氧化铁 (Fe2O3) |
5.24 | 1565 | — | — | — | 较好 | — | 非常好 | 钨 | 在1530°C时会畸变为Fe3O4。 |
硫化铁 (FeS) |
4.84 | 1195 | — | — | — | 不适合 | — | 非常好 | Al2O3 | 易分解 |
铬铝铁 (FeCrAl) |
7.1 | 1500 | — | — | ~1150 | 不适合 | — | 非常好 | 钨 | — |
镧 (La) |
6.15 | 919 | 990 | 1212 | 1388 | 非常好 | 钨, 钽 | 非常好 | 钨,钽;Al2O3 | 薄膜会在空气中燃烧 |
溴化镧 (LaBr3) |
5.06 | 783 | — | — | — | 不适合 | — | 非常好 | 钽 | 置于空气中易吸水 |
氟化镧 (LaF3) |
6 | 1490 | — | — | 900 | 非常好 | 钽, 钼 | 非常好 | 钽 | 不易分解,n=1.59 |
氧化镧 (La2O3) |
6.51 | 2315 | — | — | 1400 | 非常好 | 石墨,钨 | 非常好 | 钨,钽 | 容易失去氧原子。 n=1.73 |
铅 (Pb) |
11.34 | 328 | 342 | 427 | 497 | 非常好 | — | 非常好 | 钨,钼;Al2O3,石英 | 有毒性。薄膜超导性与生长速率密切相关 |
氯化铅 (PbCl2) |
5.85 | 501 | — | — | ~325 | 不适合 | — | 非常好 | Al2O3 | 轻微分解。 |
氟化铅 (PbF2) |
8.44 | 822 | — | — | ~400 | 不适合 | — | 非常好 | 钨,钼;BeO | 有毒性 |
碘化铅 (PbI2) |
6.16 | 502 | — | — | ~500 | 不适合 | — | 非常好 | 石英 | n=2.7 |
氧化铅 (PbO) |
9.53 | 888 | — | — | ~550 | 不适合 | — | 非常好 | Al2O3,石英 | 不易分解,n=2.6。 |
锡酸铅 (PbSnO3) |
8.1 | 1115 | 670 | 780 | 905 | 较差 | — | 非常好 | Al2O3 | 样品有微弱分解,导致元素组分比变化 |
硒化铅 (PbSe) |
8.1 | 1078 | — | — | ~500 | 不适合 | — | 非常好 | 钨,钼;Al2O3, 石墨 | — |
硫化铅 (PbS) |
7.5 | 1114 | — | — | ~500 | 不适合 | — | 非常好 | 钨,钼;Al2O3, 石英 | 轻微分解。 |
碲化铅 (PbTe) |
8.16 | 905 | 780 | 910 | 1050 | 不适合 | — | 非常好 | 钼,铂,钽;Al2O3, 石墨 | 样品蒸汽有毒。建议在富Te环境下生长,并用E-beam方式加热 |
钛酸铅 (PbTiO3) |
7.52 | — | — | — | — | 不适合 | — | 非常好 | 钽 | — |
锂 (Li) |
0.54 | 181 | 227 | 307 | 407 | 非常好 | 钽 | 非常好 | 钽;Al2O3 | 活泼金属,在空气中发生剧烈反应 |
溴化锂 (LiBr) |
3.46 | 547 | — | — | ~500 | 不适合 | — | 非常好 | 镍 | n=1.78 |
氯化锂 (LiCl) |
2.07 | 613 | — | — | 400 | 不适合 | — | 非常好 | 镍 | 缓慢预热除气。. |
氟化锂 (LiF) |
2.64 | 845 | 875 | 1020 | 1180 | 非常好 | 钽, 钨, 钼 | 非常好 | 镍,钽,钨,钼;Al2O3 | 生长速率对于成膜质量至关重要。生长前建议缓慢除气 |
碘化锂 (LiI) |
4.06 | 446 | — | — | 400 | 不适合 | — | 非常好 | 钼,钨 | — |
镥 (Lu) |
9.84 | 1663 | — | — | 1300 | 非常好 | 直接作为原料加热 | 非常好 | 钽;Al2O3 | — |
镁 (Mg) |
1.74 | 650 | 185 | 247 | 327 | 非常好 | 石墨,钽 | 非常好 | 钨,钼,钽,石墨;Al2O3 | 可以快速生长;易燃 |
溴化镁 (MgBr2) |
3.72 | 700 | — | — | ~450 | 不适合 | — | 非常好 | 镍 | 易分解 |
氯化镁 (MgCl2) |
2.32 | 708 | — | — | 400 | 不适合 | — | 非常好 | 镍 | 易分解,n=1.6 |
氟化镁 (MgF2) |
3.15 | 1266 | — | — | 1000 | 非常好 | 石墨, 钼 | 非常好 | 钼,钽;Al2O3 | 生长速率和衬底温度对于成膜质量至关重要;能够与W/Mo反应。 |
氧化镁 (MgO) |
3.58 | 2852 | — | — | 1300 | 非常好 | 石墨 | 非常好 | Al2O3,石墨 | 建议在1e-3 Torr的氧气环境下生长;易与钨形成挥发性氧化物;n=1.7 |
锰 (Mn) |
7.47 | 1246 | 507 | 572 | 647 | 非常好 | 钨 | 非常好 | 钨,钽,钼;Al2O3 | — |
氧化锰 (MnO2) |
5.02 | 535 | — | — | — | 不适合 | — | 非常好 | 钨 | 在 535℃时失氧 |
硫化锰 (MnS) |
3.99 | 1615 | — | — | 1300 | 不适合 | — | 非常好 | 钼 | 易分解,n=2.7 |
硫化汞 (HgS) |
8.1 | — | — | — | 250 | 不适合 | — | 非常好 | Al2O3 | 易分解 |
钼 (Mo) |
10.28 | 2623 | 1592 | 1822 | 2117 | 非常好 | 石墨 | 不适合 | — | 薄膜光滑且坚硬。需要缓慢除气。 |
硅化钼 (MoSi2) |
6.24 | 2030 | — | — | ~50 | 不适合 | — | 非常好 | 钨 | 易分解 |
三氧化钼 (MoO3) |
4.7 | 795 | — | — | ~900 | 不适合 | — | 非常好 | 钼;Al2O3,BN | 生长时少量失氧 |
钕 (Nd) |
7.01 | 1021 | 731 | 871 | 1062 | 非常好 | 钽 | 非常好 | 钽;Al2O3 | 与钽/钨轻微互溶 |
氟化钕 (NdF3) |
6.5 | 1410 | — | — | ~900 | 非常好 | 钨, 钼 | 非常好 | 钼,钨;Al2O3 | 轻微分解,n=1.61 |
氧化钕 (Nd2O3) |
7.24 | 2272 | — | — | ~1400 | 非常好 | 钽, 钨 | 非常好 | 钽,钨;ThO2 | 易失氧。能够形成高质量薄膜,建议使用E-beam加热 |
镍铬合金Ⅳ (Ni/Cr) |
8.5 | 1395 | 847 | 987 | 1217 | 非常好 | — | 非常好 | 钨,钽;Al2O3 | 与W/Ta/Mo形成合金。 |
镍 (Ni) |
8.91 | 1455 | 927 | 1072 | 1262 | 非常好 | — | 非常好 | 钨;Al2O3 | 与W/Ta/Mo形成合金。 薄膜附着力好且表面光滑。 |
氧化镍 (NiO) |
6.84 | 1984 | — | — | ~1470 | 不适合 | — | 非常好 | Al2O3 | 加热时会分解,n=2.18 |
铌 (Nb) |
8.57 | 2477 | 1728 | 1977 | 2287 | 非常好 | — | 不适合 | — | 会腐蚀钨 |
三氧化二铌 (Nb2O3) |
7.5 | 1780 | — | — | — | 不适合 | — | 非常好 | 钨 | n=2.3 |
五氧化二铌 (Nb2O5) |
4.47 | 1485 | — | — | — | 不适合 | — | 非常好 | 钨 | 可能失氧导致组分变化 |
钯 (Pd) |
12.02 | 1555 | 842 | 992 | 1192 | 非常好 | 石墨,钨 | 非常好 | 钨;Al2O3 | 与难溶金属形成合金。建议采用E-beam方法,并快速生长 |
氧化钯 (PdO) |
8.31 | 870 | — | — | 575 | 不适合 | — | 非常好 | Al2O3 | 易分解 |
白磷 (P) |
1.82 | 44.1 | 327 | 361 | 402 | 不适合 | — | 非常好 | Al2O3 | 样品在空气中剧烈反应 |
铂 (Pt) |
21.45 | 1768 | 1292 | 1492 | 1747 | 非常好 | 石墨 | 非常好 | 钨;石墨 | 易与金属形成合金,附着力差。 |
钚 (Pu) |
19.84 | 640 | — | — | — | 不适合 | — | 非常好 | 钨 | 有毒,有放射性 |
钋 (Po) |
9.2 | 254 | 117 | 170 | 244 | 不适合 | — | 非常好 | 石英 | 有放射性 |
钾 (K) |
0.86 | 63.4 | 23 | 60 | 125 | 不适合 | — | 非常好 | 钼;石英 | 样品在空气中剧烈反应。生长前建议缓慢除气 |
溴化钾 (KBr) |
2.75 | 734 | — | — | ~450 | 不适合 | — | 非常好 | 钽,钼;石英 | 生长前建议缓慢除气,n=1.56 |
氯化钾 (KCl) |
1.98 | 776 | — | — | 510 | 非常好 | 钽 | 非常好 | 钽,镍 | 生长前建议缓慢除气,n=1.49 |
氟化钾 (KF) |
2.48 | 880 | — | — | ~500 | 不适合 | — | 非常好 | 石英 | 生长前建议缓慢除气,n=1.35 |
碘化钾 (KI) |
3.13 | 72 | — | — | ~500 | 不适合 | — | 非常好 | 钽 | 生长前建议缓慢除气,n=1.68 |
镨 (Pr) |
6.64 | 931 | 800 | 950 | 1150 | 较好 | — | 非常好 | 钽 | — |
氧化镨 (Pr2O3) |
6.88 | 2125 | — | — | 1400 | 较好 | — | 非常好 | ThO2 | 易失氧,n=2.0 |
铑 (Rh) |
12.45 | 1964 | 1277 | 1472 | 1707 | 非常好 | 钨 | 非常好 | 钨;ThO2,石墨 | 建议使用E-beam加热 |
铷 (Rb) |
1.53 | 39.3 | -3 | 37 | 111 | 不适合 | — | 非常好 | 石英 | — |
氯化铷 (RbCl) |
2.76 | 715 | — | — | ~550 | 不适合 | — | 非常好 | 石英坩埚 | n=1.49 |
碘化铷 (RbI) |
3.55 | 642 | — | — | ~400 | 不适合 | — | 非常好 | 石英 | — |
钐 (Sm) |
7.35 | 1072 | 373 | 460 | 573 | 较好 | 非常好 | 钽;Al2O3 | — | |
氧化钐 (Sm2O3) |
7.43 | 2350 | — | — | — | 较好 | — | 非常好 | ThO2 | 易失氧,但能形成高质量薄膜 |
钪 (Sc) |
2.99 | 1541 | 714 | 837 | 1002 | 非常好 | 钨, 钼 | 非常好 | 钨;Al2O3 | 与钽形成合金 |
硒 (Se) |
4.82 | 221 | 89 | 125 | 170 | 非常好 | 钨,钼 | 非常好 | 钨,钼;Al2O3 | 不利于形成超高真空;样品有毒性 |
硅 (Si) |
2.33 | 1414 | 992 | 1147 | 1337 | 非常好 | 钽 | 不适合 | — | 与钨形成合金。且易形成SiO |
二氧化硅 (SiO2) |
2.2 | 1650 | — | — | ~1025 | 非常好 | 石墨,钽 | 非常好 | Al2O3 | 建议使用E-beam加热 |
一氧化硅 (SiO) |
2.1 | 1702 | — | — | 850 | 非常好 | 钨, 钽 | 非常好 | 钨,钽 | 建议低速生长,n=1.6 |
硒化硅 (SiSe) |
— | — | — | — | 550 | 不适合 | — | 非常好 | 石英 | — |
硫化硅 (SiS) |
1.85 | — | — | — | 450 | 不适合 | — | 非常好 | 石英 | — |
碲化硅 (SiTe2) |
4.39 | — | — | — | 550 | 不适合 | — | 非常好 | 石英 | — |
银 (Ag) |
10.49 | 962 | 847 | 958 | 1105 | 非常好 | 钨, 钼, 钽 | 非常好 | 钨;钽,钼; Al2O3 | — |
溴化银 (AgBr) |
6.47 | 432 | — | — | ~380 | 不适合 | — | 非常好 | 钽;石英 | n=2.25 |
氯化银 (AgCl) |
5.56 | 455 | — | — | ~520 | 不适合 | — | 非常好 | 钼;石英 | n=2.07 |
碘化银 (AgI) |
5.67 | 558 | — | — | ~500 | 不适合 | — | 非常好 | 钽 | n=2.21 |
钠 (Na) |
0.97 | 98 | 74 | 124 | 192 | 不适合 | — | 非常好 | 钽;石英 | 样品在空气中剧烈反应。生长前建议缓慢除气 |
溴化钠 (NaBr) |
3.2 | 755 | — | — | ~400 | 不适合 | — | 非常好 | 石英 | 生长前建议缓慢除气,n=1.64 |
氯化钠 (NaCl) |
2.16 | 801 | — | — | 530 | 较好 | — | 非常好 | 钽,钨,钼;石英 | 轻微分解。生长前建议缓慢除气,n=1.54 |
氟化钠 (NaF) |
2.79 | 988 | — | — | ~700 | 非常好 | 钨 | 非常好 | 钽,钨,钼;BeO | 样品不分解。生长前建议缓慢除气 |
锶 (Sr) |
2.63 | 777 | 239 | 309 | 403 | 较差 | — | 非常好 | 钽,钨,钼; 石墨 | 会浸润金属,但是不与W/Ta/Mo形成合金。在空气中可能会氧化 |
氟化锶 (SrF2) |
4.24 | 1473 | — | — | ~1000 | 不适合 | — | 非常好 | Al2O3 | n=1.44 |
氧化锶 (SrO) |
4.7 | 2430 | — | — | 1500 | 不适合 | — | 非常好 | Al2O3 | 与钨、钼发生反应。 |
硫化锶 (SrS) |
3.7 | >2000 | — | — | — | 不适合 | — | 非常好 | Mo 舟 | 易分解,n=2.11 |
硫 (S) |
1.96 | 115 | 13 | 19 | 57 | 较差 | — | 非常好 | 钨;石英 | 不利于形成超高真空 |
钽 (Ta) |
16.65 | 2996 | 1960 | 2240 | 2590 | 非常好 | 石墨 | 不适合 | — | 易形成高质量薄膜。 |
五氧化二钽 (Ta2O5) |
8.74 | 1800 | 1550 | 1780 | 1920 | 非常好 | 钽 | 非常好 | 钽;钨 丝;钨;石墨 | 轻微分解。建议在10-3 Torr氧气氛围里用热蒸发源生长 |
碲 (Te) |
6.24 | 450 | 157 | 207 | 277 | 非常好 | — | 非常好 | 钨,钽;Al2O3,石英 | 有毒性。浸润金属但不生成合金 |
铽 (Tb) |
8.22 | 1356 | 800 | 950 | 1150 | 非常好 | 石墨,钽 | 非常好 | 钽;Al2O3 | — |
七氧化四铽 (Tb4O7) |
— | — | — | — | — | 不适合 | — | 非常好 | 钽 | 易形成TbO薄膜 |
铊 (Tl) |
11.85 | 304 | 280 | 360 | 470 | 较差 | — | 非常好 | 钨,钽;Al2O3,石英 | 易浸润坩埚。剧毒 |
溴化铊 (TlBr) |
7.56 | 480 | — | — | ~250 | 不适合 | — | 非常好 | 钽;石英 | 有毒,n=2.3 |
氯化铊 (TlCl) |
7 | 430 | — | — | ~150 | 不适合 | — | 非常好 | 钽;石英 | 有毒,n=2.25 |
碘化铊 (TlI) |
7.09 | 440 | — | — | ~250 | 不适合 | — | 非常好 | 石英 | 有毒,n=2.78 |
钍 (Th) |
11.72 | 1750 | 1430 | 1660 | 1925 | 非常好 | 钼, 钽,钨 | 非常好 | 钨,钽,钼 | 有毒性,有放射性 |
溴化钍 (ThBr4) |
5.67 | — | — | — | — | 不适合 | — | 非常好 | 钼 | 有毒,n=2.47 |
碳化钍 (ThC2) |
8.96 | 2773 | — | — | ~2300 | 不适合 | — | 非常好 | 石墨 | 有放射性 |
二氧化钍 (ThO2) |
10.03 | 3350 | — | — | ~2100 | 非常好 | 钨 | 不适合 | — | 有放射性,n=1.86 |
氟化钍 (ThF4) |
6.3 | 1110 | — | — | ~750 | 一般 | — | 非常好 | 钼;钨;Vit石墨 | 有放射性。建议生长时衬底温度高于150摄氏度,n=1.52 |
氧氟化钍 (ThOF2) |
9.1 | 900 | — | — | — | 不适合 | — | 非常好 | 钼,钽 | — |
铥 (Tm) |
9.32 | 1545 | 461 | 554 | 680 | 较好 | — | 非常好 | 钽;Al2O3 | — |
氧化铥 (Tm2O3) |
8.9 | — | — | — | 1500 | 不适合 | — | 不适合 | — | 易分解 |
锡 (Sn) |
7.28 | 232 | 682 | 807 | 997 | 非常好 | 钽 | 非常好 | 钼;钨;Al2O3 | 浸润钼。建议使用E-beam加热,并用钽作为内衬 |
氧化锡 (SnO2) |
6.95 | 1630 | — | — | ~1000 | 极好 | — | 非常好 | 钨;Al2O3,石英 | 生长薄膜易有氧空位,建议在氧气氛围中生长 |
硒化锡 (SnSe) |
6.18 | 861 | — | — | ~400 | 较好 | — | 非常好 | 石英 | — |
硫化锡 (SnS) |
5.08 | 882 | — | — | ~450 | 不适合 | — | 非常好 | 石英 | — |
碲化锡 (SnTe) |
6.48 | 790 | — | — | ~450 | 不适合 | — | 非常好 | 石英 | — |
钛 (Ti) |
4.51 | 1668 | 1067 | 1235 | 1453 | 非常好 | — | 非常好 | 钨;TiC | 与难溶金属形成合金。初次加热会大量放气 |
硼化钛 (TiB2) |
4.5 | 3230 | — | — | — | 较差 | — | 非常好 | Al2O3,钼,钽,钨 | — |
二氧化钛(金红石) (TiO2) |
4.29 | 1843 | — | — | ~1300 | 非常好 | 钽 | 非常好 | 钨,钼 | 建议在1e-4 Torr氧气氛围中生长,且衬底温度大于350℃ |
一氧化钛 (TiO) |
4.95 | 1700 | — | — | ~1500 | 非常好 | 钽 | 非常好 | 钨,钼 | 使用前缓慢加热除气。可能形成TiO2薄膜 |
三氧化二钛 (Ti2O3) |
4.6 | 2130 | — | — | — | 非常好 | 钽 | 非常好 | 钨 | 易分解 |
钨 (W) |
19.25 | 3422 | 2117 | 2407 | 2757 | 非常好 | 直接作为原料加热 | 不适合 | — | 易形成氧化物薄膜 |
碳化钨 (WC) |
15.63 | 2870 | 1480 | 1720 | 2120 | 非常好 | 石墨 | 非常好 | 石墨 | — |
碲化钨 (WTe2) |
9.43 | — | — | — | 不适合 | — | 非常好 | 石英 | — | |
三氧化钨 (WO3) |
7.16 | 1473 | — | — | 980 | 非常好 | 钨 | 非常好 | 钨 | 使用前缓慢加热除气。与钨接触会降低其化学价 |
铀 (U) |
19.05 | 1135 | 1132 | 1327 | 1582 | 较好 | — | 非常好 | 钼,钨 | 薄膜易氧化 |
碳化铀 (UC2) |
11.28 | 2260 | — | — | 2100 | 不适合 | — | 非常好 | 石墨 | 易分解 |
三氧化二铀 (U2O3) |
8.3 | 1300 | — | — | — | 不适合 | — | 非常好 | 钨 | 在摄氏1300℃分解为UO2 |
二氧化铀 (UO2) |
10.9 | 2176 | — | — | — | 不适合 | — | 非常好 | 钨 | 钽会导致样品分解 |
氟化铀 (UF4) |
— | ~1000 | — | — | 300 | 不适合 | — | 非常好 | 镍 | — |
磷化铀 (UP2) |
8.57 | — | — | — | 1200 | 不适合 | — | 非常好 | 钽 | 易分解 |
钒 (V) |
5.8 | 1890 | 1162 | 1332 | 1547 | 非常好 | 钨 | 非常好 | 钨,钼 | 会浸润钼。建议使用E-beam加热 |
镱 (Yb) |
6.57 | 819 | 520 | 590 | 690 | 非常好 | 钽 | 非常好 | 钽 | — |
氟化镱 (YbF3) |
8.17 | 1157 | — | — | ~800 | 非常好 | 钽, 钼 | 非常好 | 钼 | n=1.57 |
钇 (Y) |
4.47 | 1526 | 830 | 973 | 1157 | 非常好 | 钨 | 非常好 | 钨,钽;Al2O3 | 与钽互溶 |
YAG (Y3Al5O12) |
— | 1990 | — | — | — | 较好 | — | 非常好 | 钨 | — |
氟化钇 (YF3) |
4.01 | 1387 | — | — | — | 非常好 | 钽, 钼 | 不适合 | — | 易失氧。但能形成高质量薄膜,n=1.79 |
氧化钇 (Y2O3) |
5.01 | 2410 | — | — | ~2000 | 非常好 | 石墨,钨 | 非常好 | 钨;石墨 | 失去氧气。薄膜光滑清晰 |
锌 (Zn) |
7.14 | 420 | 127 | 177 | 250 | 非常好 | 石墨,钨 | 非常好 | 钼,钨,钽;Al2O3,石英 | 在较宽范围条件下蒸发效果好。 |
溴化锌 (ZnBr2) |
4.22 | 394 | — | — | ~300 | 不适合 | — | 非常好 | 钨;石墨 | 易分解 |
氟化锌 (ZnF2) |
4.84 | 872 | — | — | ~800 | 不适合 | — | 非常好 | 钽;石英 | — |
氮化锌 (Zn3N2) |
6.22 | — | — | — | — | 不适合 | — | 非常好 | 钼 | 易分解 |
硒化锌 (ZnSe) |
5.42 | 1100 | — | — | 660 | 非常好 | 钽, 钼 | 非常好 | 钽,钨,钼;石英 | 生长前缓慢加热除气,n=2.6 |
硫化锌 (ZnS) |
4.09 | 1830 | — | — | ~800 | 非常好 | 钽, 钼 | 非常好 | 钽,钼 | 生长前缓慢加热除气,n=2.3 |
碲化锌 (ZnTe) |
6.34 | 1238 | — | — | ~600 | 不适合 | — | 非常好 | 钼,钽 | 生长前缓慢加热除气,n=2.85 |
锆 (Zr) |
6.51 | 1855 | 1477 | 1702 | 1987 | 极好 | — | 非常好 | 钨 | 与钨形成合金。薄膜易氧化 |
氧化锆 (ZrO2) |
5.85 | 2700 | — | — | — | 非常好 | 石墨,钨 | 非常好 | 钨 | 薄膜有氧缺陷,但杂质很少,n=2.05 |
硒化硅 (SiSe) |
— | — | — | — | 550 | — | — | 非常好 | 石英 | — |
铝 (Al) |
2.7 | 660 | 677 | 821 | 1010 | 非常好 | 金属间化合物 | 非常好 | 钨,PBN | 易与金属坩埚形成合金和浸润坩埚。钨舟快速蒸发或者使用BN坩埚。 |
氧化铝 (Al2O3) |
3.97 | 2045 | — | — | 1550 | 非常好 | 钨 | 非常好 | 钨 | 电子束蒸发可形成光滑,坚硬的蓝宝石膜。n=1.66。 |
碳化钼 (Mo2C) |
9.18 | 2687 | — | — | — | 一般 | — | 不适合 | — | — |
氧化镥 (Lu2O3) |
9.41 | 2489 | — | — | 1400 | 不适合 | — | 非常好 | 铱 | 样品易分解 |
氧化钆 (Gd2O3) |
7.41 | 2310 | — | — | — | 非常好 | — | 非常好 | 铱 | — |