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高纯材料

常用溅射参数

名称 纯度(%) 密度(g/cm3) 熔点(°C) 热导率 热膨胀系数 莫氏硬度(Mohs) 溅射电源 bonding类型 备注
名称 纯度(%) 密度(g/cm3) 熔点(°C) 热导率 热膨胀系数 莫氏硬度(Mohs) 溅射电源 bonding类型 备注

(Al)

99.999 2.7 660 235 W/m.K 23.1×10^(-6)/K 2.75 直流 铟,导电胶

氮化铝

(AlN)

99.9 3.26 >2200 4. 84×10^(-6)/K 9 射频-R 导电胶 分解,在10^(-3) N2中用辉光放电进行反应蒸发。

氧化铝

(Al2O3)

99.999 3.97 2072 8.8 射频-R 铟,导电胶 蓝宝石在电子束中形成光滑的硬膜。热蒸发可能性很小。

(Ag)

99.9/99.99/99.999 10.49 962 430 W/m.K 18.9×10^(-6)/K 2.5 直流 铟,导电胶

(Sb)

99.99 6.7 630 24 W/m.K 11×10^(-6)/K 3 射频, 直流 铟,导电胶 蒸发良好。

碲化锑

(Sb2Te3)

99.999 6.5 629 射频 铟,导电胶 在750℃时分解

铕镉锑

(EuCd2Sb2)

99.9

(Ba)

99.5 3.51 727 18 W/m.K 20.6×10^(-6)/K 1.25 射频 与合金不浸润,非合金化与陶瓷反应。不推荐溅射。

氟化钡

(BaF2)

99.9 4.89 1355 3 射频 铟,导电胶

钛酸钡

(BaTiO3)

99.9/99.95 6.02 1625 射频 导电胶 提供Ba,共蒸发和溅射都可以。

锡酸钡

(BaSnO3)

99.9 7.6 2060 适合采用磁控溅射

锆酸钡

(BaZrO3)

99 5.52 2500

钛酸锶钡

(Sr0.5Ba0.5TiO3)

99.9/99.95

钛酸钡65+铁酸镍35

(BaTiO3(65)+NiFe2O4(35))

99.5

(Bi)

99.99 9.78 271 8 W/m.K 13.4×10^(-6)/K 2.5 直流 导电胶 高电阻率,低熔点的材料不适合溅射。

三氧化二铋

(Bi2O3)

99.99 8.55 860 射频, 射频-R 铟,导电胶 高阻,低熔点金属,不适合采用磁控溅射

硒化铋

(Bi2Se3)

99.999 6.82 710 射频 铟,导电胶 从两种源材料中共蒸发或者溅射。

碲化铋

(Bi2Te3)

99.999 7.86 585 射频 铟,导电胶 建议二源共蒸或磁控

铁酸铋

(BiFeO3)

99.9

(B)

99.5 2.34 2300 27 W/m.K 6×10^(-6)/K 9.3 射频 铟,导电胶 快速冷却会产生爆炸,在容器中形成碳化物。

碳化硼

(B4C)

99.5 2.5 2350 9.3 射频 铟,导电胶 与Cr类似。

氮化硼

(BN)

99.5 2.25 ~3000 2 射频, 射频-R 铟,导电胶 在溅射过程中会分解。

(Cd)

99.999 8.64 321 97 W/m.K 30.8×10^(-6)/K 2 直流, 射频 铟,导电胶 附着系数低,对真空系统有害。

硒化镉

(CdSe)

99.995 5.81 1264 射频 铟,导电胶 磁控时会分解

硫化镉

(CdS)

99.99 4.83 1750 射频 铟,导电胶 附着系数受衬底的影响。

碲化镉

(CdTe)

99.999 6.2 1041 射频 铟,导电胶 化学计量学取决于衬底温度。n = 2.6。

(Ca)

99.5 1.55 842 201 W/m.K 22.3×10^(-6)/K 1.75 在空气中会出现腐蚀。

钛酸钙

(CaTiO3)

99.9 4.1 1975 射频 除了溅射都会发生畸变。

(C)

99.999 2.25 3550 140 W/m.K 7.1×10^(-6)/K 0.5 直流 铟,导电胶 在空气中变质

(Ce)

99.9/99.95 6.69 798 11 W/m.K 6.3×10^(-6)/K 2.5 直流, 射频 建议采用磁控溅射

氟化铈

(CeF3)

99.995 6.16 1640 射频 铟,导电胶 缓慢预热除气。n=1.7。

氧化铈

(CeO2)

99.9/99.99 7.13 2600 射频, 射频-R 铟,导电胶 极少量的分解。

(Cr)

99.95 7.19 1857 94 W/m.K 4.9×10^(-6)/K 8.5 直流 铟,导电胶 薄膜附着力高。

氧化铬

(Cr2O3)

99.5/99.9/99.95 5.21 2266 射频, 射频-R 铟,导电胶 畸变为低氧化物,在空气中600°C再氧化。

氮化铬

(CrN)

99.95 6.8 1650 11.7 W/m.K

硅化铬

(CrSi2)

99.5 5.5 1490 射频 铟,导电胶

铬50%铝50%

(Cr50Al50)

99.9

(Co)

99.95 8.9 1495 100 W/m.K 13.0×10^(-6)/K 5 直流 与W/Ta/Mo形成合金。

氧化钴

(CoO)

99.9/99.95 6.45 1795 直流-R, 射频-R 铟,导电胶 优选溅射。

铽钴合金

(CoTb)

99.5

氧化铁钴

(CoFe2O4)

99.9

(Cu)

99.99/99.999 8.96 1084 400 W/m.K 16.5×10^(-6)/K 3 直流 铟,导电胶 附着力较差. 采用中间层(Cr)。蒸发可以采用任何源材料。

氧化铜

(CuO)

99.5 6.3 1326 建议采用磁控溅射

氧化亚铜

(Cu2O)

99.5 6 1232

偏铝酸亚铜

(CuAlO2)

99.9

亚铬酸亚铜

(CuCrO2)

99.9

(Dy)

99.9 8.55 1412 11 W/m.K 9.9×10^(-6)/K 1.8 直流

(Er)

99.95 9.07 1497 15 W/m.K 12.2×10^(-6)/K 1.97 直流

氧化铒

(Er2O3)

99.99 8.64 2344 射频, 射频-R 铟,导电胶 失去氧气。

铒钇合金

()

99.5/99.9

铒锆合金

()

99.5/99.9

镍化铒

(Er3Ni)

99.95

(Tm)

99.9 9.32 1545 17 W/m.K 13.3×10^(-6)/K 1.77

Tm3Fe5O12 

()

99.9

(Eu)

99.9 5.24 822 3.07 直流 低Ta溶解度

氧化铕

(Eu2O3)

99.9 7.42 2350

铕镉砷合金

(EuCd2As2)

99.9

(Gd)

99.9 7.9 1313 11 W/m.K 9.4×10^(-6)/K 5.13 直流 高Ta溶解度

锑化镓

(GaSb)

99.999 5.61 706

三氧化二镓

(Ga2O3)

99.99 6.44 1740

氮化镓

(GaN)

99.99 6.1 800

磷化镓

(GaP)

99.99 4.13 1480

(Ge (N-type))

99.999 5.32 938 60 W/m.K 6×10^(-6)/K 6 直流 (掺杂), 射频 铟,导电胶 电子束蒸发出极好的薄膜。

碲化锗

(GeTe)

99.999 6.2 725 —— 射频 导电胶

锑化锗

(GeSb)

99.999

锗锑碲

(Ge2Sb2Te5)

99.999

钼锗合金

(Mo50Ge50)

99.95

(Au)

99.995/99.999 19.3 1064 320 W/m.K 14.2×10^(-6)/K 2.5 直流 铟,导电胶 薄膜较软,附着力不好。

金钯合金

()

99.95 ——

(Hf)

99.95 13.31 2227 23 W/m.K 5.9×10^(-6)/K 5.5 直流 铟,导电胶

碳化铪

(HfC)

99.5 12.2 ~3890 射频 铟,导电胶

氮化铪

(HfN)

99.5 13.8 3305 射频, 射频-R 铟,导电胶

氧化铪

(HfO2)

99.95 9.68 2810 射频, 射频-R 铟,导电胶 HfO薄膜

(Ho)

99.95 8.8 1474 16 W/m.K 11.2×10^(-6)/K 1.65

Ho3Fe5O12

()

99.9

(In)

99.99-99.999 7.3 157 82 W/m.K 32.1×10^(-6)/K 1.2 直流 导电胶 低熔点金属,不适合采用磁控溅射

氧化铟

(In2O3)

99.99 7.18 1910 铟,导电胶

氧化铟/氧化锡

(90%/10%In2O3/SnO2 90/10 wt %)

99.99 7.14 1800 射频, 直流 铟,导电胶

铟镓氧

(InGaO3)

99.99

铟镓锌氧

(InGaZnO4)

99.99

(Ir))

99.95 22.42 2410 150 W/m.K 6.4×10^(-6)/K 6.5 直流 铟,导电胶

氧化铱

(IrO2)

99.95/99.99 11.66 1100

(Fe)

99.95 7.87 1538 80 W/m.K 11.8×10^(-6)/K 4 直流 薄膜坚硬光滑。 缓慢预热除气。

氧化铁

(Fe2O3)

99.5 5.24 1565 射频, 射频-R 铟,导电胶 在1530°C时会畸变为Fe3O4。

铁镍合金

(FeNi)

99.99

铁50%锰50%

(Fe50Mn50)

99.95

铁98%铝2%

(Fe98Al2)

99.5

铁50%硼50%

(Fe50B50)

99.5

铁50%钴50%

(Fe50Co50)

99.5

铁50%钴25%铝25%

(Fe50Co25Al25)

99.5

钴20%铁60%硼20%

(Co20Fe60B20)

99.5

钴40%铁40%硼20%

(Co40Fe40B20)

99.95

304不锈钢

(06Cr19Ni10)

7.93 1420 16.3 W/m.K 17.2×10^(-6)/K

铁铬铝合金

(FeCrAl)

99.9

铁镓合金

(Fe80Ga20)

99.9/99.95

铁锗合金

(Fe50Ge50)

99.9

铁铬(20-25%)铝(4.5-7%)

((FeCr(20-22)Al(4.5-7)))

99.9

铁钆合金

(Fe50Gd50)

99.5

铁硅合金

(FeSi(1:2))

99.5

铁硅合金

(FeSi(3:1))

99.5

钴铁硅合金

(CoFeSi(2:1:1))

99.5

铁酸铍

(BeFeO3)

99.9

(La)

99.5/99.9 6.15 919 13 W/m.K 12.1×10^(-6)/K 2.5 射频 薄膜如果刮伤,会在空气中燃烧。

氧化镧

(La2O3)

99.9/99.99 6.51 2315

硼化镧

(LaB6)

99.5 4.72 2210 射频 铟,导电胶

钛酸镧

(LaTiO3)

99.9

La2CuO4

()

99.9

锰酸锶镧

(La0.67Sr0.33MnO3)

99.95

氟化锂

(LiF)

99.9 2.64 845 37.0×10^(-6)/K 4

磷酸锂

(Li3PO4)

99.9 2.39 >340 射频, 直流 铟,导电胶

(Pb)

99.9/99.99 11.34 328 35 W/m.K 28.9×10^(-6)/K 1.5 直流

铅锆钛氧

(PbZr0.2Ti0.8O3)

99.9/99.95

铅锆钛氧

(PbZr0.8Ti0.2O3)

99.95

铅锆钛氧

(PbZr0.58Ti0.42O3)

99.9/99.95

碲化铅

(PbTe)

99.99 8.16 905 射频 铟,导电胶 建议采用磁控溅射

钛酸铅

(PbTiO3)

99.9 7.52 射频 铟,导电胶

铌酸锂

(LiNbO3)

99.9 4.7 铟,导电胶

(Mg)

99.95 1.74 650 160 W/m.K 8.2×10^(-6)/K 2.5 直流 铟,导电胶 可能性极高。

氟化镁

(MgF2)

99.9 3.15 1248 射频 铟,导电胶 衬底温度和速率控制很重要。能够与W/Mo反应。

氧化镁

(MgO)

99.95 3.58 2852 射频, 射频-R 铟,导电胶 化学计量的条件时在10^(-3) Torr O2蒸发。

Mg1.5Ti1.5O4

()

99.95

Mg1.3Ti1.7O4.7

()

99.95

碳酸镁

(MgCO3)

99.9 3 2200

镍化镁

(Mg2Ni)

99.95

(Mn)

99.9 7.47 1246 7.8 W/m.K 21.7×10^(-6)/K 5 直流 导电胶

氧化锰

(MnO)

99.9 5.37 1945

锡化锰

(Mn3Sn)

99.9 5.45 1460

锰铋合金

(MnBi)

99.9

碲化锰

(MnTe)

99.99 6 1170

(Mo)

99.95 10.28 2623 139 W/m.K 4.8×10^(-6)/K 5.5 直流 铟,导电胶 薄膜光滑且坚硬。排气时需要小心。

碳化钼

(Mo2C)

99.5 8.9 2687 7 射频 铟,导电胶 蒸发 Mo(CO)6 生成Mo2C。

硅化钼

(MoSi2)

99.5 6.24 2030 射频 铟,导电胶 分解

硫化钼

(MoS2)

99.99 4.8 1185 1~1.5 射频 铟,导电胶

二氧化钼

(MoO2)

99.9 6.47

三氧化钼

(MoO3)

99.9 4.7 795 射频 铟,导电胶 轻微氧缺失。

碲化钼

(MoTe2)

99.9 7.78 直流, 射频, 射频-R 铟,导电胶

(Nd)

99.9 7.01 1021 17 W/m.K 9.6×10^(-6)/K 1.23 直流 低W溶解度。

(Ni)

99.9-99.995 8.91 1455 91 W/m.K 13.4×10^(-6)/K 4 直流 与W/Ta/Mo形成合金。 薄膜光滑且附着力好。

镍铜合金

(Ni55Cu45)

99.99 铟,导电胶 与W/Ta/Mo形成合金。

钕镍氧合金

(RbNiO)

99.9

镍铬合金

(Ni/Cr)

99.9 8.5 1395 直流 铟,导电胶 与W/Ta/Mo形成合金。

镍钛合金

(Ni50Ti50)

99.5/99.9

氧化镍

(NiO)

99.9/99.995 6.67 1984 射频-R 铟,导电胶 加热时会分解。

(Nb)

99.95 8.57 2477 54 W/m.K 7.3×10^(-6)/K 6 直流 铟,导电胶

铌钒合金

(Nb43V57)

99.9

铌钛合金

(Nb50Ti50)

99.9

碳化铌

(NbC)

99.5 7.6 3500 射频 铟,导电胶

氮化铌

(NbN)

99.9 8.4 2573 射频, 射频-R 铟,导电胶 反应条件时在10^(-3) Torr N2中蒸发Nb。

氧化铌

(NbO2)

99.95

氧化铌

(NbOx(x>2))

99.95

五氧化二铌

(Nb2O5)

99.95 4.47 1485 射频, 射频-R 铟,导电胶

锡化铌

(Nb3Sn)

直流 从两种源材料中共蒸发。

砷化铌

(As5Nb3)

99.99

(Pd)

99.95 12.02 1555 72 W/m.K 11.8×10^(-6)/K 4.8 直流 铟,导电胶 合金与难熔金属。

镍/铁/钼/锰

(Ni/Fe/Mo/Mn)

99.5 8.7 1395 直流 薄膜Ni含量较低。

(Pt)

99.99 21.45 1768 72 W/m.K 8.8×10^(-6)/K 4.3 直流 铟,导电胶 与金属形成合金。薄膜柔软,附着力差。达到沉积所需的温度可能不适用于热蒸发。

Mn1.4PtSn

()

99.9

Mn1.4Pt0.9Pd0.1Sn

()

99.9

(Pr)

99.9 6.64 931 13 W/m.K 6.7×10^(-6)/K 1.41 直流

(Re)

99.99 21.02 3180 48 W/m.K 6.2×10^(-6)/K 7 直流 铟,导电胶

(Rh)

99.95 12.35 1964 150 W/m.K 8.2×10^(-6)/K 6 直流 铟,导电胶 电子束枪比较好。

(Ru)

99.95 12.37 2334 120 W/m.K 6.4×10^(-6)/K 6.5 直流 铟,导电胶

(Sm)

99.9 7.52 1074 13 W/m.K 12.7×10^(-6)/K 1~2 直流

(Sc)

99.9 2.99 1541 16 W/m.K 12.0×10^(-6)/K 直流 铟,导电胶

三碲化二钪

(Sc2Te3)

99.99

(Se)

99.999 4.82 221 0.52 W/m.K 2 对真空系统有害,低熔点材料不适合溅射。

铁硒合金

(FeSe(1:1))

99.95

硅(N型)

(Si (N-type))

99.999 2.32 1410 150 W/m.K 2.6×10^(-6)/K 6.5 直流, 射频 铟,导电胶

硅(P型)

(Si (P-type))

99.999 2.33 1414 150 W/m.K 2.6×10^(-6)/K 6.5 直流, 射频 铟,导电胶

碳化硅

(SiC)

99.5 3.22 ~2700 射频 铟,导电胶 建议采用磁控溅射

二氧化硅

(SiO2)

99.995 2.2 1650 射频 铟,导电胶 石英在电子束中效果极好

氧化硅

(SiO)

99.9 2.13 >1702 射频, 射频-R 铟,导电胶 为了能够耐蒸发,采用挡板盒以及低速率。

氮化硅

(Si3N4)

99.9 3.44 1900 射频, 射频-R 铟,导电胶

(Sr)

99 2.63 777 35 W/m.K 22.5×10^(-6)/K 1.8 射频 浸润,但是不能与 W/Ta/Mo形成合金。在空气中可能会氧化。

钛酸锶

(SrTiO3)

99.95 4.81 2060 导电胶 可以掺杂0.5%/0.7%Nb

Sr2Co2O5

()

99.9

SrIrO3

()

99.9

钛酸锶钡

(BaSrTiO3)

99.99 4.91

钌酸锶

(SrRuO3)

99.95/99.99

铝酸锶

(Sr3Al2O6)

99.95/99.99

锶钛铌氧

(SrTi0.8Nb0.2O3)

99.9

(Ta)

99.95 16.65 3017 57 W/m.K 6.3×10^(-6)/K 6.5 直流 铟,导电胶 形成较好的薄膜。

碳化钽

(TaC)

99.5 13.9 3880 射频 铟,导电胶

氮化钽

(TaN)

99.5 16.3 3360 射频, 射频-R 铟,导电胶 在10^(-3) Torr N2中蒸发Ta。

五氧化二钽

(Ta2O5)

99.99 8.2 1872 射频, 射频-R 铟,导电胶 轻微分解,在10^(-3) Torr O2中蒸发Ta。

(Te)

99.9 6.24 450 3 W/m.K 2 射频 铟,导电胶 不适合采用磁控溅射

铁硒碲

(FeSe0.5Te0.5)

99.95

碲化汞

(HgTe)

99.99 8.63 673

二碲化钼

(MoTe2)

99.9

碲化钨

(Wte)

99.9 9.43 1020

(Tb)

99.9 8.22 1356 11 W/m.K 10.3×10^(-6)/K 2.33 射频

(Sn)

99.99 7.28 232 66.6 W/m.K 22×10^(-6)/K 1.65 直流 导电胶 与Mo浸润,低溅射能。在电子束枪中使用Ta衬底。低熔点材料不适合溅射。

硒化锡

(SnSe)

99.99 6.18 861

锑化锡

(SnSb4)

99.999

氧化锡

(SnO2)

99.9 6.95 1630 3.8×10^(-6)/K 6.5 射频, 射频-R 导电胶 薄膜在W中缺少氧,在空气中容易氧化。

(Ti)

99.9-99.995 4.5 1668 21.9 W/m.K 8.6×10^(-6)/K 6 直流 铟,导电胶 与W/Ta/Mo形成合金。第一次加热时产生气体。

硼化钛

(TiB2)

99.5 4.5 3230 射频 铟,导电胶

碳化钛

(TiC)

99.5 4.93 3160 射频 铟,导电胶

二氧化钛

(TiO2)

99.9/99.99 4.23 1830 射频, 射频-R 铟,导电胶 次级氧化物必须进行再次氧化生成金刚石。Ta能够减少TiO2向TiO以及Ti的转化。

氧化钛

(TiO)

99.9 4.95 1750 射频 铟,导电胶 缓慢预热除气。

氮化钛

(TiN)

99.5 5.4 2930 射频, 射频-R 铟,导电胶 热蒸发时会分解,建议采用磁控溅射

钛铁合金

(TiFe)

99.95

二硒化钛

(TiSe2)

99.99

硒化钛

(TiSe2.2)

99.99

三硒化二钛

(Ti2Se3)

99.99

钛锆靶材

(TiZr)

99.5

钛钒靶材

(TiV)

99.5

钛钼靶材

(TiMo)

99.5

钛40%锆40%镍20%

(Ti40Zr40Ni20)

99.9

钛锆铪钒铌

(TiZrHfVNb)

99.5

钛锆钪钼铌

(TiZrScMoNb)

99.5

钛锆钒钼铌

(TiZrVMoNb)

99.5

钛锆钪钒铌

(TiZrScVNb)

99.5

钛锆钪钼铌

(TiZrScMoNb)

99.5

锆铪钪钼铌

(ZrHfScMoNb)

99.5

(W)

99.95 19.25 3422 174 W/m.K 4.5×10^(-6)/K 7.5 直流 铟,导电胶 形成不稳定的氧化物。薄膜坚硬且附着力较好。

碳化钨

(WC)

99.95 15.63 2870 射频 铟,导电胶

硅化钨

(WSi2)

99.5 9.4 >900 射频 铟,导电胶

硫化钨

(WS2)

99.8 7.5 1250 射频 铟,导电胶

氧化钨

(WO3)

99.9 7.16 1473 射频-R 铟,导电胶 缓慢预热除气。W会轻微降低氧含量。

钨钛合金

(W90%Ti10%)

99.99 >14.24 铟,导电胶 —缓慢预热除气。W会轻微降低氧含量。

(V)

99.9 5.8 1890 30.7 W/m.K 8.4×10^(-6)/K 7 直流 铟, 导电胶 与Mo浸润。电子束蒸发薄膜更好。

硼化钒

(VB)

99.9

二硼化钒

(VB2)

99.9

碳化钒

(VC)

99.5 5.77 2810 5.6 射频 铟,导电胶

氮化钒

(VN)

99.9

二氧化钒

(VO2)

99.9 4.34 1967 RF 铟,导电胶

五氧化二钒

(V2O5)

99.9 3.36 690 射频 铟,导电胶

(Yb)

99.95 6.57 819 34.9 W/m.K 26.3×10^(-6)/K

氧化镱

(Yb2O3)

99.9 9.17 2346 射频, 射频-R 铟,导电胶 失去氧气。

Yb3Fe5O12

()

99.9

(Lu)

99.95 9.84 1663 16 W/m.K 10×10^(-6)/K 2.6

(Y)

99.99 4.47 1526 17.2 W/m.K 10.6×10^(-6)/K 射频, 直流 铟,导电胶 高钽溶解度。

氧化钇

(Y2O3)

99.9 5.01 2410 射频, 射频-R 铟,导电胶 失去氧气。薄膜光滑清晰

钇铁石榴石

(Y3Fe5O12)

99.9/99.95

钇钡铜氧

(YBaCuO)

99.9

(Zn)

99.99/99.995 7.14 420 116 W/m.K 30.2×10^(-6)/K 2.5 直流 铟,导电胶 在较宽范围条件下蒸发效果好。

氧化锌

(ZnO)

99.9/99.95/99.99 5.61 1975 射频-R 铟,导电胶

氧化锌铝

(ZnO:Al2O3 (98:2))

99.99

氧化锌铝

(ZnO:Al2O3(99:1))

99.99

氧化锌:氧化锡

(ZnO:Sn2O(90:10))

99.99

硒化锌

(ZnSe)

5.42 1100 射频 铟,导电胶 缓慢预热除气。蒸发效果好。

硫化锌

(ZnS)

99.99 3.98 1700 3 射频 铟,导电胶 缓慢预热除气,薄膜部分分解, n=2.356

碲化锌

(ZnTe)

99.99 6.34 1238 射频 铟,导电胶 缓慢预热除气。

(Zr)

99.95 6.51 1855 22.7 W/m.K 5.7×10^(-6)/K 7.5 直流 铟,导电胶 含有W的合金,薄膜容易氧化。

碳化锆

(ZrC)

99.5 6.73 3540 8~9 射频 铟,导电胶

氮化锆

(ZrN)

99.5 7.09 2952 8~9 射频, 射频-R 铟,导电胶 蒸发反应在10^(-3) Torr N2中进行。

氧化锆

(ZrO2)

99.8/99.9/99.95 5.89 ~2700 8~8.5 射频, 射频-R 铟,导电胶 薄膜缺氧、清晰、坚硬。

氧化锆氧化镧

(ZrO2:La2O3(99:1))

99.9 5.89 ~2700 8~8.5 射频, 射频-R 铟,导电胶 薄膜缺氧、清晰、坚硬。

氧化锆氧化铪

(ZrO2:HfO2(1:1.7))

99.9

氧化镧:氧化铪:氧化锆

(La2O3:HfO2:ZrO2(1:15.8:9.26))

99.9

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