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Si > 4H-碳化硅

4H-碳化硅

单晶

                     


名称

4H-碳化硅

分子式

4H-SiC

CAS

409-21-2

生长方法

籽晶升华法,物理气相传输法

晶体结构

六方, P63mc

堆垛方式

ABAC

晶格常数

a=3.076 Å  c=10.053Å  Z=8

熔点(℃)

2827

密度(g/cm3)

3.16

硬度(Mohs)

9.2

禁带宽度(eV)

3.23

折射率(nD)

2.55

电子迁移率(V·s/cm2)

~900

介电常数

ε11=ε22=9.6  ε33= 10.33

磁化率χ(cm3/mol)

−12.8*10−6

化学稳定性

不溶于水

颜色及外观

黑色

常规尺寸

2inch,可切割

常规晶向

 (0001)

抛光

单面或双面抛光


高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体器件的优选材料,采用SiC所制备的发光二极管的辐射波长可以覆盖从蓝光到紫光的波段,在光信息显示系统及光集成电路等领域中具有广阔的应用前景。也是制备石墨烯的重要衬底。

嘿,我来帮您!
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