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High purity materials
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二维材料
二维材料 —— 半导体 > 硒化铟(InSe)
硒化铟(InSe)
二维材料
硒化铟(InSe) 是一种半导体二维材料，层间为范德华力，延0001方向很好地结晶，非常方便剥离。单晶为六角形，有金属光泽。
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名称 |
硒化铟(InSe) |
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规格尺寸 |
横向尺寸：8-10mm，厚度：0.1-0.4mm |
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熔点(℃) |
— |
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纯度(%) |
99.9999 |
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材料性质 |
半导体材料 |
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晶体特征 |
Eg：1.56ev |
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晶体结构 |
六方晶系 |
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晶格常数 |
a=b=0.400nm，c=2.492nm，α=β=90°，γ=120° |
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生长方法 |
Bridgman growth; CVT 化学气相传输法 |
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备注 |
— |
*我们的单晶在生长后会经过XRD, EDX, Raman等手段进行表征，如有需要，可以跟我们销售人员索取库存产品的检测报告。
