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二维材料
二维材料 —— 半导体 > 碲(Te)
碲(Te)
二维材料
层状碲（Te）具有三角晶格，其中Te原子的各个螺旋链通过范德华型键堆叠在一起，其六角晶胞的中心和角绕平行于[0001]方向的轴螺旋上升。碲单晶带隙可调，块状材料直接带隙为0.31eV, 两层材料的间接带隙为1.17eV, 单层材料直接带隙为1.3eV.
和MoS2以及石墨烯相比，碲单晶不太好剥离，简易使用比较高粘性的胶带，或者液体剥离技术。
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名称 |
碲(Te) |
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规格尺寸 |
横向尺寸：1mm |
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熔点(℃) |
450 |
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纯度(%) |
99.9999 |
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材料性质 |
半导体材料 |
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晶体特征 |
0.31 eV (bulk) to indirect 1.17 eV (2L) |
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晶体结构 |
六方晶系 |
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晶格常数 |
a=b=0.446nm，c=0.593 nm，α=β=90°，γ=120° |
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生长方法 |
— |
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备注 |
— |
*我们的单晶在生长后会经过XRD, EDX, Raman等手段进行表征，如有需要，可以跟我们销售人员索取库存产品的检测报告。
