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产品性质参数

高纯材料

High purity materials

常用蒸发参数(仅供参考，以实际为准，不具法律效力)
常用溅射参数(仅供参考，以实际为准，不具法律效力)
高纯材料名录

单晶

Single crystals

Li
C
Na
Mg
Al
Si
K
Ca
Ti
V
Cr
Mn
Fe
Co
Ni
Cu
Zn
Ga
Ge
Sr
Y
Zr
Nb
Mo
Ru
Pd
Ag
Cd
In
Sn
Sb
Ba
W
Ir
Pt
Au
Pb
Bi
La
Ce
Nd
Gd
Tb
Dy
Ho

二维材料

2D Materials

二维材料 —— 半导体
二维材料 —— 金属
二维材料 —— 半金属
二维材料 —— 超导体
二维材料 —— 绝缘体
二维材料 —— 铁磁性绝缘体
二维材料 —— 外尔半金属
二维材料 —— 其他

加工定制

Custom manufacturing

高精度硅基掩膜板
不锈钢掩膜板
蓝宝石掩膜板
定制零件
坩埚

常用耗材

Consumables

耗材

仪器设备

Instruments&equipments

电子束蒸发源
Kcell 热蒸发源
高精度硅基掩膜板对准系统
转移系统
红外测温仪

高纯材料

常用蒸发参数(仅供参考，以实际为准，不具法律效力)

名称 密度(g/cm3) 熔点(°C) 饱和蒸汽压(Torr)对应温度(℃) 推荐蒸发方式 备注
电子束蒸发 热蒸发
10-8 10-6 10-4 Y or N 器具材料 Y or N 器具材料
名称 密度(g/cm3) 熔点(°C) 饱和蒸汽压(Torr)对应温度(℃) 推荐蒸发方式 备注
电子束蒸发 热蒸发
10-8 10-6 10-4 Y or N 器具材料 Y or N 器具材料

溴化铝

(AlBr3)

 3.01 97 — — ~50 不适合 — 非常好 钼； 石墨 —

氟化铝

(AlF3)

 3.07 1290 410 490 700 非常好 石墨 非常好 钼，钨，钽； 石墨 易升华

锑

(Sb)

 6.7 630 279 345 425 较差 — 非常好 钼，钽 ； P-BN，石墨，Al2O3 有毒，蒸发性能良好，薄膜的结构和蒸发速率相关。

三氧化二锑

(Sb2O3)

 5.2/5.76 656 — — ~300 较好 — 非常好 BN，Al2O3 有毒，在W中分解。n=2.05。

三硒化锑

(Sb2Se3)

 — 611 — — — 不适合 — 非常好 钽；石墨 具有多种化学计量比。

三硫化锑

(Sb2S3)

 4.64 550 — — ~200 非常好 钼， 钽 非常好 钼，钽； Al2O3 不分解。

砷

(As)

 5.73 817 107 150 210 非常好 — 非常好 石墨； Al2O3 在低温条件下迅速升华。

三硒化二砷

(As2Se3)

 4.75 360 — — — 不适合 — 非常好 Al2O3， 石英 不溶于水

三硫化二砷

(As2S3)

 3.43 300 — — ~400 一般 — 非常好 钼 Al2O3，石英 剧毒

三碲化二砷

(As2Te3)

 — 362 — — — 不适合 — 非常好 石墨 —

钡

(Ba)

 3.78 727 545 627 735 一般 — 非常好 钨，钽，钼 与陶瓷反应。

氯化钡

(BaCl2)

 3.86 962 — — ~650 不适合 — 非常好 钽，钼 缓慢预热除气。

氟化钡

(BaF2)

 4.83 1280 — — ~700 非常好 钼 非常好 钼 —

氧化钡

(BaO)

 5.72/5.32 1923 — — ~1300 较差 — 非常好 Al2O3 轻微分解

硫化钡

(BaS)

 4.25 2200 — — 1100 不适合 — 非常好 钼 遇水分解成氢氧化钡和硫化氢，具有腐蚀性。

铍

(Be)

 1.85 1287 710 878 1000 非常好 石墨 非常好 钨，钽，石墨 浸润W/Mo/Ta. 容易蒸发。

氧化铍

(BeO)

 3.01 2530 — — 1900 较好 — 非常好 钨 粉末有剧毒，电子束枪轰击不分解。

铋

(Bi)

 9.78 271 330 410 520 非常好 石墨 非常好 钨，钼，钽，Al2O3 高电阻率，低熔点的材料不适合溅射。

氟化铋

(BiF3)

 8.75 727 — — ~300 不适合 — 非常好 石墨 —

硒化铋

(Bi2Se3)

 6.82 710 — — ~650 较好 — 非常好 石墨，石英 通过两种源材料共蒸发或者磁控溅射获得薄膜。

碲化铋

(Bi2Te3)

 7.86 585 — — ~600 不适合 — 非常好 钨，钼； 石墨，石英 通过两种源材料共蒸发或者磁控溅射获得薄膜。

硼

(B)

 2.34 2300 1278 1548 1797 非常好 石墨 非常好 石墨 快速冷却会产生爆炸，在容器中形成碳化物，高温导电。

碳化硼

(B4C)

 2.5 2350 2500 2580 2650 非常好 石墨 不适合 — 超过800℃易氧化，高温下与过渡族金属反应

氧化硼

(B2O3)

 1.82 460 — — ~1400 非常好 钼 非常好 钼 —

三硫化硼

(B2S3)

 1.55 310 — — 800 不适合 — 非常好 石墨 易潮解，加热变成黏糊状。

镉

(Cd)

 8.64 321 64 120 180 较差 — 非常好 钨，钼，钽，Al2O3，石英 附着系数低，对真空系统有害。

砷化镉

(Cd3As2)

 6.21 721 — — — 不适合 — 非常好 石英 剧毒，不溶于水

硒化镉

(CdSe)

 5.81 1264 — — 540 非常好 钼， 钽 非常好 钼，钽； Al2O3 ，石英 容易蒸发。

硫化镉

(CdS)

 4.83 1750 — — 550 一般 — 非常好 钨，钼，钽，Al2O3， 石英 黏附系数依赖于衬底温度，980℃分解。

碲化镉

(CdTe)

 6.2 1098 — — 450 不适合 — 非常好 钨，钼，钽 化学计量学取决于衬底温度。n = 2.6。

钙

(Ca)

 1.55 842 272 357 459 较差 — 非常好 钨，钼，钽，Al2O3 在空气中会氧化和氮化，遇水反应。

氟化钙

(CaF2)

 3.18 1402 — — ~1100 不适合 — 非常好 钨，Al2O3， 石英 缓慢预热除气，需控制升温速率。

氧化钙

(CaO)

 3.35 2614 — — ~1700 不适合 — 非常好 钨，钼； ZrO2 与W / Mo形成挥发性氧化物。

硫化钙

(CaS)

 2.59 2525 — — 1100 不适合 — 非常好 钼 遇水分解。易升华

钨酸钙

(CaWO4)

 6.06 1580 — — — 较好 — 非常好 钨 微溶于水。

碳(金刚石)

(C)

 1.8—2.2 ~3550 1657 1867 2137 非常好 石墨 不适合 — 优选电子束蒸发，薄膜附着力较差。

铈

(Ce)

 6.69 798 970 1150 1380 较好 — 非常好 钨，钽，Al2O3 薄膜极易氧化。

二氧化铈

(CeO2)

 7.13 2600 1890 2000 2310 非常好 钽， 石墨 非常好 钨 建议衬底温度250-300℃，与钨有轻微反应。

氟化铈

(CeF3)

 6.16 1640 — — ~900 非常好 钨， 钽， 钼 非常好 钨，钼，钽 缓慢预热除气。n=1.7。

氧化铈

(Ce2O3)

 6.87 1692 — — — 一般 — 非常好 钨 与坩埚有一定的合金化，有刺激性。

铯

(Cs)

 1.88 28 16 22 30 不适合 — 非常好 石英 易氧化，遇水爆炸。真空系统中一般用碱金属释放剂。

溴化铯

(CsBr)

 4.44 636 — — ~400 不适合 — 非常好 钨 易潮解，>900℃会挥发。

氯化铯

(CsCl)

 3.97 646 — — ~500 不适合 — 非常好 钨 易潮解。

氟化铯

(CsF)

 3.59 684 — — ~500 不适合 — 非常好 钨 易潮解。

氢氧化铯

(CsOH)

 3.67 272 — — ~550 不适合 — 不适合 — 易溶于水，有强腐蚀性。

碘化铯

(CsI)

 4.51 621 — — ~500 不适合 — 非常好 钨，石英 极易溶于水，有毒，对光敏感。

锥冰晶石

(Na5Al3F14)

 2.9 — — — ~800 不适合 — 非常好 钼，钨 负光性。

铬

(Cr)

 7.19 1857 837 977 1157 非常好 石墨， 钨 非常好 钨，石墨 薄膜附着力高，可快速生长。

碳化铬

(Cr3C2)

 6.68 1890 — — ~2000 一般 — 非常好 钨 —

氯化铬

(CrCl2)

 2.75 824 — — 550 不适合 — 非常好 铁 易升华

氧化铬

(Cr2O3)

 5.21 2435 — — ~2000 较好 — 非常好 钨，钼 易分解成低化合价氧化物，可以在空气中加热至600摄氏度以上还原

一氧化铬硅

(Cr-SiO)

 — — — — — 较好 — 非常好 钨 快速蒸发。

钴

(Co)

 8.9 1495 850 990 1200 非常好 直接在炉 非常好 W，Nb 舟； W 框； Al2O3 坩埚 与钨，钽，钼形成合金。

铜

(Cu)

 8.92 1083 727 857 1017 非常好 石墨， 钼 非常好 Mo 舟； W 丝； W 框； Al2O3，Mo，T 坩埚 与衬底附着力较差，建议采用过渡层。

氧化亚铜

(Cu2O)

 6 1235 — — ~600 非常好 石墨，钽 非常好 Ta 舟； Al2O3 坩埚 易挥发

六氟铝酸钠(冰晶石)

(Na3AlF6)

 2.9 1000 1020 1260 1480 非常好 钨 非常好 钨，钼，钽；石墨 会发生少量分解，不建议快速生长

镝

(Dy)

 8.55 1412 625 750 900 非常好 直接在炉 非常好 钽 —

氟化镝

(DyF3)

 6 1360 — — ~800 较好 — 非常好 钽 易挥发

铒

(Er)

 9.07 1497 650 775 930 非常好 钨， 钽 非常好 钨，钽 易挥发

氟化铒

(ErF3)

 7.81 1350 — — ~750 不适合 — 非常好 钼 —

铕

(Eu)

 5.24 822 280 360 480 一般 — 非常好 钨，钽； Al2O3 在钽中少量溶解

氟化铕

(EuF2)

 6.5 1380 — — ~950 不适合 — 非常好 钼 —

氧化铕

(Eu2O3)

 7.42 2056 — — ~1600 较好 — 非常好 钨，钽； ThO2 易失氧，但易于形成高质量薄膜

钆

(Gd)

 7.9 1313 760 900 1175 非常好 直接在炉 非常好 钽； Al2O3 高钽溶解度

镓

(Ga)

 5.9 30 619 742 907 非常好 — 非常好 Al2O3，石英 与难溶金属形成合金

锑化镓

(GaSb)

 5.61 706 — — — 一般 — 非常好 钨，钽 建议采用热蒸发源，并快速加热

砷化镓

(GaAs)

 5.3 1238 — — — 非常好 石墨 非常好 钨，钽； 石墨 建议采用热蒸发源，并快速加热

氧化镓（β）

(Ga2O3)

 5.88 1900 — — — 不适合 — 非常好 W 舟 易失氧

磷化镓

(GaP)

 4.13 1480 — 770 920 不适合 — 非常好 钨，钽；石英 易分解

锗

(Ge)

 5.32 938 812 957 1167 非常好 石墨 非常好 钨，石墨，钽； Al2O3，石英 建议使用E-beam加热

氧化锗

(GeO2)

 6.24 1086 — — ~625 非常好 钽，钼 非常好 钽，钼； Al2O3，石英 易失氧形成GeO薄膜

碲化锗

(GeTe)

 6.2 725 — — 381 不适合 — 非常好 钨，钼； Al2O3，石英 —

金

(Au)

 19.3 1064 807 947 1132 非常好 钨 非常好 钨，钼； Al2O3，BN 薄膜较软，附着力不好。

氧化铪

(HfO2)

 9.68 2810 — — ~2500 非常好 直接在炉 不适合 — 易形成HfO薄膜

钬

(Ho)

 8.8 1474 650 770 950 较好 — 非常好 钨，钽 —

氟化钬

(HoF3)

 7.64 1143 — — ~800 不适合 — 非常好 石英 —

铬镍铁合金

(Ni/Cr/Fe)

 8.5 1425 — — — 非常好 钨 非常好 钨 低速生长更易获得高质量薄膜

铟

(In)

 7.3 157 487 597 742 非常好 石墨，钼 非常好 钨，钼，Al2O3， 石墨 浸润钨和铜。建议使用电子束加热，并使用钼内衬

锑化铟

(InSb)

 5.8 535 500 — ~400 不适合 — 非常好 W 舟 优选溅射，或者从两种源材料中共蒸发。

砷化铟

(InAs)

 5.7 943 780 870 970 不适合 — 非常好 钨 —

氧化铟

(In2O3)

 7.18 1910 — — ~1200 较好 — 非常好 钨，铂；Al2O3 易形成In2O薄膜

磷化铟

(InP)

 4.8 1070 — 630 730 不适合 — 非常好 钨，钽；石墨 建议在富磷环境下生长，并快速升温

硫化铟

(In2S3)

 4.9 1050 — — 850 不适合 — 非常好 石墨 易失S形成In2S薄膜

硫化亚铟

(In2S)

 5.87 653 — — 650 不适合 — 非常好 石墨 —

氧化铟-氧化锡

(In2O3-SnO2)

 6.43—7.14 1800 — — — 非常好 石墨 不适合 — —

铁

(Fe)

 7.87 1538 858 998 1180 非常好 — 非常好 钨；Al2O3 会腐蚀钨。建议生长前轻微加热除气

溴化铁

(FeBr2)

 4.64 689 — — 561 不适合 — 非常好 Fe 坩埚 生长前建议除气

氯化铁

(FeCl2)

 2.98 670 — — 300 不适合 — 非常好 Fe 坩埚 生长前建议除气

碘化铁

(FeI2)

 5.31 592 — — 400 不适合 — 非常好 Fe 坩埚 生长前建议除气

氧化铁

(Fe2O3)

 5.24 1565 — — — 较好 — 非常好 钨 在1530°C时会畸变为Fe3O4。

硫化铁

(FeS)

 4.84 1195 — — — 不适合 — 非常好 Al2O3 易分解

铬铝铁

(FeCrAl)

 7.1 1500 — — ~1150 不适合 — 非常好 钨 —

镧

(La)

 6.15 919 990 1212 1388 非常好 钨， 钽 非常好 钨，钽；Al2O3 薄膜会在空气中燃烧

溴化镧

(LaBr3)

 5.06 783 — — — 不适合 — 非常好 钽 置于空气中易吸水

氟化镧

(LaF3)

 6 1490 — — 900 非常好 钽， 钼 非常好 钽 不易分解，n=1.59

氧化镧

(La2O3)

 6.51 2315 — — 1400 非常好 石墨，钨 非常好 钨，钽 容易失去氧原子。 n=1.73

铅

(Pb)

 11.34 328 342 427 497 非常好 — 非常好 钨，钼；Al2O3，石英 有毒性。薄膜超导性与生长速率密切相关

氯化铅

(PbCl2)

 5.85 501 — — ~325 不适合 — 非常好 Al2O3 轻微分解。

氟化铅

(PbF2)

 8.44 822 — — ~400 不适合 — 非常好 钨，钼；BeO 有毒性

碘化铅

(PbI2)

 6.16 502 — — ~500 不适合 — 非常好 石英 n=2.7

氧化铅

(PbO)

 9.53 888 — — ~550 不适合 — 非常好 Al2O3，石英 不易分解，n=2.6。

锡酸铅

(PbSnO3)

 8.1 1115 670 780 905 较差 — 非常好 Al2O3 样品有微弱分解，导致元素组分比变化

硒化铅

(PbSe)

 8.1 1078 — — ~500 不适合 — 非常好 钨，钼；Al2O3， 石墨 —

硫化铅

(PbS)

 7.5 1114 — — ~500 不适合 — 非常好 钨，钼；Al2O3， 石英 轻微分解。

碲化铅

(PbTe)

 8.16 905 780 910 1050 不适合 — 非常好 钼，铂，钽；Al2O3， 石墨 样品蒸汽有毒。建议在富Te环境下生长，并用E-beam方式加热

钛酸铅

(PbTiO3)

 7.52 — — — — 不适合 — 非常好 钽 —

锂

(Li)

 0.54 181 227 307 407 非常好 钽 非常好 钽；Al2O3 活泼金属，在空气中发生剧烈反应

溴化锂

(LiBr)

 3.46 547 — — ~500 不适合 — 非常好 镍 n=1.78

氯化锂

(LiCl)

 2.07 613 — — 400 不适合 — 非常好 镍 缓慢预热除气。.

氟化锂

(LiF)

 2.64 845 875 1020 1180 非常好 钽， 钨， 钼 非常好 镍，钽，钨，钼；Al2O3 生长速率对于成膜质量至关重要。生长前建议缓慢除气

碘化锂

(LiI)

 4.06 446 — — 400 不适合 — 非常好 钼，钨 —

镥

(Lu)

 9.84 1663 — — 1300 非常好 直接作为原料加热 非常好 钽；Al2O3 —

镁

(Mg)

 1.74 650 185 247 327 非常好 石墨，钽 非常好 钨，钼，钽，石墨；Al2O3 可以快速生长；易燃

溴化镁

(MgBr2)

 3.72 700 — — ~450 不适合 — 非常好 镍 易分解

氯化镁

(MgCl2)

 2.32 708 — — 400 不适合 — 非常好 镍 易分解，n=1.6

氟化镁

(MgF2)

 3.15 1266 — — 1000 非常好 石墨， 钼 非常好 钼，钽；Al2O3 生长速率和衬底温度对于成膜质量至关重要；能够与W/Mo反应。

氧化镁

(MgO)

 3.58 2852 — — 1300 非常好 石墨 非常好 Al2O3，石墨 建议在1e-3 Torr的氧气环境下生长；易与钨形成挥发性氧化物；n=1.7

锰

(Mn)

 7.47 1246 507 572 647 非常好 钨 非常好 钨，钽，钼；Al2O3 —

氧化锰

(MnO2)

 5.02 535 — — — 不适合 — 非常好 钨 在 535℃时失氧

硫化锰

(MnS)

 3.99 1615 — — 1300 不适合 — 非常好 钼 易分解，n=2.7

硫化汞

(HgS)

 8.1 — — — 250 不适合 — 非常好 Al2O3 易分解

钼

(Mo)

 10.28 2623 1592 1822 2117 非常好 石墨 不适合 — 薄膜光滑且坚硬。需要缓慢除气。

硅化钼

(MoSi2)

 6.24 2030 — — ~50 不适合 — 非常好 钨 易分解

三氧化钼

(MoO3)

 4.7 795 — — ~900 不适合 — 非常好 钼；Al2O3，BN 生长时少量失氧

钕

(Nd)

 7.01 1021 731 871 1062 非常好 钽 非常好 钽；Al2O3 与钽/钨轻微互溶

氟化钕

(NdF3)

 6.5 1410 — — ~900 非常好 钨， 钼 非常好 钼，钨；Al2O3 轻微分解，n=1.61

氧化钕

(Nd2O3)

 7.24 2272 — — ~1400 非常好 钽， 钨 非常好 钽，钨；ThO2 易失氧。能够形成高质量薄膜，建议使用E-beam加热

镍铬合金Ⅳ

(Ni/Cr)

 8.5 1395 847 987 1217 非常好 — 非常好 钨，钽；Al2O3 与W/Ta/Mo形成合金。

镍

(Ni)

 8.91 1455 927 1072 1262 非常好 — 非常好 钨；Al2O3 与W/Ta/Mo形成合金。 薄膜附着力好且表面光滑。

氧化镍

(NiO)

 6.84 1984 — — ~1470 不适合 — 非常好 Al2O3 加热时会分解，n=2.18

铌

(Nb)

 8.57 2477 1728 1977 2287 非常好 — 不适合 — 会腐蚀钨

三氧化二铌

(Nb2O3)

 7.5 1780 — — — 不适合 — 非常好 钨 n=2.3

五氧化二铌

(Nb2O5)

 4.47 1485 — — — 不适合 — 非常好 钨 可能失氧导致组分变化

钯

(Pd)

 12.02 1555 842 992 1192 非常好 石墨，钨 非常好 钨；Al2O3 与难溶金属形成合金。建议采用E-beam方法，并快速生长

氧化钯

(PdO)

 8.31 870 — — 575 不适合 — 非常好 Al2O3 易分解

白磷

(P)

 1.82 44.1 327 361 402 不适合 — 非常好 Al2O3 样品在空气中剧烈反应

铂

(Pt)

 21.45 1768 1292 1492 1747 非常好 石墨 非常好 钨；石墨 易与金属形成合金，附着力差。

钚

(Pu)

 19.84 640 — — — 不适合 — 非常好 钨 有毒，有放射性

钋

(Po)

 9.2 254 117 170 244 不适合 — 非常好 石英 有放射性

钾

(K)

 0.86 63.4 23 60 125 不适合 — 非常好 钼；石英 样品在空气中剧烈反应。生长前建议缓慢除气

溴化钾

(KBr)

 2.75 734 — — ~450 不适合 — 非常好 钽，钼；石英 生长前建议缓慢除气，n=1.56

氯化钾

(KCl)

 1.98 776 — — 510 非常好 钽 非常好 钽，镍 生长前建议缓慢除气，n=1.49

氟化钾

(KF)

 2.48 880 — — ~500 不适合 — 非常好 石英 生长前建议缓慢除气，n=1.35

碘化钾

(KI)

 3.13 72 — — ~500 不适合 — 非常好 钽 生长前建议缓慢除气，n=1.68

镨

(Pr)

 6.64 931 800 950 1150 较好 — 非常好 钽 —

氧化镨

(Pr2O3)

 6.88 2125 — — 1400 较好 — 非常好 ThO2 易失氧，n=2.0

铑

(Rh)

 12.45 1964 1277 1472 1707 非常好 钨 非常好 钨；ThO2，石墨 建议使用E-beam加热

铷

(Rb)

 1.53 39.3 -3 37 111 不适合 — 非常好 石英 —

氯化铷

(RbCl)

 2.76 715 — — ~550 不适合 — 非常好 石英坩埚 n=1.49

碘化铷

(RbI)

 3.55 642 — — ~400 不适合 — 非常好 石英 —

钐

(Sm)

 7.35 1072 373 460 573 较好 非常好 钽；Al2O3 —

氧化钐

(Sm2O3)

 7.43 2350 — — — 较好 — 非常好 ThO2 易失氧，但能形成高质量薄膜

钪

(Sc)

 2.99 1541 714 837 1002 非常好 钨， 钼 非常好 钨；Al2O3 与钽形成合金

硒

(Se)

 4.82 221 89 125 170 非常好 钨，钼 非常好 钨，钼；Al2O3 不利于形成超高真空；样品有毒性

硅

(Si)

 2.33 1414 992 1147 1337 非常好 钽 不适合 — 与钨形成合金。且易形成SiO

二氧化硅

(SiO2)

 2.2 1650 — — ~1025 非常好 石墨，钽 非常好 Al2O3 建议使用E-beam加热

一氧化硅

(SiO)

 2.1 1702 — — 850 非常好 钨， 钽 非常好 钨，钽 建议低速生长，n=1.6

硒化硅

(SiSe)

 — — — — 550 不适合 — 非常好 石英 —

硫化硅

(SiS)

 1.85 — — — 450 不适合 — 非常好 石英 —

碲化硅

(SiTe2)

 4.39 — — — 550 不适合 — 非常好 石英 —

银

(Ag)

 10.49 962 847 958 1105 非常好 钨， 钼， 钽 非常好 钨；钽，钼； Al2O3 —

溴化银

(AgBr)

 6.47 432 — — ~380 不适合 — 非常好 钽；石英 n=2.25

氯化银

(AgCl)

 5.56 455 — — ~520 不适合 — 非常好 钼；石英 n=2.07

碘化银

(AgI)

 5.67 558 — — ~500 不适合 — 非常好 钽 n=2.21

钠

(Na)

 0.97 98 74 124 192 不适合 — 非常好 钽；石英 样品在空气中剧烈反应。生长前建议缓慢除气

溴化钠

(NaBr)

 3.2 755 — — ~400 不适合 — 非常好 石英 生长前建议缓慢除气，n=1.64

氯化钠

(NaCl)

 2.16 801 — — 530 较好 — 非常好 钽，钨，钼；石英 轻微分解。生长前建议缓慢除气，n=1.54

氟化钠

(NaF)

 2.79 988 — — ~700 非常好 钨 非常好 钽，钨，钼；BeO 样品不分解。生长前建议缓慢除气

锶

(Sr)

 2.63 777 239 309 403 较差 — 非常好 钽，钨，钼； 石墨 会浸润金属，但是不与W/Ta/Mo形成合金。在空气中可能会氧化

氟化锶

(SrF2)

 4.24 1473 — — ~1000 不适合 — 非常好 Al2O3 n=1.44

氧化锶

(SrO)

 4.7 2430 — — 1500 不适合 — 非常好 Al2O3 与钨、钼发生反应。

硫化锶

(SrS)

 3.7 >2000 — — — 不适合 — 非常好 Mo 舟 易分解，n=2.11

硫

(S)

 1.96 115 13 19 57 较差 — 非常好 钨；石英 不利于形成超高真空

钽

(Ta)

 16.65 2996 1960 2240 2590 非常好 石墨 不适合 — 易形成高质量薄膜。

五氧化二钽

(Ta2O5)

 8.74 1800 1550 1780 1920 非常好 钽 非常好 钽；钨 丝；钨；石墨 轻微分解。建议在10-3 Torr氧气氛围里用热蒸发源生长

碲

(Te)

 6.24 450 157 207 277 非常好 — 非常好 钨，钽；Al2O3，石英 有毒性。浸润金属但不生成合金

铽

(Tb)

 8.22 1356 800 950 1150 非常好 石墨，钽 非常好 钽；Al2O3 —

七氧化四铽

(Tb4O7)

 — — — — — 不适合 — 非常好 钽 易形成TbO薄膜

铊

(Tl)

 11.85 304 280 360 470 较差 — 非常好 钨，钽；Al2O3，石英 易浸润坩埚。剧毒

溴化铊

(TlBr)

 7.56 480 — — ~250 不适合 — 非常好 钽；石英 有毒，n=2.3

氯化铊

(TlCl)

 7 430 — — ~150 不适合 — 非常好 钽；石英 有毒，n=2.25

碘化铊

(TlI)

 7.09 440 — — ~250 不适合 — 非常好 石英 有毒，n=2.78

钍

(Th)

 11.72 1750 1430 1660 1925 非常好 钼， 钽，钨 非常好 钨，钽，钼 有毒性，有放射性

溴化钍

(ThBr4)

 5.67 — — — — 不适合 — 非常好 钼 有毒，n=2.47

碳化钍

(ThC2)

 8.96 2773 — — ~2300 不适合 — 非常好 石墨 有放射性

二氧化钍

(ThO2)

 10.03 3350 — — ~2100 非常好 钨 不适合 — 有放射性，n=1.86

氟化钍

(ThF4)

 6.3 1110 — — ~750 一般 — 非常好 钼；钨；Vit石墨 有放射性。建议生长时衬底温度高于150摄氏度，n=1.52

氧氟化钍

(ThOF2)

 9.1 900 — — — 不适合 — 非常好 钼，钽 —

铥

(Tm)

 9.32 1545 461 554 680 较好 — 非常好 钽；Al2O3 —

氧化铥

(Tm2O3)

 8.9 — — — 1500 不适合 — 不适合 — 易分解

锡

(Sn)

 7.28 232 682 807 997 非常好 钽 非常好 钼；钨；Al2O3 浸润钼。建议使用E-beam加热，并用钽作为内衬

氧化锡

(SnO2)

 6.95 1630 — — ~1000 极好 — 非常好 钨；Al2O3，石英 生长薄膜易有氧空位，建议在氧气氛围中生长

硒化锡

(SnSe)

 6.18 861 — — ~400 较好 — 非常好 石英 —

硫化锡

(SnS)

 5.08 882 — — ~450 不适合 — 非常好 石英 —

碲化锡

(SnTe)

 6.48 790 — — ~450 不适合 — 非常好 石英 —

钛

(Ti)

 4.51 1668 1067 1235 1453 非常好 — 非常好 钨；TiC 与难溶金属形成合金。初次加热会大量放气

硼化钛

(TiB2)

 4.5 3230 — — — 较差 — 非常好 Al2O3，钼，钽，钨 —

二氧化钛(金红石)

(TiO2)

 4.29 1843 — — ~1300 非常好 钽 非常好 钨，钼 建议在1e-4 Torr氧气氛围中生长，且衬底温度大于350℃

一氧化钛

(TiO)

 4.95 1700 — — ~1500 非常好 钽 非常好 钨，钼 使用前缓慢加热除气。可能形成TiO2薄膜

三氧化二钛

(Ti2O3)

 4.6 2130 — — — 非常好 钽 非常好 钨 易分解

钨

(W)

 19.25 3422 2117 2407 2757 非常好 直接作为原料加热 不适合 — 易形成氧化物薄膜

碳化钨

(WC)

 15.63 2870 1480 1720 2120 非常好 石墨 非常好 石墨 —

碲化钨

(WTe2)

 9.43 — — — 不适合 — 非常好 石英 —

三氧化钨

(WO3)

 7.16 1473 — — 980 非常好 钨 非常好 钨 使用前缓慢加热除气。与钨接触会降低其化学价

铀

(U)

 19.05 1135 1132 1327 1582 较好 — 非常好 钼，钨 薄膜易氧化

碳化铀

(UC2)

 11.28 2260 — — 2100 不适合 — 非常好 石墨 易分解

三氧化二铀

(U2O3)

 8.3 1300 — — — 不适合 — 非常好 钨 在摄氏1300℃分解为UO2

二氧化铀

(UO2)

 10.9 2176 — — — 不适合 — 非常好 钨 钽会导致样品分解

氟化铀

(UF4)

 — ~1000 — — 300 不适合 — 非常好 镍 —

磷化铀

(UP2)

 8.57 — — — 1200 不适合 — 非常好 钽 易分解

钒

(V)

 5.8 1890 1162 1332 1547 非常好 钨 非常好 钨，钼 会浸润钼。建议使用E-beam加热

镱

(Yb)

 6.57 819 520 590 690 非常好 钽 非常好 钽 —

氟化镱

(YbF3)

 8.17 1157 — — ~800 非常好 钽， 钼 非常好 钼 n=1.57

钇

(Y)

 4.47 1526 830 973 1157 非常好 钨 非常好 钨，钽；Al2O3 与钽互溶

YAG

(Y3Al5O12)

 — 1990 — — — 较好 — 非常好 钨 —

氟化钇

(YF3)

 4.01 1387 — — — 非常好 钽， 钼 不适合 — 易失氧。但能形成高质量薄膜，n=1.79

氧化钇

(Y2O3)

 5.01 2410 — — ~2000 非常好 石墨，钨 非常好 钨；石墨 失去氧气。薄膜光滑清晰

锌

(Zn)

 7.14 420 127 177 250 非常好 石墨，钨 非常好 钼，钨，钽；Al2O3，石英 在较宽范围条件下蒸发效果好。

溴化锌

(ZnBr2)

 4.22 394 — — ~300 不适合 — 非常好 钨；石墨 易分解

氟化锌

(ZnF2)

 4.84 872 — — ~800 不适合 — 非常好 钽；石英 —

氮化锌

(Zn3N2)

 6.22 — — — — 不适合 — 非常好 钼 易分解

硒化锌

(ZnSe)

 5.42 1100 — — 660 非常好 钽， 钼 非常好 钽，钨，钼；石英 生长前缓慢加热除气，n=2.6

硫化锌

(ZnS)

 4.09 1830 — — ~800 非常好 钽， 钼 非常好 钽，钼 生长前缓慢加热除气，n=2.3

碲化锌

(ZnTe)

 6.34 1238 — — ~600 不适合 — 非常好 钼，钽 生长前缓慢加热除气，n=2.85

锆

(Zr)

 6.51 1855 1477 1702 1987 极好 — 非常好 钨 与钨形成合金。薄膜易氧化

氧化锆

(ZrO2)

 5.85 2700 — — — 非常好 石墨，钨 非常好 钨 薄膜有氧缺陷，但杂质很少，n=2.05

硒化硅

(SiSe)

 — — — — 550 — — 非常好 石英 —

铝

(Al)

 2.7 660 677 821 1010 非常好 金属间化合物 非常好 钨，PBN 易与金属坩埚形成合金和浸润坩埚。钨舟快速蒸发或者使用BN坩埚。

氧化铝

(Al2O3)

 3.97 2045 — — 1550 非常好 钨 非常好 钨 电子束蒸发可形成光滑，坚硬的蓝宝石膜。n=1.66。

碳化钼

(Mo2C)

 9.18 2687 — — — 一般 — 不适合 — —

氧化镥

(Lu2O3)

 9.41 2489 — — 1400 不适合 — 非常好 铱 样品易分解

氧化钆

(Gd2O3)

 7.41 2310 — — — 非常好 — 非常好 铱 —
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