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产品目录

高纯材料

High purity materials

常用蒸发参数(仅供参考，以实际为准，不具法律效力)
常用溅射参数(仅供参考，以实际为准，不具法律效力)
高纯材料名录

单晶

Single crystals

Li
C
Na
Mg
Al
Si
K
Ca
Ti
V
Cr
Mn
Fe
Co
Ni
Cu
Zn
Ga
Ge
Sr
Y
Zr
Nb
Mo
Ru
Pd
Ag
Cd
In
Sn
Sb
Ba
W
Ir
Pt
Au
Pb
Bi
La
Ce
Nd
Gd
Tb
Dy
Ho

二维材料

2D Materials

二维材料 —— 半导体
二维材料 —— 金属
二维材料 —— 半金属
二维材料 —— 超导体
二维材料 —— 绝缘体
二维材料 —— 铁磁性绝缘体
二维材料 —— 外尔半金属
二维材料 —— 其他

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耗材

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Kcell 热蒸发源
高精度硅基掩膜板对准系统
转移系统
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高纯材料

常用溅射参数(仅供参考，以实际为准，不具法律效力)

名称 纯度(%) 密度(g/cm3) 熔点(°C) 热导率 热膨胀系数 莫氏硬度(Mohs) 溅射电源 bonding类型 备注
名称 纯度(%) 密度(g/cm3) 熔点(°C) 热导率 热膨胀系数 莫氏硬度(Mohs) 溅射电源 bonding类型 备注

铝

(Al)

 99.999 2.7 660 235 W/m.K 23.1×10^(-6)/K 2.75 直流 铟，导电胶 —

氮化铝

(AlN)

 99.9 3.26 >2200 — 4. 84×10^(-6)/K 9 射频-R 导电胶 分解，在10^(-3) N2中用辉光放电进行反应蒸发。

氧化铝

(Al2O3)

 99.999 3.97 2072 — — 8.8 射频-R 铟，导电胶 蓝宝石在电子束中形成光滑的硬膜。热蒸发可能性很小。

银

(Ag)

 99.9/99.99/99.999 10.49 962 430 W/m.K 18.9×10^(-6)/K 2.5 直流 铟，导电胶 —

锑

(Sb)

 99.99 6.7 630 24 W/m.K 11×10^(-6)/K 3 射频， 直流 铟，导电胶 蒸发良好。

碲化锑

(Sb2Te3)

 99.999 6.5 629 — — — 射频 铟，导电胶 在750℃时分解

铕镉锑

(EuCd2Sb2)

 99.9 — — — — — — — —

钡

(Ba)

 99.5 3.51 727 18 W/m.K 20.6×10^(-6)/K 1.25 射频 — 与合金不浸润，非合金化与陶瓷反应。不推荐溅射。

氟化钡

(BaF2)

 99.9 4.89 1355 — — 3 射频 铟，导电胶 —

钛酸钡

(BaTiO3)

 99.9/99.95 6.02 1625 — — — 射频 导电胶 提供Ba，共蒸发和溅射都可以。

锡酸钡

(BaSnO3)

 99.9 7.6 2060 — — — — — 适合采用磁控溅射

锆酸钡

(BaZrO3)

 99 5.52 2500 — — — — — —

钛酸锶钡

(Sr0.5Ba0.5TiO3)

 99.9/99.95 — — — — — — — —

钛酸钡65+铁酸镍35

(BaTiO3(65)+NiFe2O4(35))

 99.5 — — — — — — — —

铋

(Bi)

 99.99 9.78 271 8 W/m.K 13.4×10^(-6)/K 2.5 直流 导电胶 高电阻率，低熔点的材料不适合溅射。

三氧化二铋

(Bi2O3)

 99.99 8.55 860 — — — 射频， 射频-R 铟，导电胶 高阻，低熔点金属，不适合采用磁控溅射

硒化铋

(Bi2Se3)

 99.999 6.82 710 — — — 射频 铟，导电胶 从两种源材料中共蒸发或者溅射。

碲化铋

(Bi2Te3)

 99.999 7.86 585 — — — 射频 铟，导电胶 建议二源共蒸或磁控

铁酸铋

(BiFeO3)

 99.9 — — — — — — — —

硼

(B)

 99.5 2.34 2300 27 W/m.K 6×10^(-6)/K 9.3 射频 铟，导电胶 快速冷却会产生爆炸，在容器中形成碳化物。

碳化硼

(B4C)

 99.5 2.5 2350 — — 9.3 射频 铟，导电胶 与Cr类似。

氮化硼

(BN)

 99.5 2.25 ～3000 — — 2 射频， 射频-R 铟，导电胶 在溅射过程中会分解。

镉

(Cd)

 99.999 8.64 321 97 W/m.K 30.8×10^(-6)/K 2 直流， 射频 铟，导电胶 附着系数低，对真空系统有害。

硒化镉

(CdSe)

 99.995 5.81 1264 — — — 射频 铟，导电胶 磁控时会分解

硫化镉

(CdS)

 99.99 4.83 1750 — — — 射频 铟，导电胶 附着系数受衬底的影响。

碲化镉

(CdTe)

 99.999 6.2 1041 — — — 射频 铟，导电胶 化学计量学取决于衬底温度。n = 2.6。

钙

(Ca)

 99.5 1.55 842 201 W/m.K 22.3×10^(-6)/K 1.75 — — 在空气中会出现腐蚀。

钛酸钙

(CaTiO3)

 99.9 4.1 1975 — — — 射频 — 除了溅射都会发生畸变。

碳

(C)

 99.999 2.25 3550 140 W/m.K 7.1×10^(-6)/K 0.5 直流 铟，导电胶 在空气中变质

铈

(Ce)

 99.9/99.95 6.69 798 11 W/m.K 6.3×10^(-6)/K 2.5 直流， 射频 — 建议采用磁控溅射

氟化铈

(CeF3)

 99.995 6.16 1640 — — — 射频 铟，导电胶 缓慢预热除气。n=1.7。

氧化铈

(CeO2)

 99.9/99.99 7.13 2600 — — — 射频， 射频-R 铟，导电胶 极少量的分解。

铬

(Cr)

 99.95 7.19 1857 94 W/m.K 4.9×10^(-6)/K 8.5 直流 铟，导电胶 薄膜附着力高。

氧化铬

(Cr2O3)

 99.5/99.9/99.95 5.21 2266 — — — 射频， 射频-R 铟，导电胶 畸变为低氧化物，在空气中600°C再氧化。

氮化铬

(CrN)

 99.95 6.8 1650 11.7 W/m.K — — — — —

硅化铬

(CrSi2)

 99.5 5.5 1490 — — — 射频 铟，导电胶 —

铬50%铝50%

(Cr50Al50)

 99.9 — — — — — — — —

钴

(Co)

 99.95 8.9 1495 100 W/m.K 13.0×10^(-6)/K 5 直流 — 与W/Ta/Mo形成合金。

氧化钴

(CoO)

 99.9/99.95 6.45 1795 — — — 直流-R， 射频-R 铟，导电胶 优选溅射。

铽钴合金

(CoTb)

 99.5 — — — — — — — —

氧化铁钴

(CoFe2O4)

 99.9 — — — — — — — —

铜

(Cu)

 99.99/99.999 8.96 1084 400 W/m.K 16.5×10^(-6)/K 3 直流 铟，导电胶 附着力较差. 采用中间层（Cr）。蒸发可以采用任何源材料。

氧化铜

(CuO)

 99.5 6.3 1326 — — — — — 建议采用磁控溅射

氧化亚铜

(Cu2O)

 99.5 6 1232 — — — — — —

偏铝酸亚铜

(CuAlO2)

 99.9 — — — — — — — —

亚铬酸亚铜

(CuCrO2)

 99.9 — — — — — — — —

镝

(Dy)

 99.9 8.55 1412 11 W/m.K 9.9×10^(-6)/K 1.8 直流 — —

铒

(Er)

 99.95 9.07 1497 15 W/m.K 12.2×10^(-6)/K 1.97 直流 — —

氧化铒

(Er2O3)

 99.99 8.64 2344 — — — 射频， 射频-R 铟，导电胶 失去氧气。

铒钇合金

()

 99.5/99.9 — — — — — — — —

铒锆合金

()

 99.5/99.9 — — — — — — — —

镍化铒

(Er3Ni)

 99.95 — — — — — — — —

铥

(Tm)

 99.9 9.32 1545 17 W/m.K 13.3×10^(-6)/K 1.77 — — —

Tm3Fe5O12 

()

 99.9 — — — — — — — —

铕

(Eu)

 99.9 5.24 822 — — 3.07 直流 — 低Ta溶解度

氧化铕

(Eu2O3)

 99.9 7.42 2350 — — — — — —

铕镉砷合金

(EuCd2As2)

 99.9 — — — — — — — —

钆

(Gd)

 99.9 7.9 1313 11 W/m.K 9.4×10^(-6)/K 5.13 直流 — 高Ta溶解度

锑化镓

(GaSb)

 99.999 5.61 706 — — — — — —

三氧化二镓

(Ga2O3)

 99.99 6.44 1740 — — — — — —

氮化镓

(GaN)

 99.99 6.1 800 — — — — — —

磷化镓

(GaP)

 99.99 4.13 1480 — — — — — —

锗

(Ge (N-type))

 99.999 5.32 938 60 W/m.K 6×10^(-6)/K 6 直流 (掺杂)， 射频 铟，导电胶 电子束蒸发出极好的薄膜。

碲化锗

(GeTe)

 99.999 6.2 725 —— — — 射频 导电胶 —

锑化锗

(GeSb)

 99.999 — — — — — — — —

锗锑碲

(Ge2Sb2Te5)

 99.999 — — — — — — — —

钼锗合金

(Mo50Ge50)

 99.95 — — — — — — — —

金

(Au)

 99.995/99.999 19.3 1064 320 W/m.K 14.2×10^(-6)/K 2.5 直流 铟，导电胶 薄膜较软，附着力不好。

金钯合金

()

 99.95 — — —— — — — — —

铪

(Hf)

 99.95 13.31 2227 23 W/m.K 5.9×10^(-6)/K 5.5 直流 铟，导电胶 —

碳化铪

(HfC)

 99.5 12.2 ～3890 — — — 射频 铟，导电胶 —

氮化铪

(HfN)

 99.5 13.8 3305 — — — 射频， 射频-R 铟，导电胶 —

氧化铪

(HfO2)

 99.95 9.68 2810 — — — 射频， 射频-R 铟，导电胶 HfO薄膜

钬

(Ho)

 99.95 8.8 1474 16 W/m.K 11.2×10^(-6)/K 1.65 — — —

Ho3Fe5O12

()

 99.9 — — — — — — — —

铟

(In)

 99.99-99.999 7.3 157 82 W/m.K 32.1×10^(-6)/K 1.2 直流 导电胶 低熔点金属，不适合采用磁控溅射

氧化铟

(In2O3)

 99.99 7.18 1910 — — — — 铟，导电胶 —

氧化铟/氧化锡

(90%/10%In2O3/SnO2 90/10 wt %)

 99.99 7.14 1800 — — — 射频， 直流 铟，导电胶 —

铟镓氧

(InGaO3)

 99.99 — — — — — — — —

铟镓锌氧

(InGaZnO4)

 99.99 — — — — — — — —

铱

(Ir))

 99.95 22.42 2410 150 W/m.K 6.4×10^(-6)/K 6.5 直流 铟，导电胶 —

氧化铱

(IrO2)

 99.95/99.99 11.66 1100 — — — — — —

铁

(Fe)

 99.95 7.87 1538 80 W/m.K 11.8×10^(-6)/K 4 直流 — 薄膜坚硬光滑。 缓慢预热除气。

氧化铁

(Fe2O3)

 99.5 5.24 1565 — — — 射频， 射频-R 铟，导电胶 在1530°C时会畸变为Fe3O4。

铁镍合金

(FeNi)

 99.99 — — — — — — — —

铁50%锰50%

(Fe50Mn50)

 99.95 — — — — — — — —

铁98%铝2%

(Fe98Al2)

 99.5 — — — — — — — —

铁50%硼50%

(Fe50B50)

 99.5 — — — — — — — —

铁50%钴50%

(Fe50Co50)

 99.5 — — — — — — — —

铁50%钴25%铝25%

(Fe50Co25Al25)

 99.5 — — — — — — — —

钴20%铁60%硼20%

(Co20Fe60B20)

 99.5 — — — — — — — —

钴40%铁40%硼20%

(Co40Fe40B20)

 99.95 — — — — — — — —

304不锈钢

(06Cr19Ni10)

 — 7.93 1420 16.3 W/m.K 17.2×10^(-6)/K — — — —

铁铬铝合金

(FeCrAl)

 99.9 — — — — — — — —

铁镓合金

(Fe80Ga20)

 99.9/99.95 — — — — — — — —

铁锗合金

(Fe50Ge50)

 99.9 — — — — — — — —

铁铬(20-25%)铝(4.5-7%)

((FeCr(20-22)Al(4.5-7)))

 99.9 — — — — — — — —

铁钆合金

(Fe50Gd50)

 99.5 — — — — — — — —

铁硅合金

(FeSi(1:2))

 99.5 — — — — — — — —

铁硅合金

(FeSi(3:1))

 99.5 — — — — — — — —

钴铁硅合金

(CoFeSi(2:1:1))

 99.5 — — — — — — — —

铁酸铍

(BeFeO3)

 99.9 — — — — — — — —

镧

(La)

 99.5/99.9 6.15 919 13 W/m.K 12.1×10^(-6)/K 2.5 射频 — 薄膜如果刮伤，会在空气中燃烧。

氧化镧

(La2O3)

 99.9/99.99 6.51 2315 — — — — — —

硼化镧

(LaB6)

 99.5 4.72 2210 — — — 射频 铟，导电胶 —

钛酸镧

(LaTiO3)

 99.9 — — — — — — — —

La2CuO4

()

 99.9 — — — — — — — —

锰酸锶镧

(La0.67Sr0.33MnO3)

 99.95 — — — — — — — —

氟化锂

(LiF)

 99.9 2.64 845 — 37.0×10^(-6)/K 4 — — —

磷酸锂

(Li3PO4)

 99.9 2.39 >340 — — — 射频， 直流 铟，导电胶 —

铅

(Pb)

 99.9/99.99 11.34 328 35 W/m.K 28.9×10^(-6)/K 1.5 直流 — —

铅锆钛氧

(PbZr0.2Ti0.8O3)

 99.9/99.95 — — — — — — — —

铅锆钛氧

(PbZr0.8Ti0.2O3)

 99.95 — — — — — — — —

铅锆钛氧

(PbZr0.58Ti0.42O3)

 99.9/99.95 — — — — — — — —

碲化铅

(PbTe)

 99.99 8.16 905 — — — 射频 铟，导电胶 建议采用磁控溅射

钛酸铅

(PbTiO3)

 99.9 7.52 — — — — 射频 铟，导电胶 —

铌酸锂

(LiNbO3)

 99.9 4.7 — — — — 铟，导电胶 — —

镁

(Mg)

 99.95 1.74 650 160 W/m.K 8.2×10^(-6)/K 2.5 直流 铟，导电胶 可能性极高。

氟化镁

(MgF2)

 99.9 3.15 1248 — — — 射频 铟，导电胶 衬底温度和速率控制很重要。能够与W/Mo反应。

氧化镁

(MgO)

 99.95 3.58 2852 — — — 射频， 射频-R 铟，导电胶 化学计量的条件时在10^(-3) Torr O2蒸发。

Mg1.5Ti1.5O4

()

 99.95 — — — — — — — —

Mg1.3Ti1.7O4.7

()

 99.95 — — — — — — — —

碳酸镁

(MgCO3)

 99.9 3 2200 — — — — — —

镍化镁

(Mg2Ni)

 99.95 — — — — — — — —

锰

(Mn)

 99.9 7.47 1246 7.8 W/m.K 21.7×10^(-6)/K 5 直流 导电胶 —

氧化锰

(MnO)

 99.9 5.37 1945 — — — — — —

锡化锰

(Mn3Sn)

 99.9 5.45 1460 — — — — — —

锰铋合金

(MnBi)

 99.9 — — — — — — — —

碲化锰

(MnTe)

 99.99 6 1170 — — — — — —

钼

(Mo)

 99.95 10.28 2623 139 W/m.K 4.8×10^(-6)/K 5.5 直流 铟，导电胶 薄膜光滑且坚硬。排气时需要小心。

碳化钼

(Mo2C)

 99.5 8.9 2687 — — 7 射频 铟，导电胶 蒸发 Mo(CO)6 生成Mo2C。

硅化钼

(MoSi2)

 99.5 6.24 2030 — — — 射频 铟，导电胶 分解

硫化钼

(MoS2)

 99.99 4.8 1185 — — 1～1.5 射频 铟，导电胶 —

二氧化钼

(MoO2)

 99.9 6.47 — — — — — — —

三氧化钼

(MoO3)

 99.9 4.7 795 — — — 射频 铟，导电胶 轻微氧缺失。

碲化钼

(MoTe2)

 99.9 7.78 — — — — 直流， 射频， 射频-R 铟，导电胶 —

钕

(Nd)

 99.9 7.01 1021 17 W/m.K 9.6×10^(-6)/K 1.23 直流 — 低W溶解度。

镍

(Ni)

 99.9-99.995 8.91 1455 91 W/m.K 13.4×10^(-6)/K 4 直流 — 与W/Ta/Mo形成合金。 薄膜光滑且附着力好。

镍铜合金

(Ni55Cu45)

 99.99 — — — — — — 铟，导电胶 与W/Ta/Mo形成合金。

钕镍氧合金

(RbNiO)

 99.9 — — — — — — — —

镍铬合金

(Ni/Cr)

 99.9 8.5 1395 — — — 直流 铟，导电胶 与W/Ta/Mo形成合金。

镍钛合金

(Ni50Ti50)

 99.5/99.9 — — — — — — — —

氧化镍

(NiO)

 99.9/99.995 6.67 1984 — — — 射频-R 铟，导电胶 加热时会分解。

铌

(Nb)

 99.95 8.57 2477 54 W/m.K 7.3×10^(-6)/K 6 直流 铟，导电胶 —

铌钒合金

(Nb43V57)

 99.9 — — — — — — — —

铌钛合金

(Nb50Ti50)

 99.9 — — — — — — — —

碳化铌

(NbC)

 99.5 7.6 3500 — — — 射频 铟，导电胶 —

氮化铌

(NbN)

 99.9 8.4 2573 — — — 射频， 射频-R 铟，导电胶 反应条件时在10^(-3) Torr N2中蒸发Nb。

氧化铌

(NbO2)

 99.95 — — — — — — — —

氧化铌

(NbOx(x>2))

 99.95 — — — — — — — —

五氧化二铌

(Nb2O5)

 99.95 4.47 1485 — — — 射频， 射频-R 铟，导电胶 —

锡化铌

(Nb3Sn)

 — — — — — — 直流 — 从两种源材料中共蒸发。

砷化铌

(As5Nb3)

 99.99 — — — — — — — —

钯

(Pd)

 99.95 12.02 1555 72 W/m.K 11.8×10^(-6)/K 4.8 直流 铟，导电胶 合金与难熔金属。

镍/铁/钼/锰

(Ni/Fe/Mo/Mn)

 99.5 8.7 1395 — — — 直流 — 薄膜Ni含量较低。

铂

(Pt)

 99.99 21.45 1768 72 W/m.K 8.8×10^(-6)/K 4.3 直流 铟，导电胶 与金属形成合金。薄膜柔软，附着力差。达到沉积所需的温度可能不适用于热蒸发。

Mn1.4PtSn

()

 99.9 — — — — — — — —

Mn1.4Pt0.9Pd0.1Sn

()

 99.9 — — — — — — — —

镨

(Pr)

 99.9 6.64 931 13 W/m.K 6.7×10^(-6)/K 1.41 直流 — —

铼

(Re)

 99.99 21.02 3180 48 W/m.K 6.2×10^(-6)/K 7 直流 铟，导电胶 —

铑

(Rh)

 99.95 12.35 1964 150 W/m.K 8.2×10^(-6)/K 6 直流 铟，导电胶 电子束枪比较好。

钌

(Ru)

 99.95 12.37 2334 120 W/m.K 6.4×10^(-6)/K 6.5 直流 铟，导电胶 —

钐

(Sm)

 99.9 7.52 1074 13 W/m.K 12.7×10^(-6)/K 1～2 直流 — —

钪

(Sc)

 99.9 2.99 1541 16 W/m.K 12.0×10^(-6)/K — 直流 铟，导电胶 —

三碲化二钪

(Sc2Te3)

 99.99 — — — — — — — —

硒

(Se)

 99.999 4.82 221 0.52 W/m.K — 2 — — 对真空系统有害，低熔点材料不适合溅射。

铁硒合金

(FeSe(1:1))

 99.95 — — — — — — — —

硅（N型）

(Si (N-type))

 99.999 2.32 1410 150 W/m.K 2.6×10^(-6)/K 6.5 直流， 射频 铟，导电胶 —

硅（P型）

(Si (P-type))

 99.999 2.33 1414 150 W/m.K 2.6×10^(-6)/K 6.5 直流， 射频 铟，导电胶 —

碳化硅

(SiC)

 99.5 3.22 ～2700 — — — 射频 铟，导电胶 建议采用磁控溅射

二氧化硅

(SiO2)

 99.995 2.2 1650 — — — 射频 铟，导电胶 石英在电子束中效果极好

氧化硅

(SiO)

 99.9 2.13 >1702 — — — 射频， 射频-R 铟，导电胶 为了能够耐蒸发，采用挡板盒以及低速率。

氮化硅

(Si3N4)

 99.9 3.44 1900 — — — 射频， 射频-R 铟，导电胶 —

锶

(Sr)

 99 2.63 777 35 W/m.K 22.5×10^(-6)/K 1.8 射频 — 浸润，但是不能与 W/Ta/Mo形成合金。在空气中可能会氧化。

钛酸锶

(SrTiO3)

 99.95 4.81 2060 — — — — 导电胶 可以掺杂0.5%/0.7%Nb

Sr2Co2O5

()

 99.9 — — — — — — — —

SrIrO3

()

 99.9 — — — — — — — —

钛酸锶钡

(BaSrTiO3)

 99.99 4.91 — — — — — — —

钌酸锶

(SrRuO3)

 99.95/99.99 — — — — — — — —

铝酸锶

(Sr3Al2O6)

 99.95/99.99 — — — — — — — —

锶钛铌氧

(SrTi0.8Nb0.2O3)

 99.9 — — — — — — — —

钽

(Ta)

 99.95 16.65 3017 57 W/m.K 6.3×10^(-6)/K 6.5 直流 铟，导电胶 形成较好的薄膜。

碳化钽

(TaC)

 99.5 13.9 3880 — — — 射频 铟，导电胶 —

氮化钽

(TaN)

 99.5 16.3 3360 — — — 射频， 射频-R 铟，导电胶 在10^(-3) Torr N2中蒸发Ta。

五氧化二钽

(Ta2O5)

 99.99 8.2 1872 — — — 射频， 射频-R 铟，导电胶 轻微分解，在10^(-3) Torr O2中蒸发Ta。

碲

(Te)

 99.9 6.24 450 3 W/m.K — 2 射频 铟，导电胶 不适合采用磁控溅射

铁硒碲

(FeSe0.5Te0.5)

 99.95 — — — — — — — —

碲化汞

(HgTe)

 99.99 8.63 673 — — — — — —

二碲化钼

(MoTe2)

 99.9 — — — — — — — —

碲化钨

(Wte)

 99.9 9.43 1020 — — — — — —

铽

(Tb)

 99.9 8.22 1356 11 W/m.K 10.3×10^(-6)/K 2.33 射频 — —

锡

(Sn)

 99.99 7.28 232 66.6 W/m.K 22×10^(-6)/K 1.65 直流 导电胶 与Mo浸润，低溅射能。在电子束枪中使用Ta衬底。低熔点材料不适合溅射。

硒化锡

(SnSe)

 99.99 6.18 861 — — — — — —

锑化锡

(SnSb4)

 99.999 — — — — — — — —

氧化锡

(SnO2)

 99.9 6.95 1630 — 3.8×10^(-6)/K 6.5 射频， 射频-R 导电胶 薄膜在W中缺少氧，在空气中容易氧化。

钛

(Ti)

 99.9-99.995 4.5 1668 21.9 W/m.K 8.6×10^(-6)/K 6 直流 铟，导电胶 与W/Ta/Mo形成合金。第一次加热时产生气体。

硼化钛

(TiB2)

 99.5 4.5 3230 — — — 射频 铟，导电胶 —

碳化钛

(TiC)

 99.5 4.93 3160 — — — 射频 铟，导电胶 —

二氧化钛

(TiO2)

 99.9/99.99 4.23 1830 — — — 射频， 射频-R 铟，导电胶 次级氧化物必须进行再次氧化生成金刚石。Ta能够减少TiO2向TiO以及Ti的转化。

氧化钛

(TiO)

 99.9 4.95 1750 — — — 射频 铟，导电胶 缓慢预热除气。

氮化钛

(TiN)

 99.5 5.4 2930 — — — 射频， 射频-R 铟，导电胶 热蒸发时会分解，建议采用磁控溅射

钛铁合金

(TiFe)

 99.95 — — — — — — — —

二硒化钛

(TiSe2)

 99.99 — — — — — — — —

硒化钛

(TiSe2.2)

 99.99 — — — — — — — —

三硒化二钛

(Ti2Se3)

 99.99 — — — — — — — —

钛锆靶材

(TiZr)

 99.5 — — — — — — — —

钛钒靶材

(TiV)

 99.5 — — — — — — — —

钛钼靶材

(TiMo)

 99.5 — — — — — — — —

钛40%锆40%镍20%

(Ti40Zr40Ni20)

 99.9 — — — — — — — —

钛锆铪钒铌

(TiZrHfVNb)

 99.5 — — — — — — — —

钛锆钪钼铌

(TiZrScMoNb)

 99.5 — — — — — — — —

钛锆钒钼铌

(TiZrVMoNb)

 99.5 — — — — — — — —

钛锆钪钒铌

(TiZrScVNb)

 99.5 — — — — — — — —

钛锆钪钼铌

(TiZrScMoNb)

 99.5 — — — — — — — —

锆铪钪钼铌

(ZrHfScMoNb)

 99.5 — — — — — — — —

钨

(W)

 99.95 19.25 3422 174 W/m.K 4.5×10^(-6)/K 7.5 直流 铟，导电胶 形成不稳定的氧化物。薄膜坚硬且附着力较好。

碳化钨

(WC)

 99.95 15.63 2870 — — — 射频 铟，导电胶 —

硅化钨

(WSi2)

 99.5 9.4 >900 — — — 射频 铟，导电胶 —

硫化钨

(WS2)

 99.8 7.5 1250 — — — 射频 铟，导电胶 —

氧化钨

(WO3)

 99.9 7.16 1473 — — — 射频-R 铟，导电胶 缓慢预热除气。W会轻微降低氧含量。

钨钛合金

(W90%Ti10%)

 99.99 >14.24 — — — — — 铟，导电胶 —缓慢预热除气。W会轻微降低氧含量。

钒

(V)

 99.9 5.8 1890 30.7 W/m.K 8.4×10^(-6)/K 7 直流 铟， 导电胶 与Mo浸润。电子束蒸发薄膜更好。

硼化钒

(VB)

 99.9 — — — — — — — —

二硼化钒

(VB2)

 99.9 — — — — — — — —

碳化钒

(VC)

 99.5 5.77 2810 — — 5.6 射频 铟，导电胶 —

氮化钒

(VN)

 99.9 — — — — — — — —

二氧化钒

(VO2)

 99.9 4.34 1967 — — — RF 铟，导电胶 —

五氧化二钒

(V2O5)

 99.9 3.36 690 — — — 射频 铟，导电胶 —

镱

(Yb)

 99.95 6.57 819 34.9 W/m.K 26.3×10^(-6)/K — — — —

氧化镱

(Yb2O3)

 99.9 9.17 2346 — — — 射频， 射频-R 铟，导电胶 失去氧气。

Yb3Fe5O12

()

 99.9 — — — — — — — —

镥

(Lu)

 99.95 9.84 1663 16 W/m.K 10×10^(-6)/K 2.6 — — —

钇

(Y)

 99.99 4.47 1526 17.2 W/m.K 10.6×10^(-6)/K — 射频， 直流 铟，导电胶 高钽溶解度。

氧化钇

(Y2O3)

 99.9 5.01 2410 — — — 射频， 射频-R 铟，导电胶 失去氧气。薄膜光滑清晰

钇铁石榴石

(Y3Fe5O12)

 99.9/99.95 — — — — — — — —

钇钡铜氧

(YBaCuO)

 99.9 — — — — — — — —

锌

(Zn)

 99.99/99.995 7.14 420 116 W/m.K 30.2×10^(-6)/K 2.5 直流 铟，导电胶 在较宽范围条件下蒸发效果好。

氧化锌

(ZnO)

 99.9/99.95/99.99 5.61 1975 — — — 射频-R 铟，导电胶 —

氧化锌铝

(ZnO:Al2O3 (98:2))

 99.99 — — — — — — — —

氧化锌铝

(ZnO:Al2O3(99:1))

 99.99 — — — — — — — —

氧化锌：氧化锡

(ZnO:Sn2O(90:10))

 99.99 — — — — — — — —

硒化锌

(ZnSe)

 — 5.42 1100 — — — 射频 铟，导电胶 缓慢预热除气。蒸发效果好。

硫化锌

(ZnS)

 99.99 3.98 1700 — — 3 射频 铟，导电胶 缓慢预热除气，薄膜部分分解， n=2.356

碲化锌

(ZnTe)

 99.99 6.34 1238 — — — 射频 铟，导电胶 缓慢预热除气。

锆

(Zr)

 99.95 6.51 1855 22.7 W/m.K 5.7×10^(-6)/K 7.5 直流 铟，导电胶 含有W的合金，薄膜容易氧化。

碳化锆

(ZrC)

 99.5 6.73 3540 — — 8～9 射频 铟，导电胶 —

氮化锆

(ZrN)

 99.5 7.09 2952 — — 8～9 射频， 射频-R 铟，导电胶 蒸发反应在10^(-3) Torr N2中进行。

氧化锆

(ZrO2)

 99.8/99.9/99.95 5.89 ~2700 — — 8～8.5 射频， 射频-R 铟，导电胶 薄膜缺氧、清晰、坚硬。

氧化锆氧化镧

(ZrO2:La2O3(99:1))

 99.9 5.89 ~2700 — — 8～8.5 射频， 射频-R 铟，导电胶 薄膜缺氧、清晰、坚硬。

氧化锆氧化铪

(ZrO2:HfO2(1:1.7))

 99.9 — — — — — — — —

氧化镧：氧化铪：氧化锆

(La2O3:HfO2:ZrO2(1:15.8:9.26))

 99.9 — — — — — — — —

碲化锰

(MnTe)

 99.99 6 1170 — — — — — —
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