高纯材料
High purity materials
单晶
Single crystals
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2D Materials
加工定制
Custom manufacturing
常用耗材
Consumables
仪器设备
Instruments&equipments
单晶
Si > 6H-碳化硅
6H-碳化硅
单晶
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名称 |
6H-碳化硅 |
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分子式 |
6H-SiC |
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CAS |
409-21-2 |
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生长方法 |
籽晶升华法，物理气相传输法 |
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晶体结构 |
六方, P63mc |
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堆垛方式 |
ABCACB |
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晶格常数 |
a=3.073 Å c=15.117 Å Z=12 |
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熔点(℃) |
2827 |
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密度(g/cm3) |
3.16 |
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硬度(Mohs) |
9.2 |
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禁带宽度(eV) |
3.05 |
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折射率(nD) |
2.55 |
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电子迁移率(V·s/cm2) |
~900 |
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介电常数 |
ε11=ε22=9.6 ε33= 10.33 |
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磁化率χ(cm3/mol) |
−12.8*10−6 |
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化学稳定性 |
不溶于水 |
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颜色及外观 |
黑色 |
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常规尺寸 |
2inch,可切割 |
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常规晶向 |
(0001) |
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抛光 |
单面或双面抛光 |
高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体器件的优选材料，采用SiC所制备的发光二极管的辐射波长可以覆盖从蓝光到紫光的波段，在光信息显示系统及光集成电路等领域中具有广阔的应用前景。也是制备石墨烯的重要衬底。
