高纯材料
High purity materials
单晶
Single crystals
二维材料
2D Materials
加工定制
Custom manufacturing
常用耗材
Consumables
仪器设备
Instruments&equipments
高纯材料
常用溅射参数(仅供参考,以实际为准,不具法律效力)
名称 | 纯度(%) | 密度(g/cm3) | 熔点(°C) | 热导率 | 热膨胀系数 | 莫氏硬度(Mohs) | 溅射电源 | bonding类型 | 备注 |
名称 | 纯度(%) | 密度(g/cm3) | 熔点(°C) | 热导率 | 热膨胀系数 | 莫氏硬度(Mohs) | 溅射电源 | bonding类型 | 备注 |
铝 (Al) |
99.999 | 2.7 | 660 | 235 W/m.K | 23.1×10^(-6)/K | 2.75 | 直流 | 铟,导电胶 | — |
氮化铝 (AlN) |
99.9 | 3.26 | >2200 | — | 4. 84×10^(-6)/K | 9 | 射频-R | 导电胶 | 分解,在10^(-3) N2中用辉光放电进行反应蒸发。 |
氧化铝 (Al2O3) |
99.999 | 3.97 | 2072 | — | — | 8.8 | 射频-R | 铟,导电胶 | 蓝宝石在电子束中形成光滑的硬膜。热蒸发可能性很小。 |
银 (Ag) |
99.9/99.99/99.999 | 10.49 | 962 | 430 W/m.K | 18.9×10^(-6)/K | 2.5 | 直流 | 铟,导电胶 | — |
锑 (Sb) |
99.99 | 6.7 | 630 | 24 W/m.K | 11×10^(-6)/K | 3 | 射频, 直流 | 铟,导电胶 | 蒸发良好。 |
碲化锑 (Sb2Te3) |
99.999 | 6.5 | 629 | — | — | — | 射频 | 铟,导电胶 | 在750℃时分解 |
铕镉锑 (EuCd2Sb2) |
99.9 | — | — | — | — | — | — | — | — |
钡 (Ba) |
99.5 | 3.51 | 727 | 18 W/m.K | 20.6×10^(-6)/K | 1.25 | 射频 | — | 与合金不浸润,非合金化与陶瓷反应。不推荐溅射。 |
氟化钡 (BaF2) |
99.9 | 4.89 | 1355 | — | — | 3 | 射频 | 铟,导电胶 | — |
钛酸钡 (BaTiO3) |
99.9/99.95 | 6.02 | 1625 | — | — | — | 射频 | 导电胶 | 提供Ba,共蒸发和溅射都可以。 |
锡酸钡 (BaSnO3) |
99.9 | 7.6 | 2060 | — | — | — | — | — | 适合采用磁控溅射 |
锆酸钡 (BaZrO3) |
99 | 5.52 | 2500 | — | — | — | — | — | — |
钛酸锶钡 (Sr0.5Ba0.5TiO3) |
99.9/99.95 | — | — | — | — | — | — | — | — |
钛酸钡65+铁酸镍35 (BaTiO3(65)+NiFe2O4(35)) |
99.5 | — | — | — | — | — | — | — | — |
铋 (Bi) |
99.99 | 9.78 | 271 | 8 W/m.K | 13.4×10^(-6)/K | 2.5 | 直流 | 导电胶 | 高电阻率,低熔点的材料不适合溅射。 |
三氧化二铋 (Bi2O3) |
99.99 | 8.55 | 860 | — | — | — | 射频, 射频-R | 铟,导电胶 | 高阻,低熔点金属,不适合采用磁控溅射 |
硒化铋 (Bi2Se3) |
99.999 | 6.82 | 710 | — | — | — | 射频 | 铟,导电胶 | 从两种源材料中共蒸发或者溅射。 |
碲化铋 (Bi2Te3) |
99.999 | 7.86 | 585 | — | — | — | 射频 | 铟,导电胶 | 建议二源共蒸或磁控 |
铁酸铋 (BiFeO3) |
99.9 | — | — | — | — | — | — | — | — |
硼 (B) |
99.5 | 2.34 | 2300 | 27 W/m.K | 6×10^(-6)/K | 9.3 | 射频 | 铟,导电胶 | 快速冷却会产生爆炸,在容器中形成碳化物。 |
碳化硼 (B4C) |
99.5 | 2.5 | 2350 | — | — | 9.3 | 射频 | 铟,导电胶 | 与Cr类似。 |
氮化硼 (BN) |
99.5 | 2.25 | ~3000 | — | — | 2 | 射频, 射频-R | 铟,导电胶 | 在溅射过程中会分解。 |
镉 (Cd) |
99.999 | 8.64 | 321 | 97 W/m.K | 30.8×10^(-6)/K | 2 | 直流, 射频 | 铟,导电胶 | 附着系数低,对真空系统有害。 |
硒化镉 (CdSe) |
99.995 | 5.81 | 1264 | — | — | — | 射频 | 铟,导电胶 | 磁控时会分解 |
硫化镉 (CdS) |
99.99 | 4.83 | 1750 | — | — | — | 射频 | 铟,导电胶 | 附着系数受衬底的影响。 |
碲化镉 (CdTe) |
99.999 | 6.2 | 1041 | — | — | — | 射频 | 铟,导电胶 | 化学计量学取决于衬底温度。n = 2.6。 |
钙 (Ca) |
99.5 | 1.55 | 842 | 201 W/m.K | 22.3×10^(-6)/K | 1.75 | — | — | 在空气中会出现腐蚀。 |
钛酸钙 (CaTiO3) |
99.9 | 4.1 | 1975 | — | — | — | 射频 | — | 除了溅射都会发生畸变。 |
碳 (C) |
99.999 | 2.25 | 3550 | 140 W/m.K | 7.1×10^(-6)/K | 0.5 | 直流 | 铟,导电胶 | 在空气中变质 |
铈 (Ce) |
99.9/99.95 | 6.69 | 798 | 11 W/m.K | 6.3×10^(-6)/K | 2.5 | 直流, 射频 | — | 建议采用磁控溅射 |
氟化铈 (CeF3) |
99.995 | 6.16 | 1640 | — | — | — | 射频 | 铟,导电胶 | 缓慢预热除气。n=1.7。 |
氧化铈 (CeO2) |
99.9/99.99 | 7.13 | 2600 | — | — | — | 射频, 射频-R | 铟,导电胶 | 极少量的分解。 |
铬 (Cr) |
99.95 | 7.19 | 1857 | 94 W/m.K | 4.9×10^(-6)/K | 8.5 | 直流 | 铟,导电胶 | 薄膜附着力高。 |
氧化铬 (Cr2O3) |
99.5/99.9/99.95 | 5.21 | 2266 | — | — | — | 射频, 射频-R | 铟,导电胶 | 畸变为低氧化物,在空气中600°C再氧化。 |
氮化铬 (CrN) |
99.95 | 6.8 | 1650 | 11.7 W/m.K | — | — | — | — | — |
硅化铬 (CrSi2) |
99.5 | 5.5 | 1490 | — | — | — | 射频 | 铟,导电胶 | — |
铬50%铝50% (Cr50Al50) |
99.9 | — | — | — | — | — | — | — | — |
钴 (Co) |
99.95 | 8.9 | 1495 | 100 W/m.K | 13.0×10^(-6)/K | 5 | 直流 | — | 与W/Ta/Mo形成合金。 |
氧化钴 (CoO) |
99.9/99.95 | 6.45 | 1795 | — | — | — | 直流-R, 射频-R | 铟,导电胶 | 优选溅射。 |
铽钴合金 (CoTb) |
99.5 | — | — | — | — | — | — | — | — |
氧化铁钴 (CoFe2O4) |
99.9 | — | — | — | — | — | — | — | — |
铜 (Cu) |
99.99/99.999 | 8.96 | 1084 | 400 W/m.K | 16.5×10^(-6)/K | 3 | 直流 | 铟,导电胶 | 附着力较差. 采用中间层(Cr)。蒸发可以采用任何源材料。 |
氧化铜 (CuO) |
99.5 | 6.3 | 1326 | — | — | — | — | — | 建议采用磁控溅射 |
氧化亚铜 (Cu2O) |
99.5 | 6 | 1232 | — | — | — | — | — | — |
偏铝酸亚铜 (CuAlO2) |
99.9 | — | — | — | — | — | — | — | — |
亚铬酸亚铜 (CuCrO2) |
99.9 | — | — | — | — | — | — | — | — |
镝 (Dy) |
99.9 | 8.55 | 1412 | 11 W/m.K | 9.9×10^(-6)/K | 1.8 | 直流 | — | — |
铒 (Er) |
99.95 | 9.07 | 1497 | 15 W/m.K | 12.2×10^(-6)/K | 1.97 | 直流 | — | — |
氧化铒 (Er2O3) |
99.99 | 8.64 | 2344 | — | — | — | 射频, 射频-R | 铟,导电胶 | 失去氧气。 |
铒钇合金 () |
99.5/99.9 | — | — | — | — | — | — | — | — |
铒锆合金 () |
99.5/99.9 | — | — | — | — | — | — | — | — |
镍化铒 (Er3Ni) |
99.95 | — | — | — | — | — | — | — | — |
铥 (Tm) |
99.9 | 9.32 | 1545 | 17 W/m.K | 13.3×10^(-6)/K | 1.77 | — | — | — |
Tm3Fe5O12 () |
99.9 | — | — | — | — | — | — | — | — |
铕 (Eu) |
99.9 | 5.24 | 822 | — | — | 3.07 | 直流 | — | 低Ta溶解度 |
氧化铕 (Eu2O3) |
99.9 | 7.42 | 2350 | — | — | — | — | — | — |
铕镉砷合金 (EuCd2As2) |
99.9 | — | — | — | — | — | — | — | — |
钆 (Gd) |
99.9 | 7.9 | 1313 | 11 W/m.K | 9.4×10^(-6)/K | 5.13 | 直流 | — | 高Ta溶解度 |
锑化镓 (GaSb) |
99.999 | 5.61 | 706 | — | — | — | — | — | — |
三氧化二镓 (Ga2O3) |
99.99 | 6.44 | 1740 | — | — | — | — | — | — |
氮化镓 (GaN) |
99.99 | 6.1 | 800 | — | — | — | — | — | — |
磷化镓 (GaP) |
99.99 | 4.13 | 1480 | — | — | — | — | — | — |
锗 (Ge (N-type)) |
99.999 | 5.32 | 938 | 60 W/m.K | 6×10^(-6)/K | 6 | 直流 (掺杂), 射频 | 铟,导电胶 | 电子束蒸发出极好的薄膜。 |
碲化锗 (GeTe) |
99.999 | 6.2 | 725 | —— | — | — | 射频 | 导电胶 | — |
锑化锗 (GeSb) |
99.999 | — | — | — | — | — | — | — | — |
锗锑碲 (Ge2Sb2Te5) |
99.999 | — | — | — | — | — | — | — | — |
钼锗合金 (Mo50Ge50) |
99.95 | — | — | — | — | — | — | — | — |
金 (Au) |
99.995/99.999 | 19.3 | 1064 | 320 W/m.K | 14.2×10^(-6)/K | 2.5 | 直流 | 铟,导电胶 | 薄膜较软,附着力不好。 |
金钯合金 () |
99.95 | — | — | —— | — | — | — | — | — |
铪 (Hf) |
99.95 | 13.31 | 2227 | 23 W/m.K | 5.9×10^(-6)/K | 5.5 | 直流 | 铟,导电胶 | — |
碳化铪 (HfC) |
99.5 | 12.2 | ~3890 | — | — | — | 射频 | 铟,导电胶 | — |
氮化铪 (HfN) |
99.5 | 13.8 | 3305 | — | — | — | 射频, 射频-R | 铟,导电胶 | — |
氧化铪 (HfO2) |
99.95 | 9.68 | 2810 | — | — | — | 射频, 射频-R | 铟,导电胶 | HfO薄膜 |
钬 (Ho) |
99.95 | 8.8 | 1474 | 16 W/m.K | 11.2×10^(-6)/K | 1.65 | — | — | — |
Ho3Fe5O12 () |
99.9 | — | — | — | — | — | — | — | — |
铟 (In) |
99.99-99.999 | 7.3 | 157 | 82 W/m.K | 32.1×10^(-6)/K | 1.2 | 直流 | 导电胶 | 低熔点金属,不适合采用磁控溅射 |
氧化铟 (In2O3) |
99.99 | 7.18 | 1910 | — | — | — | — | 铟,导电胶 | — |
氧化铟/氧化锡 (90%/10%In2O3/SnO2 90/10 wt %) |
99.99 | 7.14 | 1800 | — | — | — | 射频, 直流 | 铟,导电胶 | — |
铟镓氧 (InGaO3) |
99.99 | — | — | — | — | — | — | — | — |
铟镓锌氧 (InGaZnO4) |
99.99 | — | — | — | — | — | — | — | — |
铱 (Ir)) |
99.95 | 22.42 | 2410 | 150 W/m.K | 6.4×10^(-6)/K | 6.5 | 直流 | 铟,导电胶 | — |
氧化铱 (IrO2) |
99.95/99.99 | 11.66 | 1100 | — | — | — | — | — | — |
铁 (Fe) |
99.95 | 7.87 | 1538 | 80 W/m.K | 11.8×10^(-6)/K | 4 | 直流 | — | 薄膜坚硬光滑。 缓慢预热除气。 |
氧化铁 (Fe2O3) |
99.5 | 5.24 | 1565 | — | — | — | 射频, 射频-R | 铟,导电胶 | 在1530°C时会畸变为Fe3O4。 |
铁镍合金 (FeNi) |
99.99 | — | — | — | — | — | — | — | — |
铁50%锰50% (Fe50Mn50) |
99.95 | — | — | — | — | — | — | — | — |
铁98%铝2% (Fe98Al2) |
99.5 | — | — | — | — | — | — | — | — |
铁50%硼50% (Fe50B50) |
99.5 | — | — | — | — | — | — | — | — |
铁50%钴50% (Fe50Co50) |
99.5 | — | — | — | — | — | — | — | — |
铁50%钴25%铝25% (Fe50Co25Al25) |
99.5 | — | — | — | — | — | — | — | — |
钴20%铁60%硼20% (Co20Fe60B20) |
99.5 | — | — | — | — | — | — | — | — |
钴40%铁40%硼20% (Co40Fe40B20) |
99.95 | — | — | — | — | — | — | — | — |
304不锈钢 (06Cr19Ni10) |
— | 7.93 | 1420 | 16.3 W/m.K | 17.2×10^(-6)/K | — | — | — | — |
铁铬铝合金 (FeCrAl) |
99.9 | — | — | — | — | — | — | — | — |
铁镓合金 (Fe80Ga20) |
99.9/99.95 | — | — | — | — | — | — | — | — |
铁锗合金 (Fe50Ge50) |
99.9 | — | — | — | — | — | — | — | — |
铁铬(20-25%)铝(4.5-7%) ((FeCr(20-22)Al(4.5-7))) |
99.9 | — | — | — | — | — | — | — | — |
铁钆合金 (Fe50Gd50) |
99.5 | — | — | — | — | — | — | — | — |
铁硅合金 (FeSi(1:2)) |
99.5 | — | — | — | — | — | — | — | — |
铁硅合金 (FeSi(3:1)) |
99.5 | — | — | — | — | — | — | — | — |
钴铁硅合金 (CoFeSi(2:1:1)) |
99.5 | — | — | — | — | — | — | — | — |
铁酸铍 (BeFeO3) |
99.9 | — | — | — | — | — | — | — | — |
镧 (La) |
99.5/99.9 | 6.15 | 919 | 13 W/m.K | 12.1×10^(-6)/K | 2.5 | 射频 | — | 薄膜如果刮伤,会在空气中燃烧。 |
氧化镧 (La2O3) |
99.9/99.99 | 6.51 | 2315 | — | — | — | — | — | — |
硼化镧 (LaB6) |
99.5 | 4.72 | 2210 | — | — | — | 射频 | 铟,导电胶 | — |
钛酸镧 (LaTiO3) |
99.9 | — | — | — | — | — | — | — | — |
La2CuO4 () |
99.9 | — | — | — | — | — | — | — | — |
锰酸锶镧 (La0.67Sr0.33MnO3) |
99.95 | — | — | — | — | — | — | — | — |
氟化锂 (LiF) |
99.9 | 2.64 | 845 | — | 37.0×10^(-6)/K | 4 | — | — | — |
磷酸锂 (Li3PO4) |
99.9 | 2.39 | >340 | — | — | — | 射频, 直流 | 铟,导电胶 | — |
铅 (Pb) |
99.9/99.99 | 11.34 | 328 | 35 W/m.K | 28.9×10^(-6)/K | 1.5 | 直流 | — | — |
铅锆钛氧 (PbZr0.2Ti0.8O3) |
99.9/99.95 | — | — | — | — | — | — | — | — |
铅锆钛氧 (PbZr0.8Ti0.2O3) |
99.95 | — | — | — | — | — | — | — | — |
铅锆钛氧 (PbZr0.58Ti0.42O3) |
99.9/99.95 | — | — | — | — | — | — | — | — |
碲化铅 (PbTe) |
99.99 | 8.16 | 905 | — | — | — | 射频 | 铟,导电胶 | 建议采用磁控溅射 |
钛酸铅 (PbTiO3) |
99.9 | 7.52 | — | — | — | — | 射频 | 铟,导电胶 | — |
铌酸锂 (LiNbO3) |
99.9 | 4.7 | — | — | — | — | 铟,导电胶 | — | — |
镁 (Mg) |
99.95 | 1.74 | 650 | 160 W/m.K | 8.2×10^(-6)/K | 2.5 | 直流 | 铟,导电胶 | 可能性极高。 |
氟化镁 (MgF2) |
99.9 | 3.15 | 1248 | — | — | — | 射频 | 铟,导电胶 | 衬底温度和速率控制很重要。能够与W/Mo反应。 |
氧化镁 (MgO) |
99.95 | 3.58 | 2852 | — | — | — | 射频, 射频-R | 铟,导电胶 | 化学计量的条件时在10^(-3) Torr O2蒸发。 |
Mg1.5Ti1.5O4 () |
99.95 | — | — | — | — | — | — | — | — |
Mg1.3Ti1.7O4.7 () |
99.95 | — | — | — | — | — | — | — | — |
碳酸镁 (MgCO3) |
99.9 | 3 | 2200 | — | — | — | — | — | — |
镍化镁 (Mg2Ni) |
99.95 | — | — | — | — | — | — | — | — |
锰 (Mn) |
99.9 | 7.47 | 1246 | 7.8 W/m.K | 21.7×10^(-6)/K | 5 | 直流 | 导电胶 | — |
氧化锰 (MnO) |
99.9 | 5.37 | 1945 | — | — | — | — | — | — |
锡化锰 (Mn3Sn) |
99.9 | 5.45 | 1460 | — | — | — | — | — | — |
锰铋合金 (MnBi) |
99.9 | — | — | — | — | — | — | — | — |
碲化锰 (MnTe) |
99.99 | 6 | 1170 | — | — | — | — | — | — |
钼 (Mo) |
99.95 | 10.28 | 2623 | 139 W/m.K | 4.8×10^(-6)/K | 5.5 | 直流 | 铟,导电胶 | 薄膜光滑且坚硬。排气时需要小心。 |
碳化钼 (Mo2C) |
99.5 | 8.9 | 2687 | — | — | 7 | 射频 | 铟,导电胶 | 蒸发 Mo(CO)6 生成Mo2C。 |
硅化钼 (MoSi2) |
99.5 | 6.24 | 2030 | — | — | — | 射频 | 铟,导电胶 | 分解 |
硫化钼 (MoS2) |
99.99 | 4.8 | 1185 | — | — | 1~1.5 | 射频 | 铟,导电胶 | — |
二氧化钼 (MoO2) |
99.9 | 6.47 | — | — | — | — | — | — | — |
三氧化钼 (MoO3) |
99.9 | 4.7 | 795 | — | — | — | 射频 | 铟,导电胶 | 轻微氧缺失。 |
碲化钼 (MoTe2) |
99.9 | 7.78 | — | — | — | — | 直流, 射频, 射频-R | 铟,导电胶 | — |
钕 (Nd) |
99.9 | 7.01 | 1021 | 17 W/m.K | 9.6×10^(-6)/K | 1.23 | 直流 | — | 低W溶解度。 |
镍 (Ni) |
99.9-99.995 | 8.91 | 1455 | 91 W/m.K | 13.4×10^(-6)/K | 4 | 直流 | — | 与W/Ta/Mo形成合金。 薄膜光滑且附着力好。 |
镍铜合金 (Ni55Cu45) |
99.99 | — | — | — | — | — | — | 铟,导电胶 | 与W/Ta/Mo形成合金。 |
钕镍氧合金 (RbNiO) |
99.9 | — | — | — | — | — | — | — | — |
镍铬合金 (Ni/Cr) |
99.9 | 8.5 | 1395 | — | — | — | 直流 | 铟,导电胶 | 与W/Ta/Mo形成合金。 |
镍钛合金 (Ni50Ti50) |
99.5/99.9 | — | — | — | — | — | — | — | — |
氧化镍 (NiO) |
99.9/99.995 | 6.67 | 1984 | — | — | — | 射频-R | 铟,导电胶 | 加热时会分解。 |
铌 (Nb) |
99.95 | 8.57 | 2477 | 54 W/m.K | 7.3×10^(-6)/K | 6 | 直流 | 铟,导电胶 | — |
铌钒合金 (Nb43V57) |
99.9 | — | — | — | — | — | — | — | — |
铌钛合金 (Nb50Ti50) |
99.9 | — | — | — | — | — | — | — | — |
碳化铌 (NbC) |
99.5 | 7.6 | 3500 | — | — | — | 射频 | 铟,导电胶 | — |
氮化铌 (NbN) |
99.9 | 8.4 | 2573 | — | — | — | 射频, 射频-R | 铟,导电胶 | 反应条件时在10^(-3) Torr N2中蒸发Nb。 |
氧化铌 (NbO2) |
99.95 | — | — | — | — | — | — | — | — |
氧化铌 (NbOx(x>2)) |
99.95 | — | — | — | — | — | — | — | — |
五氧化二铌 (Nb2O5) |
99.95 | 4.47 | 1485 | — | — | — | 射频, 射频-R | 铟,导电胶 | — |
锡化铌 (Nb3Sn) |
— | — | — | — | — | — | 直流 | — | 从两种源材料中共蒸发。 |
砷化铌 (As5Nb3) |
99.99 | — | — | — | — | — | — | — | — |
钯 (Pd) |
99.95 | 12.02 | 1555 | 72 W/m.K | 11.8×10^(-6)/K | 4.8 | 直流 | 铟,导电胶 | 合金与难熔金属。 |
镍/铁/钼/锰 (Ni/Fe/Mo/Mn) |
99.5 | 8.7 | 1395 | — | — | — | 直流 | — | 薄膜Ni含量较低。 |
铂 (Pt) |
99.99 | 21.45 | 1768 | 72 W/m.K | 8.8×10^(-6)/K | 4.3 | 直流 | 铟,导电胶 | 与金属形成合金。薄膜柔软,附着力差。达到沉积所需的温度可能不适用于热蒸发。 |
Mn1.4PtSn () |
99.9 | — | — | — | — | — | — | — | — |
Mn1.4Pt0.9Pd0.1Sn () |
99.9 | — | — | — | — | — | — | — | — |
镨 (Pr) |
99.9 | 6.64 | 931 | 13 W/m.K | 6.7×10^(-6)/K | 1.41 | 直流 | — | — |
铼 (Re) |
99.99 | 21.02 | 3180 | 48 W/m.K | 6.2×10^(-6)/K | 7 | 直流 | 铟,导电胶 | — |
铑 (Rh) |
99.95 | 12.35 | 1964 | 150 W/m.K | 8.2×10^(-6)/K | 6 | 直流 | 铟,导电胶 | 电子束枪比较好。 |
钌 (Ru) |
99.95 | 12.37 | 2334 | 120 W/m.K | 6.4×10^(-6)/K | 6.5 | 直流 | 铟,导电胶 | — |
钐 (Sm) |
99.9 | 7.52 | 1074 | 13 W/m.K | 12.7×10^(-6)/K | 1~2 | 直流 | — | — |
钪 (Sc) |
99.9 | 2.99 | 1541 | 16 W/m.K | 12.0×10^(-6)/K | — | 直流 | 铟,导电胶 | — |
三碲化二钪 (Sc2Te3) |
99.99 | — | — | — | — | — | — | — | — |
硒 (Se) |
99.999 | 4.82 | 221 | 0.52 W/m.K | — | 2 | — | — | 对真空系统有害,低熔点材料不适合溅射。 |
铁硒合金 (FeSe(1:1)) |
99.95 | — | — | — | — | — | — | — | — |
硅(N型) (Si (N-type)) |
99.999 | 2.32 | 1410 | 150 W/m.K | 2.6×10^(-6)/K | 6.5 | 直流, 射频 | 铟,导电胶 | — |
硅(P型) (Si (P-type)) |
99.999 | 2.33 | 1414 | 150 W/m.K | 2.6×10^(-6)/K | 6.5 | 直流, 射频 | 铟,导电胶 | — |
碳化硅 (SiC) |
99.5 | 3.22 | ~2700 | — | — | — | 射频 | 铟,导电胶 | 建议采用磁控溅射 |
二氧化硅 (SiO2) |
99.995 | 2.2 | 1650 | — | — | — | 射频 | 铟,导电胶 | 石英在电子束中效果极好 |
氧化硅 (SiO) |
99.9 | 2.13 | >1702 | — | — | — | 射频, 射频-R | 铟,导电胶 | 为了能够耐蒸发,采用挡板盒以及低速率。 |
氮化硅 (Si3N4) |
99.9 | 3.44 | 1900 | — | — | — | 射频, 射频-R | 铟,导电胶 | — |
锶 (Sr) |
99 | 2.63 | 777 | 35 W/m.K | 22.5×10^(-6)/K | 1.8 | 射频 | — | 浸润,但是不能与 W/Ta/Mo形成合金。在空气中可能会氧化。 |
钛酸锶 (SrTiO3) |
99.95 | 4.81 | 2060 | — | — | — | — | 导电胶 | 可以掺杂0.5%/0.7%Nb |
Sr2Co2O5 () |
99.9 | — | — | — | — | — | — | — | — |
SrIrO3 () |
99.9 | — | — | — | — | — | — | — | — |
钛酸锶钡 (BaSrTiO3) |
99.99 | 4.91 | — | — | — | — | — | — | — |
钌酸锶 (SrRuO3) |
99.95/99.99 | — | — | — | — | — | — | — | — |
铝酸锶 (Sr3Al2O6) |
99.95/99.99 | — | — | — | — | — | — | — | — |
锶钛铌氧 (SrTi0.8Nb0.2O3) |
99.9 | — | — | — | — | — | — | — | — |
钽 (Ta) |
99.95 | 16.65 | 3017 | 57 W/m.K | 6.3×10^(-6)/K | 6.5 | 直流 | 铟,导电胶 | 形成较好的薄膜。 |
碳化钽 (TaC) |
99.5 | 13.9 | 3880 | — | — | — | 射频 | 铟,导电胶 | — |
氮化钽 (TaN) |
99.5 | 16.3 | 3360 | — | — | — | 射频, 射频-R | 铟,导电胶 | 在10^(-3) Torr N2中蒸发Ta。 |
五氧化二钽 (Ta2O5) |
99.99 | 8.2 | 1872 | — | — | — | 射频, 射频-R | 铟,导电胶 | 轻微分解,在10^(-3) Torr O2中蒸发Ta。 |
碲 (Te) |
99.9 | 6.24 | 450 | 3 W/m.K | — | 2 | 射频 | 铟,导电胶 | 不适合采用磁控溅射 |
铁硒碲 (FeSe0.5Te0.5) |
99.95 | — | — | — | — | — | — | — | — |
碲化汞 (HgTe) |
99.99 | 8.63 | 673 | — | — | — | — | — | — |
二碲化钼 (MoTe2) |
99.9 | — | — | — | — | — | — | — | — |
碲化钨 (Wte) |
99.9 | 9.43 | 1020 | — | — | — | — | — | — |
铽 (Tb) |
99.9 | 8.22 | 1356 | 11 W/m.K | 10.3×10^(-6)/K | 2.33 | 射频 | — | — |
锡 (Sn) |
99.99 | 7.28 | 232 | 66.6 W/m.K | 22×10^(-6)/K | 1.65 | 直流 | 导电胶 | 与Mo浸润,低溅射能。在电子束枪中使用Ta衬底。低熔点材料不适合溅射。 |
硒化锡 (SnSe) |
99.99 | 6.18 | 861 | — | — | — | — | — | — |
锑化锡 (SnSb4) |
99.999 | — | — | — | — | — | — | — | — |
氧化锡 (SnO2) |
99.9 | 6.95 | 1630 | — | 3.8×10^(-6)/K | 6.5 | 射频, 射频-R | 导电胶 | 薄膜在W中缺少氧,在空气中容易氧化。 |
钛 (Ti) |
99.9-99.995 | 4.5 | 1668 | 21.9 W/m.K | 8.6×10^(-6)/K | 6 | 直流 | 铟,导电胶 | 与W/Ta/Mo形成合金。第一次加热时产生气体。 |
硼化钛 (TiB2) |
99.5 | 4.5 | 3230 | — | — | — | 射频 | 铟,导电胶 | — |
碳化钛 (TiC) |
99.5 | 4.93 | 3160 | — | — | — | 射频 | 铟,导电胶 | — |
二氧化钛 (TiO2) |
99.9/99.99 | 4.23 | 1830 | — | — | — | 射频, 射频-R | 铟,导电胶 | 次级氧化物必须进行再次氧化生成金刚石。Ta能够减少TiO2向TiO以及Ti的转化。 |
氧化钛 (TiO) |
99.9 | 4.95 | 1750 | — | — | — | 射频 | 铟,导电胶 | 缓慢预热除气。 |
氮化钛 (TiN) |
99.5 | 5.4 | 2930 | — | — | — | 射频, 射频-R | 铟,导电胶 | 热蒸发时会分解,建议采用磁控溅射 |
钛铁合金 (TiFe) |
99.95 | — | — | — | — | — | — | — | — |
二硒化钛 (TiSe2) |
99.99 | — | — | — | — | — | — | — | — |
硒化钛 (TiSe2.2) |
99.99 | — | — | — | — | — | — | — | — |
三硒化二钛 (Ti2Se3) |
99.99 | — | — | — | — | — | — | — | — |
钛锆靶材 (TiZr) |
99.5 | — | — | — | — | — | — | — | — |
钛钒靶材 (TiV) |
99.5 | — | — | — | — | — | — | — | — |
钛钼靶材 (TiMo) |
99.5 | — | — | — | — | — | — | — | — |
钛40%锆40%镍20% (Ti40Zr40Ni20) |
99.9 | — | — | — | — | — | — | — | — |
钛锆铪钒铌 (TiZrHfVNb) |
99.5 | — | — | — | — | — | — | — | — |
钛锆钪钼铌 (TiZrScMoNb) |
99.5 | — | — | — | — | — | — | — | — |
钛锆钒钼铌 (TiZrVMoNb) |
99.5 | — | — | — | — | — | — | — | — |
钛锆钪钒铌 (TiZrScVNb) |
99.5 | — | — | — | — | — | — | — | — |
钛锆钪钼铌 (TiZrScMoNb) |
99.5 | — | — | — | — | — | — | — | — |
锆铪钪钼铌 (ZrHfScMoNb) |
99.5 | — | — | — | — | — | — | — | — |
钨 (W) |
99.95 | 19.25 | 3422 | 174 W/m.K | 4.5×10^(-6)/K | 7.5 | 直流 | 铟,导电胶 | 形成不稳定的氧化物。薄膜坚硬且附着力较好。 |
碳化钨 (WC) |
99.95 | 15.63 | 2870 | — | — | — | 射频 | 铟,导电胶 | — |
硅化钨 (WSi2) |
99.5 | 9.4 | >900 | — | — | — | 射频 | 铟,导电胶 | — |
硫化钨 (WS2) |
99.8 | 7.5 | 1250 | — | — | — | 射频 | 铟,导电胶 | — |
氧化钨 (WO3) |
99.9 | 7.16 | 1473 | — | — | — | 射频-R | 铟,导电胶 | 缓慢预热除气。W会轻微降低氧含量。 |
钨钛合金 (W90%Ti10%) |
99.99 | >14.24 | — | — | — | — | — | 铟,导电胶 | —缓慢预热除气。W会轻微降低氧含量。 |
钒 (V) |
99.9 | 5.8 | 1890 | 30.7 W/m.K | 8.4×10^(-6)/K | 7 | 直流 | 铟, 导电胶 | 与Mo浸润。电子束蒸发薄膜更好。 |
硼化钒 (VB) |
99.9 | — | — | — | — | — | — | — | — |
二硼化钒 (VB2) |
99.9 | — | — | — | — | — | — | — | — |
碳化钒 (VC) |
99.5 | 5.77 | 2810 | — | — | 5.6 | 射频 | 铟,导电胶 | — |
氮化钒 (VN) |
99.9 | — | — | — | — | — | — | — | — |
二氧化钒 (VO2) |
99.9 | 4.34 | 1967 | — | — | — | RF | 铟,导电胶 | — |
五氧化二钒 (V2O5) |
99.9 | 3.36 | 690 | — | — | — | 射频 | 铟,导电胶 | — |
镱 (Yb) |
99.95 | 6.57 | 819 | 34.9 W/m.K | 26.3×10^(-6)/K | — | — | — | — |
氧化镱 (Yb2O3) |
99.9 | 9.17 | 2346 | — | — | — | 射频, 射频-R | 铟,导电胶 | 失去氧气。 |
Yb3Fe5O12 () |
99.9 | — | — | — | — | — | — | — | — |
镥 (Lu) |
99.95 | 9.84 | 1663 | 16 W/m.K | 10×10^(-6)/K | 2.6 | — | — | — |
钇 (Y) |
99.99 | 4.47 | 1526 | 17.2 W/m.K | 10.6×10^(-6)/K | — | 射频, 直流 | 铟,导电胶 | 高钽溶解度。 |
氧化钇 (Y2O3) |
99.9 | 5.01 | 2410 | — | — | — | 射频, 射频-R | 铟,导电胶 | 失去氧气。薄膜光滑清晰 |
钇铁石榴石 (Y3Fe5O12) |
99.9/99.95 | — | — | — | — | — | — | — | — |
钇钡铜氧 (YBaCuO) |
99.9 | — | — | — | — | — | — | — | — |
锌 (Zn) |
99.99/99.995 | 7.14 | 420 | 116 W/m.K | 30.2×10^(-6)/K | 2.5 | 直流 | 铟,导电胶 | 在较宽范围条件下蒸发效果好。 |
氧化锌 (ZnO) |
99.9/99.95/99.99 | 5.61 | 1975 | — | — | — | 射频-R | 铟,导电胶 | — |
氧化锌铝 (ZnO:Al2O3 (98:2)) |
99.99 | — | — | — | — | — | — | — | — |
氧化锌铝 (ZnO:Al2O3(99:1)) |
99.99 | — | — | — | — | — | — | — | — |
氧化锌:氧化锡 (ZnO:Sn2O(90:10)) |
99.99 | — | — | — | — | — | — | — | — |
硒化锌 (ZnSe) |
— | 5.42 | 1100 | — | — | — | 射频 | 铟,导电胶 | 缓慢预热除气。蒸发效果好。 |
硫化锌 (ZnS) |
99.99 | 3.98 | 1700 | — | — | 3 | 射频 | 铟,导电胶 | 缓慢预热除气,薄膜部分分解, n=2.356 |
碲化锌 (ZnTe) |
99.99 | 6.34 | 1238 | — | — | — | 射频 | 铟,导电胶 | 缓慢预热除气。 |
锆 (Zr) |
99.95 | 6.51 | 1855 | 22.7 W/m.K | 5.7×10^(-6)/K | 7.5 | 直流 | 铟,导电胶 | 含有W的合金,薄膜容易氧化。 |
碳化锆 (ZrC) |
99.5 | 6.73 | 3540 | — | — | 8~9 | 射频 | 铟,导电胶 | — |
氮化锆 (ZrN) |
99.5 | 7.09 | 2952 | — | — | 8~9 | 射频, 射频-R | 铟,导电胶 | 蒸发反应在10^(-3) Torr N2中进行。 |
氧化锆 (ZrO2) |
99.8/99.9/99.95 | 5.89 | ~2700 | — | — | 8~8.5 | 射频, 射频-R | 铟,导电胶 | 薄膜缺氧、清晰、坚硬。 |
氧化锆氧化镧 (ZrO2:La2O3(99:1)) |
99.9 | 5.89 | ~2700 | — | — | 8~8.5 | 射频, 射频-R | 铟,导电胶 | 薄膜缺氧、清晰、坚硬。 |
氧化锆氧化铪 (ZrO2:HfO2(1:1.7)) |
99.9 | — | — | — | — | — | — | — | — |
氧化镧:氧化铪:氧化锆 (La2O3:HfO2:ZrO2(1:15.8:9.26)) |
99.9 | — | — | — | — | — | — | — | — |
碲化锰 (MnTe) |
99.99 | 6 | 1170 | — | — | — | — | — | — |