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产品目录

高纯材料

High purity materials

常用蒸发参数(仅供参考，以实际为准，不具法律效力)
常用溅射参数(仅供参考，以实际为准，不具法律效力)
高纯材料名录

单晶

Single crystals

Li
C
Na
Mg
Al
Si
K
Ca
Ti
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Cr
Mn
Fe
Co
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Cu
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Zr
Nb
Mo
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Sb
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Ir
Pt
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Bi
La
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二维材料

2D Materials

二维材料 —— 半导体
二维材料 —— 金属
二维材料 —— 半金属
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二维材料 —— 绝缘体
二维材料 —— 铁磁性绝缘体
二维材料 —— 外尔半金属
二维材料 —— 其他

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耗材

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Instruments&equipments

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Kcell 热蒸发源
高精度硅基掩膜板对准系统
转移系统
红外测温仪

高纯材料

常用蒸发参数(仅供参考，以实际为准，不具法律效力)

名称 密度(g/cm3) 熔点(°C) 饱和蒸汽压(Torr)对应温度(℃) 推荐蒸发方式 备注
电子束蒸发 热蒸发
10-8 10-6 10-4 Y or N 器具材料 Y or N 器具材料
名称 密度(g/cm3) 熔点(°C) 饱和蒸汽压(Torr)对应温度(℃) 推荐蒸发方式 备注
电子束蒸发 热蒸发
10-8 10-6 10-4 Y or N 器具材料 Y or N 器具材料

溴化铝

(AlBr3)

 3.01 97 — — ~50 不适合 — 非常好 钼； 石墨 —

氟化铝

(AlF3)

 3.07 1290 410 490 700 非常好 石墨 非常好 钼，钨，钽； 石墨 易升华

锑

(Sb)

 6.7 630 279 345 425 较差 — 非常好 钼，钽 ； P-BN，石墨，Al2O3 有毒，蒸发性能良好，薄膜的结构和蒸发速率相关。

三氧化二锑

(Sb2O3)

 5.2/5.76 656 — — ~300 较好 — 非常好 BN，Al2O3 有毒，在W中分解。n=2.05。

三硒化锑

(Sb2Se3)

 — 611 — — — 不适合 — 非常好 钽；石墨 具有多种化学计量比。

三硫化锑

(Sb2S3)

 4.64 550 — — ~200 非常好 钼， 钽 非常好 钼，钽； Al2O3 不分解。

砷

(As)

 5.73 817 107 150 210 非常好 — 非常好 石墨； Al2O3 在低温条件下迅速升华。

三硒化二砷

(As2Se3)

 4.75 360 — — — 不适合 — 非常好 Al2O3， 石英 不溶于水

三硫化二砷

(As2S3)

 3.43 300 — — ~400 一般 — 非常好 钼 Al2O3，石英 剧毒

三碲化二砷

(As2Te3)

 — 362 — — — 不适合 — 非常好 石墨 —

钡

(Ba)

 3.78 727 545 627 735 一般 — 非常好 钨，钽，钼 与陶瓷反应。

氯化钡

(BaCl2)

 3.86 962 — — ~650 不适合 — 非常好 钽，钼 缓慢预热除气。

氟化钡

(BaF2)

 4.83 1280 — — ~700 非常好 钼 非常好 钼 —

氧化钡

(BaO)

 5.72/5.32 1923 — — ~1300 较差 — 非常好 Al2O3 轻微分解

硫化钡

(BaS)

 4.25 2200 — — 1100 不适合 — 非常好 钼 遇水分解成氢氧化钡和硫化氢，具有腐蚀性。

铍

(Be)

 1.85 1287 710 878 1000 非常好 石墨 非常好 钨，钽，石墨 浸润W/Mo/Ta. 容易蒸发。

氧化铍

(BeO)

 3.01 2530 — — 1900 较好 — 非常好 钨 粉末有剧毒，电子束枪轰击不分解。

铋

(Bi)

 9.78 271 330 410 520 非常好 石墨 非常好 钨，钼，钽，Al2O3 高电阻率，低熔点的材料不适合溅射。

氟化铋

(BiF3)

 8.75 727 — — ~300 不适合 — 非常好 石墨 —

硒化铋

(Bi2Se3)

 6.82 710 — — ~650 较好 — 非常好 石墨，石英 通过两种源材料共蒸发或者磁控溅射获得薄膜。

碲化铋

(Bi2Te3)

 7.86 585 — — ~600 不适合 — 非常好 钨，钼； 石墨，石英 通过两种源材料共蒸发或者磁控溅射获得薄膜。

硼

(B)

 2.34 2300 1278 1548 1797 非常好 石墨 非常好 石墨 快速冷却会产生爆炸，在容器中形成碳化物，高温导电。

碳化硼

(B4C)

 2.5 2350 2500 2580 2650 非常好 石墨 不适合 — 超过800℃易氧化，高温下与过渡族金属反应

氧化硼

(B2O3)

 1.82 460 — — ~1400 非常好 钼 非常好 钼 —

三硫化硼

(B2S3)

 1.55 310 — — 800 不适合 — 非常好 石墨 易潮解，加热变成黏糊状。

镉

(Cd)

 8.64 321 64 120 180 较差 — 非常好 钨，钼，钽，Al2O3，石英 附着系数低，对真空系统有害。

砷化镉

(Cd3As2)

 6.21 721 — — — 不适合 — 非常好 石英 剧毒，不溶于水

硒化镉

(CdSe)

 5.81 1264 — — 540 非常好 钼， 钽 非常好 钼，钽； Al2O3 ，石英 容易蒸发。

硫化镉

(CdS)

 4.83 1750 — — 550 一般 — 非常好 钨，钼，钽，Al2O3， 石英 黏附系数依赖于衬底温度，980℃分解。

碲化镉

(CdTe)

 6.2 1098 — — 450 不适合 — 非常好 钨，钼，钽 化学计量学取决于衬底温度。n = 2.6。

钙

(Ca)

 1.55 842 272 357 459 较差 — 非常好 钨，钼，钽，Al2O3 在空气中会氧化和氮化，遇水反应。

氟化钙

(CaF2)

 3.18 1402 — — ~1100 不适合 — 非常好 钨，Al2O3， 石英 缓慢预热除气，需控制升温速率。

氧化钙

(CaO)

 3.35 2614 — — ~1700 不适合 — 非常好 钨，钼； ZrO2 与W / Mo形成挥发性氧化物。

硫化钙

(CaS)

 2.59 2525 — — 1100 不适合 — 非常好 钼 遇水分解。易升华

钨酸钙

(CaWO4)

 6.06 1580 — — — 较好 — 非常好 钨 微溶于水。

碳(金刚石)

(C)

 1.8—2.2 ~3550 1657 1867 2137 非常好 石墨 不适合 — 优选电子束蒸发，薄膜附着力较差。

铈

(Ce)

 6.69 798 970 1150 1380 较好 — 非常好 钨，钽，Al2O3 薄膜极易氧化。

二氧化铈

(CeO2)

 7.13 2600 1890 2000 2310 非常好 钽， 石墨 非常好 钨 建议衬底温度250-300℃，与钨有轻微反应。

氟化铈

(CeF3)

 6.16 1640 — — ~900 非常好 钨， 钽， 钼 非常好 钨，钼，钽 缓慢预热除气。n=1.7。

氧化铈

(Ce2O3)

 6.87 1692 — — — 一般 — 非常好 钨 与坩埚有一定的合金化，有刺激性。

铯

(Cs)

 1.88 28 16 22 30 不适合 — 非常好 石英 易氧化，遇水爆炸。真空系统中一般用碱金属释放剂。

溴化铯

(CsBr)

 4.44 636 — — ~400 不适合 — 非常好 钨 易潮解，>900℃会挥发。

氯化铯

(CsCl)

 3.97 646 — — ~500 不适合 — 非常好 钨 易潮解。

氟化铯

(CsF)

 3.59 684 — — ~500 不适合 — 非常好 钨 易潮解。

氢氧化铯

(CsOH)

 3.67 272 — — ~550 不适合 — 不适合 — 易溶于水，有强腐蚀性。

碘化铯

(CsI)

 4.51 621 — — ~500 不适合 — 非常好 钨，石英 极易溶于水，有毒，对光敏感。

锥冰晶石

(Na5Al3F14)

 2.9 — — — ~800 不适合 — 非常好 钼，钨 负光性。

铬

(Cr)

 7.19 1857 837 977 1157 非常好 石墨， 钨 非常好 钨，石墨 薄膜附着力高，可快速生长。

碳化铬

(Cr3C2)

 6.68 1890 — — ~2000 一般 — 非常好 钨 —

氯化铬

(CrCl2)

 2.75 824 — — 550 不适合 — 非常好 铁 易升华

氧化铬

(Cr2O3)

 5.21 2435 — — ~2000 较好 — 非常好 钨，钼 易分解成低化合价氧化物，可以在空气中加热至600摄氏度以上还原

一氧化铬硅

(Cr-SiO)

 — — — — — 较好 — 非常好 钨 快速蒸发。

钴

(Co)

 8.9 1495 850 990 1200 非常好 直接在炉 非常好 W，Nb 舟； W 框； Al2O3 坩埚 与钨，钽，钼形成合金。

铜

(Cu)

 8.92 1083 727 857 1017 非常好 石墨， 钼 非常好 Mo 舟； W 丝； W 框； Al2O3，Mo，T 坩埚 与衬底附着力较差，建议采用过渡层。

氧化亚铜

(Cu2O)

 6 1235 — — ~600 非常好 石墨，钽 非常好 Ta 舟； Al2O3 坩埚 易挥发

六氟铝酸钠(冰晶石)

(Na3AlF6)

 2.9 1000 1020 1260 1480 非常好 钨 非常好 钨，钼，钽；石墨 会发生少量分解，不建议快速生长

镝

(Dy)

 8.55 1412 625 750 900 非常好 直接在炉 非常好 钽 —

氟化镝

(DyF3)

 6 1360 — — ~800 较好 — 非常好 钽 易挥发

铒

(Er)

 9.07 1497 650 775 930 非常好 钨， 钽 非常好 钨，钽 易挥发

氟化铒

(ErF3)

 7.81 1350 — — ~750 不适合 — 非常好 钼 —

铕

(Eu)

 5.24 822 280 360 480 一般 — 非常好 钨，钽； Al2O3 在钽中少量溶解

氟化铕

(EuF2)

 6.5 1380 — — ~950 不适合 — 非常好 钼 —

氧化铕

(Eu2O3)

 7.42 2056 — — ~1600 较好 — 非常好 钨，钽； ThO2 易失氧，但易于形成高质量薄膜

钆

(Gd)

 7.9 1313 760 900 1175 非常好 直接在炉 非常好 钽； Al2O3 高钽溶解度

镓

(Ga)

 5.9 30 619 742 907 非常好 — 非常好 Al2O3，石英 与难溶金属形成合金

锑化镓

(GaSb)

 5.61 706 — — — 一般 — 非常好 钨，钽 建议采用热蒸发源，并快速加热

砷化镓

(GaAs)

 5.3 1238 — — — 非常好 石墨 非常好 钨，钽； 石墨 建议采用热蒸发源，并快速加热

氧化镓（β）

(Ga2O3)

 5.88 1900 — — — 不适合 — 非常好 W 舟 易失氧

磷化镓

(GaP)

 4.13 1480 — 770 920 不适合 — 非常好 钨，钽；石英 易分解

锗

(Ge)

 5.32 938 812 957 1167 非常好 石墨 非常好 钨，石墨，钽； Al2O3，石英 建议使用E-beam加热

氧化锗

(GeO2)

 6.24 1086 — — ~625 非常好 钽，钼 非常好 钽，钼； Al2O3，石英 易失氧形成GeO薄膜

碲化锗

(GeTe)

 6.2 725 — — 381 不适合 — 非常好 钨，钼； Al2O3，石英 —

金

(Au)

 19.3 1064 807 947 1132 非常好 钨 非常好 钨，钼； Al2O3，BN 薄膜较软，附着力不好。

氧化铪

(HfO2)

 9.68 2810 — — ~2500 非常好 直接在炉 不适合 — 易形成HfO薄膜

钬

(Ho)

 8.8 1474 650 770 950 较好 — 非常好 钨，钽 —

氟化钬

(HoF3)

 7.64 1143 — — ~800 不适合 — 非常好 石英 —

铬镍铁合金

(Ni/Cr/Fe)

 8.5 1425 — — — 非常好 钨 非常好 钨 低速生长更易获得高质量薄膜

铟

(In)

 7.3 157 487 597 742 非常好 石墨，钼 非常好 钨，钼，Al2O3， 石墨 浸润钨和铜。建议使用电子束加热，并使用钼内衬

锑化铟

(InSb)

 5.8 535 500 — ~400 不适合 — 非常好 W 舟 优选溅射，或者从两种源材料中共蒸发。

砷化铟

(InAs)

 5.7 943 780 870 970 不适合 — 非常好 钨 —

氧化铟

(In2O3)

 7.18 1910 — — ~1200 较好 — 非常好 钨，铂；Al2O3 易形成In2O薄膜

磷化铟

(InP)

 4.8 1070 — 630 730 不适合 — 非常好 钨，钽；石墨 建议在富磷环境下生长，并快速升温

硫化铟

(In2S3)

 4.9 1050 — — 850 不适合 — 非常好 石墨 易失S形成In2S薄膜

硫化亚铟

(In2S)

 5.87 653 — — 650 不适合 — 非常好 石墨 —

氧化铟-氧化锡

(In2O3-SnO2)

 6.43—7.14 1800 — — — 非常好 石墨 不适合 — —

铁

(Fe)

 7.87 1538 858 998 1180 非常好 — 非常好 钨；Al2O3 会腐蚀钨。建议生长前轻微加热除气

溴化铁

(FeBr2)

 4.64 689 — — 561 不适合 — 非常好 Fe 坩埚 生长前建议除气

氯化铁

(FeCl2)

 2.98 670 — — 300 不适合 — 非常好 Fe 坩埚 生长前建议除气

碘化铁

(FeI2)

 5.31 592 — — 400 不适合 — 非常好 Fe 坩埚 生长前建议除气

氧化铁

(Fe2O3)

 5.24 1565 — — — 较好 — 非常好 钨 在1530°C时会畸变为Fe3O4。

硫化铁

(FeS)

 4.84 1195 — — — 不适合 — 非常好 Al2O3 易分解

铬铝铁

(FeCrAl)

 7.1 1500 — — ~1150 不适合 — 非常好 钨 —

镧

(La)

 6.15 919 990 1212 1388 非常好 钨， 钽 非常好 钨，钽；Al2O3 薄膜会在空气中燃烧

溴化镧

(LaBr3)

 5.06 783 — — — 不适合 — 非常好 钽 置于空气中易吸水

氟化镧

(LaF3)

 6 1490 — — 900 非常好 钽， 钼 非常好 钽 不易分解，n=1.59

氧化镧

(La2O3)

 6.51 2315 — — 1400 非常好 石墨，钨 非常好 钨，钽 容易失去氧原子。 n=1.73

铅

(Pb)

 11.34 328 342 427 497 非常好 — 非常好 钨，钼；Al2O3，石英 有毒性。薄膜超导性与生长速率密切相关

氯化铅

(PbCl2)

 5.85 501 — — ~325 不适合 — 非常好 Al2O3 轻微分解。

氟化铅

(PbF2)

 8.44 822 — — ~400 不适合 — 非常好 钨，钼；BeO 有毒性

碘化铅

(PbI2)

 6.16 502 — — ~500 不适合 — 非常好 石英 n=2.7

氧化铅

(PbO)

 9.53 888 — — ~550 不适合 — 非常好 Al2O3，石英 不易分解，n=2.6。

锡酸铅

(PbSnO3)

 8.1 1115 670 780 905 较差 — 非常好 Al2O3 样品有微弱分解，导致元素组分比变化

硒化铅

(PbSe)

 8.1 1078 — — ~500 不适合 — 非常好 钨，钼；Al2O3， 石墨 —

硫化铅

(PbS)

 7.5 1114 — — ~500 不适合 — 非常好 钨，钼；Al2O3， 石英 轻微分解。

碲化铅

(PbTe)

 8.16 905 780 910 1050 不适合 — 非常好 钼，铂，钽；Al2O3， 石墨 样品蒸汽有毒。建议在富Te环境下生长，并用E-beam方式加热

钛酸铅

(PbTiO3)

 7.52 — — — — 不适合 — 非常好 钽 —

锂

(Li)

 0.54 181 227 307 407 非常好 钽 非常好 钽；Al2O3 活泼金属，在空气中发生剧烈反应

溴化锂

(LiBr)

 3.46 547 — — ~500 不适合 — 非常好 镍 n=1.78

氯化锂

(LiCl)

 2.07 613 — — 400 不适合 — 非常好 镍 缓慢预热除气。.

氟化锂

(LiF)

 2.64 845 875 1020 1180 非常好 钽， 钨， 钼 非常好 镍，钽，钨，钼；Al2O3 生长速率对于成膜质量至关重要。生长前建议缓慢除气

碘化锂

(LiI)

 4.06 446 — — 400 不适合 — 非常好 钼，钨 —

镥

(Lu)

 9.84 1663 — — 1300 非常好 直接作为原料加热 非常好 钽；Al2O3 —

镁

(Mg)

 1.74 650 185 247 327 非常好 石墨，钽 非常好 钨，钼，钽，石墨；Al2O3 可以快速生长；易燃

溴化镁

(MgBr2)

 3.72 700 — — ~450 不适合 — 非常好 镍 易分解

氯化镁

(MgCl2)

 2.32 708 — — 400 不适合 — 非常好 镍 易分解，n=1.6

氟化镁

(MgF2)

 3.15 1266 — — 1000 非常好 石墨， 钼 非常好 钼，钽；Al2O3 生长速率和衬底温度对于成膜质量至关重要；能够与W/Mo反应。

氧化镁

(MgO)

 3.58 2852 — — 1300 非常好 石墨 非常好 Al2O3，石墨 建议在1e-3 Torr的氧气环境下生长；易与钨形成挥发性氧化物；n=1.7

锰

(Mn)

 7.47 1246 507 572 647 非常好 钨 非常好 钨，钽，钼；Al2O3 —

氧化锰

(MnO2)

 5.02 535 — — — 不适合 — 非常好 钨 在 535℃时失氧

硫化锰

(MnS)

 3.99 1615 — — 1300 不适合 — 非常好 钼 易分解，n=2.7

硫化汞

(HgS)

 8.1 — — — 250 不适合 — 非常好 Al2O3 易分解

钼

(Mo)

 10.28 2623 1592 1822 2117 非常好 石墨 不适合 — 薄膜光滑且坚硬。需要缓慢除气。

硅化钼

(MoSi2)

 6.24 2030 — — ~50 不适合 — 非常好 钨 易分解

三氧化钼

(MoO3)

 4.7 795 — — ~900 不适合 — 非常好 钼；Al2O3，BN 生长时少量失氧

钕

(Nd)

 7.01 1021 731 871 1062 非常好 钽 非常好 钽；Al2O3 与钽/钨轻微互溶

氟化钕

(NdF3)

 6.5 1410 — — ~900 非常好 钨， 钼 非常好 钼，钨；Al2O3 轻微分解，n=1.61

氧化钕

(Nd2O3)

 7.24 2272 — — ~1400 非常好 钽， 钨 非常好 钽，钨；ThO2 易失氧。能够形成高质量薄膜，建议使用E-beam加热

镍铬合金Ⅳ

(Ni/Cr)

 8.5 1395 847 987 1217 非常好 — 非常好 钨，钽；Al2O3 与W/Ta/Mo形成合金。

镍

(Ni)

 8.91 1455 927 1072 1262 非常好 — 非常好 钨；Al2O3 与W/Ta/Mo形成合金。 薄膜附着力好且表面光滑。

氧化镍

(NiO)

 6.84 1984 — — ~1470 不适合 — 非常好 Al2O3 加热时会分解，n=2.18

铌

(Nb)

 8.57 2477 1728 1977 2287 非常好 — 不适合 — 会腐蚀钨

三氧化二铌

(Nb2O3)

 7.5 1780 — — — 不适合 — 非常好 钨 n=2.3

五氧化二铌

(Nb2O5)

 4.47 1485 — — — 不适合 — 非常好 钨 可能失氧导致组分变化

钯

(Pd)

 12.02 1555 842 992 1192 非常好 石墨，钨 非常好 钨；Al2O3 与难溶金属形成合金。建议采用E-beam方法，并快速生长

氧化钯

(PdO)

 8.31 870 — — 575 不适合 — 非常好 Al2O3 易分解

白磷

(P)

 1.82 44.1 327 361 402 不适合 — 非常好 Al2O3 样品在空气中剧烈反应

铂

(Pt)

 21.45 1768 1292 1492 1747 非常好 石墨 非常好 钨；石墨 易与金属形成合金，附着力差。

钚

(Pu)

 19.84 640 — — — 不适合 — 非常好 钨 有毒，有放射性

钋

(Po)

 9.2 254 117 170 244 不适合 — 非常好 石英 有放射性

钾

(K)

 0.86 63.4 23 60 125 不适合 — 非常好 钼；石英 样品在空气中剧烈反应。生长前建议缓慢除气

溴化钾

(KBr)

 2.75 734 — — ~450 不适合 — 非常好 钽，钼；石英 生长前建议缓慢除气，n=1.56

氯化钾

(KCl)

 1.98 776 — — 510 非常好 钽 非常好 钽，镍 生长前建议缓慢除气，n=1.49

氟化钾

(KF)

 2.48 880 — — ~500 不适合 — 非常好 石英 生长前建议缓慢除气，n=1.35

碘化钾

(KI)

 3.13 72 — — ~500 不适合 — 非常好 钽 生长前建议缓慢除气，n=1.68

镨

(Pr)

 6.64 931 800 950 1150 较好 — 非常好 钽 —

氧化镨

(Pr2O3)

 6.88 2125 — — 1400 较好 — 非常好 ThO2 易失氧，n=2.0

铑

(Rh)

 12.45 1964 1277 1472 1707 非常好 钨 非常好 钨；ThO2，石墨 建议使用E-beam加热

铷

(Rb)

 1.53 39.3 -3 37 111 不适合 — 非常好 石英 —

氯化铷

(RbCl)

 2.76 715 — — ~550 不适合 — 非常好 石英坩埚 n=1.49

碘化铷

(RbI)

 3.55 642 — — ~400 不适合 — 非常好 石英 —

钐

(Sm)

 7.35 1072 373 460 573 较好 非常好 钽；Al2O3 —

氧化钐

(Sm2O3)

 7.43 2350 — — — 较好 — 非常好 ThO2 易失氧，但能形成高质量薄膜

钪

(Sc)

 2.99 1541 714 837 1002 非常好 钨， 钼 非常好 钨；Al2O3 与钽形成合金

硒

(Se)

 4.82 221 89 125 170 非常好 钨，钼 非常好 钨，钼；Al2O3 不利于形成超高真空；样品有毒性

硅

(Si)

 2.33 1414 992 1147 1337 非常好 钽 不适合 — 与钨形成合金。且易形成SiO

二氧化硅

(SiO2)

 2.2 1650 — — ~1025 非常好 石墨，钽 非常好 Al2O3 建议使用E-beam加热

一氧化硅

(SiO)

 2.1 1702 — — 850 非常好 钨， 钽 非常好 钨，钽 建议低速生长，n=1.6

硒化硅

(SiSe)

 — — — — 550 不适合 — 非常好 石英 —

硫化硅

(SiS)

 1.85 — — — 450 不适合 — 非常好 石英 —

碲化硅

(SiTe2)

 4.39 — — — 550 不适合 — 非常好 石英 —

银

(Ag)

 10.49 962 847 958 1105 非常好 钨， 钼， 钽 非常好 钨；钽，钼； Al2O3 —

溴化银

(AgBr)

 6.47 432 — — ~380 不适合 — 非常好 钽；石英 n=2.25

氯化银

(AgCl)

 5.56 455 — — ~520 不适合 — 非常好 钼；石英 n=2.07

碘化银

(AgI)

 5.67 558 — — ~500 不适合 — 非常好 钽 n=2.21

钠

(Na)

 0.97 98 74 124 192 不适合 — 非常好 钽；石英 样品在空气中剧烈反应。生长前建议缓慢除气

溴化钠

(NaBr)

 3.2 755 — — ~400 不适合 — 非常好 石英 生长前建议缓慢除气，n=1.64

氯化钠

(NaCl)

 2.16 801 — — 530 较好 — 非常好 钽，钨，钼；石英 轻微分解。生长前建议缓慢除气，n=1.54

氟化钠

(NaF)

 2.79 988 — — ~700 非常好 钨 非常好 钽，钨，钼；BeO 样品不分解。生长前建议缓慢除气

锶

(Sr)

 2.63 777 239 309 403 较差 — 非常好 钽，钨，钼； 石墨 会浸润金属，但是不与W/Ta/Mo形成合金。在空气中可能会氧化

氟化锶

(SrF2)

 4.24 1473 — — ~1000 不适合 — 非常好 Al2O3 n=1.44

氧化锶

(SrO)

 4.7 2430 — — 1500 不适合 — 非常好 Al2O3 与钨、钼发生反应。

硫化锶

(SrS)

 3.7 >2000 — — — 不适合 — 非常好 Mo 舟 易分解，n=2.11

硫

(S)

 1.96 115 13 19 57 较差 — 非常好 钨；石英 不利于形成超高真空

钽

(Ta)

 16.65 2996 1960 2240 2590 非常好 石墨 不适合 — 易形成高质量薄膜。

五氧化二钽

(Ta2O5)

 8.74 1800 1550 1780 1920 非常好 钽 非常好 钽；钨 丝；钨；石墨 轻微分解。建议在10-3 Torr氧气氛围里用热蒸发源生长

碲

(Te)

 6.24 450 157 207 277 非常好 — 非常好 钨，钽；Al2O3，石英 有毒性。浸润金属但不生成合金

铽

(Tb)

 8.22 1356 800 950 1150 非常好 石墨，钽 非常好 钽；Al2O3 —

七氧化四铽

(Tb4O7)

 — — — — — 不适合 — 非常好 钽 易形成TbO薄膜

铊

(Tl)

 11.85 304 280 360 470 较差 — 非常好 钨，钽；Al2O3，石英 易浸润坩埚。剧毒

溴化铊

(TlBr)

 7.56 480 — — ~250 不适合 — 非常好 钽；石英 有毒，n=2.3

氯化铊

(TlCl)

 7 430 — — ~150 不适合 — 非常好 钽；石英 有毒，n=2.25

碘化铊

(TlI)

 7.09 440 — — ~250 不适合 — 非常好 石英 有毒，n=2.78

钍

(Th)

 11.72 1750 1430 1660 1925 非常好 钼， 钽，钨 非常好 钨，钽，钼 有毒性，有放射性

溴化钍

(ThBr4)

 5.67 — — — — 不适合 — 非常好 钼 有毒，n=2.47

碳化钍

(ThC2)

 8.96 2773 — — ~2300 不适合 — 非常好 石墨 有放射性

二氧化钍

(ThO2)

 10.03 3350 — — ~2100 非常好 钨 不适合 — 有放射性，n=1.86

氟化钍

(ThF4)

 6.3 1110 — — ~750 一般 — 非常好 钼；钨；Vit石墨 有放射性。建议生长时衬底温度高于150摄氏度，n=1.52

氧氟化钍

(ThOF2)

 9.1 900 — — — 不适合 — 非常好 钼，钽 —

铥

(Tm)

 9.32 1545 461 554 680 较好 — 非常好 钽；Al2O3 —

氧化铥

(Tm2O3)

 8.9 — — — 1500 不适合 — 不适合 — 易分解

锡

(Sn)

 7.28 232 682 807 997 非常好 钽 非常好 钼；钨；Al2O3 浸润钼。建议使用E-beam加热，并用钽作为内衬

氧化锡

(SnO2)

 6.95 1630 — — ~1000 极好 — 非常好 钨；Al2O3，石英 生长薄膜易有氧空位，建议在氧气氛围中生长

硒化锡

(SnSe)

 6.18 861 — — ~400 较好 — 非常好 石英 —

硫化锡

(SnS)

 5.08 882 — — ~450 不适合 — 非常好 石英 —

碲化锡

(SnTe)

 6.48 790 — — ~450 不适合 — 非常好 石英 —

钛

(Ti)

 4.51 1668 1067 1235 1453 非常好 — 非常好 钨；TiC 与难溶金属形成合金。初次加热会大量放气

硼化钛

(TiB2)

 4.5 3230 — — — 较差 — 非常好 Al2O3，钼，钽，钨 —

二氧化钛(金红石)

(TiO2)

 4.29 1843 — — ~1300 非常好 钽 非常好 钨，钼 建议在1e-4 Torr氧气氛围中生长，且衬底温度大于350℃

一氧化钛

(TiO)

 4.95 1700 — — ~1500 非常好 钽 非常好 钨，钼 使用前缓慢加热除气。可能形成TiO2薄膜

三氧化二钛

(Ti2O3)

 4.6 2130 — — — 非常好 钽 非常好 钨 易分解

钨

(W)

 19.25 3422 2117 2407 2757 非常好 直接作为原料加热 不适合 — 易形成氧化物薄膜

碳化钨

(WC)

 15.63 2870 1480 1720 2120 非常好 石墨 非常好 石墨 —

碲化钨

(WTe2)

 9.43 — — — 不适合 — 非常好 石英 —

三氧化钨

(WO3)

 7.16 1473 — — 980 非常好 钨 非常好 钨 使用前缓慢加热除气。与钨接触会降低其化学价

铀

(U)

 19.05 1135 1132 1327 1582 较好 — 非常好 钼，钨 薄膜易氧化

碳化铀

(UC2)

 11.28 2260 — — 2100 不适合 — 非常好 石墨 易分解

三氧化二铀

(U2O3)

 8.3 1300 — — — 不适合 — 非常好 钨 在摄氏1300℃分解为UO2

二氧化铀

(UO2)

 10.9 2176 — — — 不适合 — 非常好 钨 钽会导致样品分解

氟化铀

(UF4)

 — ~1000 — — 300 不适合 — 非常好 镍 —

磷化铀

(UP2)

 8.57 — — — 1200 不适合 — 非常好 钽 易分解

钒

(V)

 5.8 1890 1162 1332 1547 非常好 钨 非常好 钨，钼 会浸润钼。建议使用E-beam加热

镱

(Yb)

 6.57 819 520 590 690 非常好 钽 非常好 钽 —

氟化镱

(YbF3)

 8.17 1157 — — ~800 非常好 钽， 钼 非常好 钼 n=1.57

钇

(Y)

 4.47 1526 830 973 1157 非常好 钨 非常好 钨，钽；Al2O3 与钽互溶

YAG

(Y3Al5O12)

 — 1990 — — — 较好 — 非常好 钨 —

氟化钇

(YF3)

 4.01 1387 — — — 非常好 钽， 钼 不适合 — 易失氧。但能形成高质量薄膜，n=1.79

氧化钇

(Y2O3)

 5.01 2410 — — ~2000 非常好 石墨，钨 非常好 钨；石墨 失去氧气。薄膜光滑清晰

锌

(Zn)

 7.14 420 127 177 250 非常好 石墨，钨 非常好 钼，钨，钽；Al2O3，石英 在较宽范围条件下蒸发效果好。

溴化锌

(ZnBr2)

 4.22 394 — — ~300 不适合 — 非常好 钨；石墨 易分解

氟化锌

(ZnF2)

 4.84 872 — — ~800 不适合 — 非常好 钽；石英 —

氮化锌

(Zn3N2)

 6.22 — — — — 不适合 — 非常好 钼 易分解

硒化锌

(ZnSe)

 5.42 1100 — — 660 非常好 钽， 钼 非常好 钽，钨，钼；石英 生长前缓慢加热除气，n=2.6

硫化锌

(ZnS)

 4.09 1830 — — ~800 非常好 钽， 钼 非常好 钽，钼 生长前缓慢加热除气，n=2.3

碲化锌

(ZnTe)

 6.34 1238 — — ~600 不适合 — 非常好 钼，钽 生长前缓慢加热除气，n=2.85

锆

(Zr)

 6.51 1855 1477 1702 1987 极好 — 非常好 钨 与钨形成合金。薄膜易氧化

氧化锆

(ZrO2)

 5.85 2700 — — — 非常好 石墨，钨 非常好 钨 薄膜有氧缺陷，但杂质很少，n=2.05

硒化硅

(SiSe)

 — — — — 550 — — 非常好 石英 —

铝

(Al)

 2.7 660 677 821 1010 非常好 金属间化合物 非常好 钨，PBN 易与金属坩埚形成合金和浸润坩埚。钨舟快速蒸发或者使用BN坩埚。

氧化铝

(Al2O3)

 3.97 2045 — — 1550 非常好 钨 非常好 钨 电子束蒸发可形成光滑，坚硬的蓝宝石膜。n=1.66。

碳化钼

(Mo2C)

 9.18 2687 — — — 一般 — 不适合 — —

氧化镥

(Lu2O3)

 9.41 2489 — — 1400 不适合 — 非常好 铱 样品易分解

氧化钆

(Gd2O3)

 7.41 2310 — — — 非常好 — 非常好 铱 —
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