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二维材料
二维材料 —— 半导体 > 二硫化钼(MoS2)
二硫化钼(MoS2)
半导体
MoS2是一种半导体，其间接带隙为1.2 eV。单层MoS2的带隙为1.8 eV，层间通过范德华力相互作用堆叠在一起，可以机械剥离成二维单层，合成的MoS2为有金属光泽的六角形或矩形。
合成MoS2通常表现为N型，通过掺杂的方式可以获得P型，室温下载流子浓度~1015cm-3。二硫化钼可用作光电检测器和晶体管。
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名称 |
二硫化钼 (MoS2) |
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规格尺寸 |
横向尺寸：1-1.5CM |
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熔点(℃) |
1185(N/P型)，2375(天然) |
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纯度(%) |
＞99.995(N/P型)，＞99.9(天然) |
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材料性质 |
半导体材料 |
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晶体特征 |
Eg：1.2ev |
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晶体结构 |
六方晶系 |
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晶格常数 |
a=b=0.315nm，c=1.229nm，α=β=90°，γ=120° |
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生长方法 |
分子束外延，化学气相沉积，天然 |
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备注 |
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*我们的单晶在生长后会经过XRD,EDX,Raman等手段进行表征，如有需要，可以跟我们销售人员索取库存产品的检测报告。
