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二维材料
二维材料 —— 半导体 > 三硒化二铟(In2Se3)
三硒化二铟(In2Se3)
二维材料
In2Se3（α相）是半导体，块状单晶带隙1.41eV。层间通过范德华力相互作用堆叠在一起，可机械剥离成二维单层。晶体为六边形/矩形，并具有金属外观。
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名称 |
三硒化二铟(In2Se3-alpha) |
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规格尺寸 |
横向尺寸：6-8mm，厚度：0.1-0.4mm |
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熔点(℃) |
890 |
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纯度(%) |
＞99.995 |
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材料性质 |
半导体材料 |
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晶体特征 |
Eg：1.41ev |
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晶体结构 |
六方晶系 |
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晶格常数 |
a=b=0.398nm，c=18.89nm，α=β=90°，γ=120° |
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生长方法 |
Float zone technique |
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备注 |
— |
*我们的单晶在生长后会经过XRD, EDX, Raman等手段进行表征，如有需要，可以跟我们销售人员索取库存产品的检测报告。
